公开(公告)号：CN104701178B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201410727194.5

申请日：2014-12-03

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  P·伊尔西格勒 ,  H·韦伯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 在第一导电类型的台面之间的半导体衬底中形成沟槽。沟槽从加工表面延伸直至底平面。第二、互补的导电类型的半导体层被形成在沟槽的侧壁上。至少在台面中，垂直于加工表面的垂直的杂质浓度分布在加工表面和底平面之间是非恒定的。在此之后，凹进的半导体层的厚度反映在台面中的垂直杂质浓度分布。

公开(公告)号：CN106252359B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201610742652.1

申请日：2016-08-26

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 谢应涛

IPC: H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/441 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板包括：在氧化物半导体材料层形成后，在射频照射下、并在压缩空气中进行退火中形成钝化层或栅极绝缘层。通过上述方式，本发明能够多个调节氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差异，并进而为减少氧化物半导体TFT阈值电压的漂移，实现均匀的显示效果提供技术基础。

公开(公告)号：CN109494249A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201710811002.2

申请日：2017-09-11

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 李荣原 ,  陆俊岑 ,  陈冠宏

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0676 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L21/84 ,  H01L23/535 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/413 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/41791 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括基底、半导体纳米线、栅极结构、第一金属纳米线以及第二金属纳米线。半导体纳米线垂直配置于基底上。栅极结构环绕半导体纳米线的中间部分。第一金属纳米线位于半导体纳米线的一侧，且与半导体纳米线的下部部分电连接。第二金属纳米线位于半导体纳米线的另一侧，且与栅极结构电连接。

公开(公告)号：CN109346407A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811108986.9

申请日：2018-09-21

Applicant: 张海涛

Inventor： 张海涛

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明属于制造方法，具体涉及一种氮化镓HEMT的制造方法。一种氮化镓HEMT的制造方法，其中，在氮化镓基板上,电子移动层和电子供给层AlXGa1-XN(0

公开(公告)号：CN109148577A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710457648.5

申请日：2017-06-16

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 张海洋 ,  刘盼盼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7855 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干鳍部；形成初始掺杂区和介质层，初始掺杂区分别位于所述若干鳍部中，初始掺杂区包括底区域和位于底区域上的顶区域，介质层覆盖鳍部、初始掺杂区和衬底；在介质层中形成贯穿介质层的沟槽，所述初始掺杂区位于沟槽底部，且所述沟槽暴露出顶区域；刻蚀去除沟槽底部的顶区域，使底区域形成掺杂区。所述方法提高了沟槽底部不同鳍部中掺杂区顶部表面的形貌一致性，提高了半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN109037308A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810524887.2

申请日：2018-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7855

Abstract: 一种半导体装置包括：鳍，从衬底突出并在第一方向上延伸；源极/漏极区，位于所述鳍上；凹陷，位于所述源极/漏极区之间；装置隔离区，包括顶盖层和装置隔离层，所述顶盖层沿所述凹陷的内表面延伸，所述装置隔离层位于所述顶盖层上以填充所述凹陷；虚设栅极结构，位于所述装置隔离区上且包括虚设栅极绝缘层；外部间隔件，位于所述虚设栅极结构的相对侧壁上；第一内部间隔件，位于所述虚设栅极结构与所述外部间隔件之间；以及第二内部间隔件，位于所述装置隔离区与所述虚设栅极绝缘层之间。

公开(公告)号：CN108565283A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810335318.3

申请日：2018-04-13

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 张晓东 ,  张辉 ,  张佩佩 ,  于国浩 ,  蔡勇 ,  张宝顺

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42356 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了一种GaN基T型栅高频器件及其制备方法和应用。所述GaN基T型栅高频器件包括：异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且异质结中形成有二维电子气；形成于异质结上的P型半导体和高阻半导体；以及源极、漏极和栅极；P型半导体位于栅下区域且与栅极连接，栅极的长度大于P型半导体的长度，P型半导体用于耗尽栅下区域的二维电子气，高阻半导体位于P型半导体与源极或漏极之间；源极与漏极能够通过所述二维电子气电连接。本发明不需要对器件栅下区域进行刻蚀，避免了因刻蚀工艺引入的均匀性、重复性和损伤等问题，无需利用电子束曝光技术，解决生产效率低下等问题。

公开(公告)号：CN105140292B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201510430056.5

申请日：2010-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种具有电特性稳定的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置。在包括作为半导体层采用氧化物半导体层的反交错型薄膜晶体管的半导体装置中，在氧化物半导体层上具有缓冲层。缓冲层接触于半导体层的沟道形成区与源电极层及漏电极层。缓冲层在其膜中具有电阻分布。在缓冲层中，设置在半导体层的沟道形成区上的区域的导电率低于半导体层的沟道形成区的导电率，并且接触于源电极层及漏电极层的区域的导电率高于半导体层的沟道形成区的导电率。

公开(公告)号：CN105612617B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201480055773.8

申请日：2014-09-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田直树 ,  加藤纯男

IPC: H01L27/10 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/18 ,  G11C19/184 ,  G11C19/28 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/11206 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7869

Abstract: 存储单元(101)包含：存储晶体管(10A)，其具有沟道长度L1和沟道宽度W1；以及多个选择晶体管(10B)，其各自与存储晶体管串联电连接且独立地具有沟道长度L2和沟道宽度W2，存储晶体管和多个选择晶体管各自具有由共同的氧化物半导体膜形成的活性层(7A)，存储晶体管是能从漏极电流Ids依赖于栅极电压Vg的半导体状态不可逆地变为漏极电流Ids不依赖于栅极电压Vg的电阻体状态的晶体管，沟道长度L2大于沟道长度L1。

公开(公告)号：CN108389906A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201710063728.2

申请日：2017-02-03

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 萧世楹 ,  陈宣凯 ,  郑敦仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/42356

Abstract: 本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，包括半导体基底、栅极结构、第一漂移区、第一隔离结构、漏极区与第一次栅极结构。栅极结构与第一次栅极结构设置于半导体基底上且互相分离。第一漂移区设置于半导体基底中且设置于栅极结构的一侧。第一隔离结构与漏极区设置于第一漂移区中，漏极区与第一隔离结构互相分离，且第一漂移区的一部分设置于漏极区与第一隔离结构之间。第一次栅极结构至少部分设置于位于漏极区与第一隔离结构之间的第一漂移区上，且第一次栅极结构与漏极区电连接。