公开(公告)号：CN105826204B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610251709.8

申请日：2011-08-08

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618

摘要： 包括氧化物半导体的半导体装置的电特性因被可见光或紫外光辐照而改变。鉴于上述问题，一个目标在于提供包括氧化物半导体薄膜的半导体装置，其具有稳定的电特性和高可靠性。在氧化物绝缘层上形成厚度大于或等于1nm且小于或等于10nm的第一氧化物半导体层且通过热处理使其结晶，以形成第一结晶氧化物半导体层。在其上形成厚度比所述第一结晶氧化物半导体层大的第二结晶氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN107210320B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201680007675.6

申请日：2016-01-29

申请人： 追踪有限公司

发明人： 野村见次 ,  约翰·贤哲·洪

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3466 ,  G09G2300/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种包含p‑n异质结结构的薄膜晶体管TFT。p‑n异质结结构可包含窄带隙材料与宽带隙材料之间的结。可为氧化物、氮化物、硒化物或硫化物的所述窄带隙材料为所述TFT的有源沟道材料，且可提供相对较高的载流子迁移率。所述异质结结构促进能带间穿隧及TFT断开电流的抑制。在各种实施方案中，所述TFT可形成于柔性衬底上且具有低温处理能力。

公开(公告)号：CN109065553A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810945034.6

申请日：2013-10-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN105140292B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201510430056.5

申请日：2010-03-05

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 坂田淳一郎 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明的目的之一在于提供一种具有电特性稳定的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置。在包括作为半导体层采用氧化物半导体层的反交错型薄膜晶体管的半导体装置中，在氧化物半导体层上具有缓冲层。缓冲层接触于半导体层的沟道形成区与源电极层及漏电极层。缓冲层在其膜中具有电阻分布。在缓冲层中，设置在半导体层的沟道形成区上的区域的导电率低于半导体层的沟道形成区的导电率，并且接触于源电极层及漏电极层的区域的导电率高于半导体层的沟道形成区的导电率。

公开(公告)号：CN106087040B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201610556752.5

申请日：2016-07-14

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 严允晟

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  C30B28/02 ,  C30B33/02

CPC分类号： C30B28/02 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/67109

摘要： 本发明涉及种半导体多晶化系统和对单晶半导体基板进行多晶化的方法,所述半导体多晶化系统具有多个喷射口,所述喷射口用于喷射热气体使单晶半导体基板中的单晶半导体多晶化。本发明通过喷射口向单晶半导体基板喷射热气体,在热气体中热量的作用下,单晶半导体基板中的单晶半导体变为多晶半导体,从而实现多晶化。

公开(公告)号：CN104953027B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201510140906.8

申请日：2015-03-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 沈美华 ,  哈梅特·辛格 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  杰弗里·马克斯 ,  索斯滕·利尔 ,  理查德·P·雅内克 ,  杨文斌 ,  普利素·沙马

IPC分类号： H01L43/12

CPC分类号： H01L43/12 ,  C23F1/08 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00 ,  H01L21/02554 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L45/1675

摘要： 本发明涉及蚀刻非挥发性金属材料的方法，具体提供了一种在一个或者多个循环内蚀刻具有至少一个金属层的堆叠的方法。实施初始步骤，将至少一个金属层的一部分转化成金属氧化物、金属卤化物或者晶格损坏的金属部位。实施反应步骤，提供一个或者多个循环，其中每个循环包括提供有机溶剂蒸气以形成溶剂化的金属、金属卤化物或者金属氧化物的状态，以及提供有机配体溶剂以形成挥发性的有机金属化合物。实施挥发性的有机金属化合物的解吸。

公开(公告)号：CN105870196B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201610250240.6

申请日：2013-10-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN104332177B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201410541227.7

申请日：2010-10-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 加藤清 ,  小山润

IPC分类号： G11C14/00 ,  G11C7/04 ,  H01L27/105

CPC分类号： H03K3/356104 ,  G11C7/04 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/045 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/6659 ,  H03K3/0375 ,  H03K3/286 ,  H03K3/356 ,  H03K3/356121 ,  H03K3/356173

摘要： 非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用其的半导体器件。非易失性锁存电路包括：具有环形结构的锁存部分，其中第一元件的输出电连接至第二元件的输入，且第二元件的输出电连接至第一元件的输入；以及用于保持该锁存部分的数据的数据保持部分。在数据保持部分中，使用用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材料的晶体管作为开关元件。此外，包括了电连接至晶体管的源电极或漏电极的反相器。使用该晶体管，被保持在锁存部分中的数据可被写入反相器的栅极电容器或被独立提供的电容器。

公开(公告)号：CN105374748B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201510659395.0

申请日：2015-10-13

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 刘洋

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28229 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管基板的制作方法及制得的薄膜晶体管基板。本发明的薄膜晶体管基板的制作方法，利用光阻图案作为掩膜，将金属层通过阳极氧化技术直接氧化作为栅极绝缘层或钝化层，同时形成栅电极或源/漏电极图形，整个制作工艺在常温下进行，可在不耐高温的柔性基底上制作，适用于柔性显示技术，不需要耐高温的柔性基板，也不需要使用昂贵的化学气相沉积等高温制程设备，能够大大降低柔性显示器制造的工艺成本。本发明制得的薄膜晶体管基板电学性能优良，适用于柔性显示器。

公开(公告)号：CN107946365A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711000109.5

申请日：2017-10-24

申请人： 华南理工大学

发明人： 陈荣盛 ,  邓孙斌 ,  郭海成

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明公开了一种具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜及其制造方法，包括复合晶型结构，所述复合晶型结构由晶粒和非晶型结构组成，所述晶粒被非晶型的框架包围，所述晶粒的粒径为0.5～10纳米；所述无机金属氧化物薄膜用磁控溅射法或者蒸发法将原材料沉积在衬底上制得。本发明通过简单的方法将原材料沉积在衬底上，形成存在晶粒和非晶型结构的无机金属氧化物薄膜，晶粒的存在使得无机金属氧化物薄膜的原子排序更加有序，薄膜的载流子迁移率得到了提升；同时，由于晶粒与非晶型的框架的同时存在，使得薄膜保持较好的空间均匀性，从而使得相应的小尺寸器件在大尺寸的应用中保持良好均一的器件性能。本发明可以广泛应用于半导体领域。