公开(公告)号：CN105990448B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201510085512.7

申请日：2015-02-16

申请人： 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 ,  瀚宇彩晶股份有限公司

发明人： 王永庆

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/78669 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78666

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括栅极、第一栅极介电层、第二栅极介电层、通道层、源极和漏极。栅极设置在基板上。第一栅极介电层设置在栅极及基板上，第一栅极介电层的硅氢键含量与氮氢键含量的比值介于0.2与1.0之间。第二栅极介电层设置在第一栅极介电层上，第二栅极介电层的硅氢键含量与氮氢键含量的比值介于0.01与0.2之间。通道层设置在第二栅极介电层上。源极和漏极设置在通道层上且位于通道层的相对两侧。本发明的薄膜晶体管应用在显示面板上，可提升显示面板中像素的反应速度，进而改善画面残影的问题。

公开(公告)号：CN109148597A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810946820.8

申请日：2018-08-20

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 翟玉浩

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L29/78645 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，薄膜晶体管包括：一基板；一有源层设置在所述基板上，所述有源层包括沟道区、设置在所述沟道区两侧的一导体化区；一第一栅极设置在所述有源层上方，且所述第一栅极在所述基板上的正投影与所述沟道区在所述基板上的正投影重合；一第二栅极设置在所述第一栅极上方，且与所述第一栅极电连接，所述第二栅极在所述基板上的正投影包含所述沟道区在所述基板上的正投影。本发明的优点在于，利用第二栅极遮挡部分导体化区，形成轻掺杂区和重掺杂区，保证导体化区的氧空缺不会向沟道区内扩散，避免了短沟道效应造成的漏电流过高和稳定性差的问题。

公开(公告)号：CN109065616A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810883311.5

申请日：2018-08-06

申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司

发明人： 白思航 ,  王国超 ,  胡俊艳

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/3244 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L2227/323

摘要： 本发明提供一种柔性显示面板，包括：柔性衬底、阻挡层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、栅极金属层、第二栅极绝缘层、第一源漏极金属层、层间绝缘层、第一钝化层、第二源漏极金属层、第二钝化层、阳极金属层、像素隔离层以及像素支撑层；其中，所述第一钝化层上形成有第一通孔以及第二通孔，所述第二源漏极金属层通过所述第一通孔与所述有源层连通，所述第二源漏金属层通过所述第二通孔与所述第一源漏金属层连通。有益效果：本发明所提供的柔性显示面板及制造方法，采用了双层源漏极金属层结构，减少了一层栅极金属层，通过一钝化层使源漏极金属层平坦化，进一步防止层间绝缘层断线，更进一步降低光罩成本以及原料成本。

公开(公告)号：CN108695362A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810159539.X

申请日：2018-02-26

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 山口阳平 ,  铃村功

IPC分类号： H01L27/32

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/10 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/14692 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675 ,  H01L27/32

摘要： 本发明涉及显示装置。要解决的课题在于提高使用氧化物半导体的TFT的可靠性。显示装置的特征在于，包含具有形成有多个像素的显示区域的基板，所述像素包含使用了第一氧化物半导体(12)的第一TFT，在所述第一氧化物半导体(12)之上，形成第一栅极绝缘膜(13)，所述第一栅极绝缘膜(13)由第一硅氧化膜(131)与第一铝氧化膜(132)的层叠构造形成，在所述第一铝氧化膜(131)之上形成有第一栅电极(14)。

公开(公告)号：CN104282560B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201310274977.8

申请日：2013-07-02

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 殷华湘 ,  马小龙 ,  徐唯佳 ,  徐秋霞 ,  朱慧珑

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明公开了种堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法,包括:多个纳米线堆叠,在衬底上沿第方向延伸;多个栅极堆叠,沿第二方向延伸并且跨越了每个纳米线堆叠;多个源漏区,位于每个栅极堆叠沿第二方向两侧;多个沟道区,由位于多个源漏区之间的纳米线堆叠构成;其中多个纳米线堆叠为级联的多个纳米线构成的堆叠。依照本发明的堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法,通过多次回刻、侧向刻蚀沟槽并填充,形成了质量良好的级联的纳米线堆叠,以较低的成本充分增大导电沟道有效宽度,并且提高了有效导电总截面面积,从而提高驱动电流。

公开(公告)号：CN104716147B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510152075.6

申请日：2015-04-01

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 张鹏举 ,  彭志龙 ,  王浩 ,  潘梦霄 ,  刘还平

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L29/42384 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733

摘要： 本发明的实施例提供一种TFT阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可有效减少TFT阵列基板在制造过程中发生的静电放电，提高产品良率。所述TFT阵列基板的制备方法，包括：在基板上形成第一导电层，所述第一导电层包括位于像素区的第一导电图案和与所述第一导电图案电连接的第一信号线，与所述第一信号线电连接的第一信号线引线；在形成有所述第一导电层的基板上形成绝缘层；其中，所述绝缘层包括露出所述第一信号线引线的第一过孔；在形成有所述绝缘层的基板上形成第二导电薄膜；其中，所述第二导电薄膜通过位于所述绝缘层上的第一过孔与所述第一信号线引线电连接。用于阵列基板、显示装置的制造。

公开(公告)号：CN104867904B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201510158811.9

申请日：2015-04-03

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 田宏伟 ,  马凯葓 ,  徐文清 ,  左岳平 ,  许晓伟

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L29/41 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/42384 ,  H01L21/28008 ,  H01L23/50 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/41 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供了一种导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置。该导电结构包括多层由铝制作的第一金属层，且在每相邻的两层第一金属层之间还设置有第二金属层，所述第二金属层由铝之外的金属制成。本发明提供的导电结构，通过设置多层由铝制作的第一金属层，并在每相邻的两层第一金属层之间设置第二金属层进行阻隔，从而可以减少单层第一金属层中的晶粒的连续长度，进而可以在不减小导电结构整体厚度的情况下减少导电结构在受热时产生的小突起现象。

公开(公告)号：CN107871737A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710109434.9

申请日：2017-02-27

申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司

发明人： G·C·里贝斯 ,  B·杜蒙特 ,  F·亚瑙德

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8232

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7838 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0705

摘要： 本申请涉及包括MOS晶体管的集成电路及其制造方法。一种包括FDSOI型MOS晶体管的集成电路包括形成在位于绝缘层上的半导体层的内部和顶部上的至少一个第一类型的逻辑MOS晶体管、至少一个第二类型的逻辑MOS晶体管以及至少一个该第一类型的模拟MOS晶体管，其中，这些逻辑晶体管的栅叠层依次包括栅极绝缘体层、第一氮化钛层、镧层和第二氮化钛层；并且该模拟晶体管的栅叠层包括除了该第一氮化钛层以外与这些逻辑晶体管的该栅叠层相同的层。一种制造这种器件的方法。

公开(公告)号：CN107799603A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710790406.8

申请日：2017-09-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴晙皙 ,  林志勋 ,  金宰范 ,  林俊亨 ,  孙暻锡

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/78648 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L2029/42388 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78696

摘要： 提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。

公开(公告)号：CN105549278B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201610016787.X

申请日：2016-01-11

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 徐向阳

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/122 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/103 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT‑LCD阵列基板。本发明的IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法，将像素电极和公共电极采用同一透明导电层制得，且像素电极和公共电极下方的绝缘保护层上设有数个相互平行的条状的沟道，像素电极与公共电极沿沟道两侧的凸台交替分布且延伸至沟道的侧壁上，从而增大了像素电极和公共电极在垂直于基板方向的面积，增加了水平电场，同时也增大了存储电容，进而提高了液晶面板的显示质量。