公开(公告)号：CN112820646A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011291738.X

申请日：2020-11-18

申请人： IMEC 非营利协会

发明人： N·沃尔德伦 ,  A·阿莲 ,  U·佩拉拉古

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778

摘要： 一种工艺，包括以下步骤：a.提供半导体结构，该半导体结构包括：i.沟道；ii.势垒iii.势垒层上的非导电结构，该非导电结构包括具有被隔开第一距离的各侧壁的空腔，b.在该非导电结构上共形地提供第一非导电层，从而覆盖空腔的侧壁和底表面，c.以如下方式来蚀刻第一非导电层：使其从底表面的至少一部分移除，但仍覆盖侧壁，d.通过使用覆盖侧壁的第一非导电层作为掩模，蚀刻穿过底表面至多直到达到沟道，由此在非导电结构的底表面中形成开口，该开口具有被隔开小于第一距离的第二距离的各侧壁，以及e.完全移除第一非导电层。

公开(公告)号：CN108242469B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201711261083.X

申请日：2017-12-04

申请人： IMEC 非营利协会

发明人： A·阿莲 ,  S·埃尔卡兹

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/10

摘要： 一种FET器件包括具有绝缘表面的衬底、基本上垂直于衬底(100)的绝缘表面的，由绝缘材料制成或被绝缘材料覆盖的结构、由包围垂直结构以及衬底的绝缘表面的至少一部分的2D材料构成的薄层、与2D材料的薄层电接触的两个电极，所述电极之一在直立结构的顶部上、被布置成跨2D材料的薄层施加电场由此诱导其电导率的改变的控制电极。该FET器件还包括至少一个材料堆叠，其通过电容耦合，在2D材料的薄层中提供带弯曲的不同区域。

公开(公告)号：CN106910768A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201611103068.8

申请日：2016-12-05

申请人： IMEC 非营利协会

发明人： M·A·普尔加德里 ,  A·阿莲

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/512 ,  H01L29/7391 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/42312

摘要： 公开了一种隧道场效应晶体管(TFET)，其包括半导体材料的源极‑沟道‑漏极结构。该源极‑沟道‑漏极结构包括n型或p型掺杂的源极区，与该源极区相反掺杂的漏极区和位于该源极区和该漏极区之间的固有或低掺杂的沟道区。该TFET进一步包括覆盖该沟道区的参考栅极结构，以及在该参考栅极结构旁的源极侧栅极结构，其中该源极侧栅极结构的功函和/或静电电位，以及该参考栅极结构的参考功函和/或静电电位被选择用于允许操作中的TFET器件的隧穿机制在该沟道区中在该源极侧栅极结构和该参考栅极结构之间的界面或界面区处发生。