公开(公告)号：CN106910768A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201611103068.8

申请日：2016-12-05

申请人： IMEC 非营利协会

发明人： M·A·普尔加德里 ,  A·阿莲

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/512 ,  H01L29/7391 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/42312

摘要： 公开了一种隧道场效应晶体管(TFET)，其包括半导体材料的源极‑沟道‑漏极结构。该源极‑沟道‑漏极结构包括n型或p型掺杂的源极区，与该源极区相反掺杂的漏极区和位于该源极区和该漏极区之间的固有或低掺杂的沟道区。该TFET进一步包括覆盖该沟道区的参考栅极结构，以及在该参考栅极结构旁的源极侧栅极结构，其中该源极侧栅极结构的功函和/或静电电位，以及该参考栅极结构的参考功函和/或静电电位被选择用于允许操作中的TFET器件的隧穿机制在该沟道区中在该源极侧栅极结构和该参考栅极结构之间的界面或界面区处发生。