公开(公告)号：CN108695388A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710710460.7

申请日：2017-08-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 大藤徹 ,  鬼木悠丞

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7856 ,  H01L2029/7858 ,  H01L27/0886

摘要： 一种半导体元件及其制造方法。在一种使用取代栅极技术制造半导体元件的方法中，形成一由多个介电材料部分所构成的栅极空间，一半导体鳍片通道层是暴露于此栅极空间中。这些介电材料部分的多个表面会被形成为疏水的。一第一介电层是形成于此半导体鳍片通道层上，并保持这些介电材料部分的这些表面疏水。此形成的第一介电层的一表面亲水。一第一导电层是形成于此第一介电层上方，并保持这些介电材料部分的这些表面疏水。一第二导电层是形成于此第一导电层上方与这些介电材料部分的这些疏水表面上，以填充此栅极空间。

公开(公告)号：CN108493249A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810233999.2

申请日：2018-03-21

申请人： 上海华力集成电路制造有限公司

发明人： 许佑铨

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545

摘要： 本发明公开了一种SOI嵌入式三栅极晶体管，包括：SOI衬底，顶层硅中形成有多条由浅沟槽场氧隔离出来的硅条；在硅条的栅极形成区域中形成有栅极凹槽，金属栅极结构形成于栅极凹槽中并呈嵌入式三栅极结构，被金属栅极结构从两个侧面和底部表面覆盖的硅条组成沟道区；源区和漏区形成于金属栅极结构两侧的硅条中。本发明还公开了一种SOI嵌入式三栅极晶体管的制造方法。本发明能随器件设计目标调整信道宽度，避免现有鳍式晶体观念的3D立体结构造成的缺点，能降低寄生电容从而改善RC延迟，能增加嵌入式结构的面积并减少嵌入式结构的晶格缺陷，还能增加源漏区的接触孔的接触面积并降低接触电阻，能消除鳍体的深宽比带来的问题。

公开(公告)号：CN103972066B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201410032103.6

申请日：2014-01-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金大益 ,  金志永 ,  朴济民 ,  孙洛辰 ,  黄有商

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7831

摘要： 本发明提供了半导体器件及其制造方法。根据制造半导体器件的方法，硬掩模线平行地形成在基板中，并且硬掩模线之间的基板被蚀刻以形成凹槽。硬掩模线在凹槽之间的部分以及基板在凹槽之间的部分被蚀刻。基板在凹槽之间的被蚀刻部分的上表面比凹槽的底表面高。导电层形成为填充凹槽。导电层被蚀刻以分别在凹槽中形成导电图案。

公开(公告)号：CN107452738A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710377340.X

申请日：2017-05-25

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： 艾略特·约翰·史密斯 ,  詹·候尼史奇尔 ,  陈倪尔 ,  史芬·拜耳

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/7831 ,  H01L27/088 ,  H01L21/823462

摘要： 本发明涉及包括伪栅极结构的集成电路及其形成方法，其中，一种集成电路包括第一晶体管、第二晶体管以及伪栅极结构。该第一晶体管包括第一栅极结构。该第一栅极结构包括：包括高k介电材料的第一栅极绝缘层以及第一栅极电极。该第二晶体管包括第二栅极结构。该第二栅极结构包括：包括该高k介电材料的第二栅极绝缘层以及第二栅极电极。该伪栅极结构布置于该第一晶体管与该第二晶体管之间，且基本不包括该高k介电材料。

公开(公告)号：CN107195682A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710388208.9

申请日：2017-05-27

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 李昊

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7831

摘要： 本发明公开了一种超结器件，包括：N型外延层分成上下两部分；超结结构的P型柱由填充于形成于N型外延层中的超结沟槽中的P型外延层组成；上部分的掺杂浓度比下部分的掺杂浓度淡10％以上，通过下部分和P型柱的掺杂浓度相匹配，能使P型柱的匹配的变化范围位于和击穿电压的二次曲线的左右两侧；上部分较淡的掺杂使P型柱在匹配的变化范围内的掺杂浓度都大于上部分的掺杂浓度，使N型柱的上部分在耗尽时形成的耗尽区由P型柱的耗尽决定。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提升器件的EAS能力和EAS的面内均匀性，还能同时扩大了击穿电压的工艺窗口。

公开(公告)号：CN104517847B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201310460185.X

