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发明公开
CN107452738A 包括伪栅极结构的集成电路及其形成方法 有权 转让

包括伪栅极结构的集成电路及其形成方法
摘要：
本发明涉及包括伪栅极结构的集成电路及其形成方法，其中，一种集成电路包括第一晶体管、第二晶体管以及伪栅极结构。该第一晶体管包括第一栅极结构。该第一栅极结构包括：包括高k介电材料的第一栅极绝缘层以及第一栅极电极。该第二晶体管包括第二栅极结构。该第二栅极结构包括：包括该高k介电材料的第二栅极绝缘层以及第二栅极电极。该伪栅极结构布置于该第一晶体管与该第二晶体管之间，且基本不包括该高k介电材料。
摘要（英）：

An integrated circuit includes a first transistor, a second transistor and a dummy gate structure. The first transistor includes a first gate structure. The first gate structure includes a first gate insulation layer including a high-k dielectric material and a first gate electrode. The second transistor includes a second gate structure. The second gate structure includes a second gate insulation layer including the high-k dielectric material and a second gate electrode. The dummy gate structure is arranged between the first transistor and the second transistor and substantially does not include the high-k dielectric material.

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