公开(公告)号：CN104425617B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410429498.3

申请日：2014-08-27

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 竹胁利至 ,  宫本广信

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/80

摘要： 改进氮化物半导体材料制成的功率MISFET的可靠性。应变松弛膜布置在聚酰亚胺膜和栅极电极之间，以抑制从聚酰亚胺膜施加在电子供给层上的应力，并抑制在电子供给层和沟道层中产生的应力应变。作为结果，抑制沟道层中的沟道电子浓度的变化，以防止功率MISFET的阈值电压或通态电阻波动。

公开(公告)号：CN106716601B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201680002942.0

申请日：2016-02-22

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 星保幸

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L23/53223 ,  H01L21/0485 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

摘要： 本发明提供一种半导体装置，具备：半导体基板；电极，设置于半导体基板的正面侧并包含铝；以及势垒层，其设置在半导体基板与电极之间，势垒层从接近于半导体基板的一侧起依次具有第一氮化钛层、第一钛层、第二氮化钛层和第二钛层。

公开(公告)号：CN105514105B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201410500432.9

申请日：2014-09-26

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 杨智伟 ,  刘玉峰 ,  柯建村 ,  许家福 ,  杨玉如 ,  刘恩铨

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/82345 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/088 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

摘要： 本发明公开一种集成电路与其形成方法，该集成电路包含一基底、一第一晶体管、一第二晶体管以及一第三晶体管。第一晶体管具有一第一金属栅极，其具有一第一底阻障层、一第一功函数金属层以及一第一金属层。第二晶体管具有一第二金属栅极，其具有一第二底阻障层、一第二功函数金属层以及一第二金属层。第三晶体管具有一第三金属栅极，其具有第三底阻障层、一第三功函数金属层以及一第三金属层。第一晶体管、第二晶体管与第三晶体管具有相同导电型，第一底阻障层中氮原子浓度>第二底阻障层中氮原子浓度>第三底阻障层中氮原子浓度。

公开(公告)号：CN106935488B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201610819304.X

申请日：2016-09-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈劲达 ,  谢铭峯 ,  吴汉威 ,  林育贤 ,  刘柏均 ,  陈彦廷

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/764

CPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

摘要： 一种半导体结构与其制造方法。制造方法包括：第一、第二及第三沟渠形成于一基板上的一层中。第三沟渠实质上宽于第一及第二沟渠。第一、第二及第三沟渠部分填入一第一导电材料。一第一抗反射材料覆盖于第一、第二及第三沟渠之上。第一抗反射材料有一第一表面形貌变化。执行一第一回蚀刻制程以部分移除第一抗反射材料。之后，一第二抗反射材料覆盖于第一抗反射材料之上。第二抗反射材料有一小于第一表面形貌变化的第二表面形貌变化。执行一第二回蚀刻制程以部分移除第一及第二沟渠中的第二抗反射材料。之后，部分移除第一及第二沟渠中的第一导电材料。

公开(公告)号：CN105529304B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201410524797.5

申请日：2014-09-30

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 蔡世昌 ,  曾姿锦 ,  林筱婷 ,  陈长义 ,  赖龙山

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L29/511 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明公开一种半导体装置与其制造方法。制造半导体装置的方法，包括以下步骤：提供一基板，并在其上方形成第一介电层。第一介电层具有一沟槽。接着，形成金属层，其填入沟槽并且覆盖第一介电层的表面。部分移除金属层，使得金属层的剩余部分覆盖第一介电层。进行处理程序，使得金属层的剩余部分的上部分形成钝化层以及下部分形成栅极金属层。最后，进行化学机械研磨程序，直到露出第一介电层为止，使得钝化层的剩余部分留在沟槽中。

公开(公告)号：CN106206434B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510793768.3

申请日：2015-11-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈逸仁 ,  梁春昇 ,  王淑慧 ,  张世勋 ,  江欣哲

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的工艺。该工艺开始于在衬底上形成功函金属层，以及在功函金属层上方覆盖硬掩模。形成穿过硬掩模和功函金属层的沟槽，以及在沟槽中填充隔离结构。

公开(公告)号：CN109545784A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201710865297.1

申请日：2017-09-22

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 许得彰 ,  陈俊嘉 ,  王尧展

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/768 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66795 ,  H01L27/0922 ,  H01L21/8238

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先形成一栅极结构于一基底上，然后形成一接触洞蚀刻停止层于栅极结构上，形成一层间介电层于接触洞蚀刻停止层上，之后进行一固化制作工艺使接触洞蚀刻停止层的氧浓度不同于层间介电层的氧浓度，并再进行一金属栅极置换制作工艺将该栅极结构转换为金属栅极。

公开(公告)号：CN108807538A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201711190908.3

申请日：2017-11-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨胜杰 ,  邱泰鑫

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/785 ,  H01L29/42356

摘要： 半导体器件包括沿着第一方向伸展的有源区。半导体器件包括沿着大致垂直于第一方向的第二方向伸展的第一纵长栅极。第一纵长栅极包括设置在有源区上方的第一部分和不设置在有源区上方的第二部分。第一部分和第二部分包括不同的材料。半导体器件包括沿着第二方向伸展的第一纵长栅极和在第一方向上与第一纵长栅极分开的第二纵长栅极。第二纵长栅极包括设置在有源区上方的第三部分和不设置在有源区上方的第四部分。第三部分和第四部分包括不同的材料。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN108807535A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710310992.1

申请日：2017-05-05

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 王楠 ,  潘梓诚 ,  洪中山

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/66795

摘要： 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部，鳍部的侧壁包括第一侧壁区和位于第一侧壁区上的第二侧壁区；在半导体衬底和鳍部上形成层间介质层，层间介质层中具有暴露出鳍部部分侧壁表面和部分顶部表面的开口；在开口的侧壁和底部形成目标功函数层，目标功函数层包括仅覆盖第一侧壁区的第一目标区和仅覆盖第二侧壁区的第二目标区，第二目标区和位于鳍部顶部表面上的目标功函数层中掺杂有改性离子，第一目标区具有第一有效功函数值，第二目标区、以及位于鳍部顶部表面上的目标功函数层具有第二有效功函数值，第一有效功函数值小于第二有效功函数值。所述方法提高了鳍式场效应晶体管的电学性能。

公开(公告)号：CN108666273A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810372654.5

申请日：2011-10-21

申请人： 索尼公司

发明人： 松本光市

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656

摘要： 本发明公开了半导体装置和半导体装置制造方法。所述半导体装置包括第一导电型晶体管和第二导电型晶体管，所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管每一者均包括：形成在基体上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的金属栅极电极；以及形成在所述金属栅极电极的侧壁处的侧壁间隔部。其中，所述栅极绝缘膜由高介电常数材料制成；并且在所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管任意一者中在所述金属栅极电极的侧壁与所述侧壁间隔部的内壁之间形成有偏移间隔部，或者在所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管中形成有不同厚度的偏移间隔部。本发明可以提供具有微细结构并能够使栅极长度最优化的半导体装置。