申请日：2013-09-29

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 刘金华

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/22 ,  H01L29/78 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/105 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696

摘要： 一种无结晶体管及其形成方法，所述无结晶体管的形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面具有介质层；在介质层表面形成半导体层，半导体层包括第一重掺杂层、轻掺杂层、第二重掺杂层，轻掺杂层的掺杂离子浓度小于第一重掺杂层和第二重掺杂层的掺杂离子浓度；在半导体层表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有开口，相邻开口之间具有部分掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，沿所述开口刻蚀半导体层和介质层形成凹槽；去除相邻开口之间的部分图形化掩膜层；刻蚀相邻凹槽之间的介质层形成空腔；形成覆盖部分半导体层的顶部表面、侧壁和底部表面的栅极结构；去除掩膜层；在栅极结构两侧的半导体层内形成源极和漏极。上述方法能够提高无结晶体管的性能。

公开(公告)号：CN102820337B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201210186903.4

申请日：2012-06-07

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 山田泰弘 ,  伊藤良一 ,  田中勉 ,  高德真人 ,  千田满

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L27/146 ,  G01T1/20

CPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14663 ,  H01L27/14676 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/78633

摘要： 本发明提供能够抑制因放射线造成的特性劣化从而提高可靠性的晶体管、采用所述晶体管的放射线摄像装置和包括所述装置的放射线摄像显示系统，该晶体管包括：半导体层；第一栅极绝缘膜和第一层间绝缘膜，它们设置于半导体层的一个指定表面侧；第一栅极，其设置于第一栅极绝缘膜和第一层间绝缘膜之间的位置；绝缘膜，其设置于半导体层的另一表面侧；源极和漏极，它们设置为与半导体层电连接；以及屏蔽电极层，其设置为使得屏蔽电极层的至少部分面对第一栅极的边缘，其中，第一栅极绝缘膜、第一层间绝缘膜以及绝缘膜中的至少一个包括氧化硅膜。

公开(公告)号：CN106935645A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201511021386.5

申请日：2015-12-30

申请人： 节能元件控股有限公司

发明人： 陈冠宇 ,  李序恒 ,  陈美玲

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66484

摘要： 一种具有底部栅极的金氧半场效晶体管功率元件，包含：一第一导电型基板；一第一导电型外延层，位于该第一导电型基板之上；多个元件沟槽，设立于该第一导电型外延层的上表面，每一元件沟槽中具有由深至浅排列的一底部栅极、一分离栅极及一沟渠栅极，其中该底部栅极及该第一导电型外延层之间具有一底部绝缘层，在该底部栅极及该分离栅极之间具有一中间绝缘层，在该分离栅极及该沟渠栅极之间具有一上层绝缘层。

公开(公告)号：CN106910768A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201611103068.8

申请日：2016-12-05

申请人： IMEC 非营利协会

发明人： M·A·普尔加德里 ,  A·阿莲

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/512 ,  H01L29/7391 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/42312

摘要： 公开了一种隧道场效应晶体管(TFET)，其包括半导体材料的源极‑沟道‑漏极结构。该源极‑沟道‑漏极结构包括n型或p型掺杂的源极区，与该源极区相反掺杂的漏极区和位于该源极区和该漏极区之间的固有或低掺杂的沟道区。该TFET进一步包括覆盖该沟道区的参考栅极结构，以及在该参考栅极结构旁的源极侧栅极结构，其中该源极侧栅极结构的功函和/或静电电位，以及该参考栅极结构的参考功函和/或静电电位被选择用于允许操作中的TFET器件的隧穿机制在该沟道区中在该源极侧栅极结构和该参考栅极结构之间的界面或界面区处发生。

公开(公告)号：CN106816471A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201610937203.2

申请日：2016-10-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 江国诚 ,  黄靖方 ,  卡罗司·迪亚兹 ,  王志豪 ,  谢文兴 ,  梁英强

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/42392 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/42356

摘要： 一种多栅极元件，包含设置于基板上的源极/漏极特征。源极/漏极特征包含第一纳米线、设置于第一纳米线上的第二纳米线、设置于第一纳米线及第二纳米线上的包覆层以及自第一纳米线延伸至第二纳米线的间隔层。元件亦包含直接设置于源极/漏极特征上的导电特征，以使得导电特征实体接触包覆层及间隔层。