公开(公告)号：CN107452738A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710377340.X

申请日：2017-05-25

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： 艾略特·约翰·史密斯 ,  詹·候尼史奇尔 ,  陈倪尔 ,  史芬·拜耳

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/7831 ,  H01L27/088 ,  H01L21/823462

摘要： 本发明涉及包括伪栅极结构的集成电路及其形成方法，其中，一种集成电路包括第一晶体管、第二晶体管以及伪栅极结构。该第一晶体管包括第一栅极结构。该第一栅极结构包括：包括高k介电材料的第一栅极绝缘层以及第一栅极电极。该第二晶体管包括第二栅极结构。该第二栅极结构包括：包括该高k介电材料的第二栅极绝缘层以及第二栅极电极。该伪栅极结构布置于该第一晶体管与该第二晶体管之间，且基本不包括该高k介电材料。