公开(公告)号：CN108022945A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710414084.7

申请日：2017-06-05

申请人： 群创光电股份有限公司

发明人： 朱伟正 ,  姜明甫 ,  刘佳秤 ,  李志原

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明公开一种显示装置及其形成方法。该显示装置包括基板，具有两相对的第一侧及第二侧；多个发光元件，设置于上述基板的第一侧；以及多个导电结构，自上述基板的第二侧延伸进入上述基板中，其中上述多个导电结构与多个发光元件电连接。

公开(公告)号：CN105158994B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201510640384.8

申请日：2015-09-30

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 孟林

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： G02F1/134309 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

摘要： 本发明提供一种像素单元及阵列基板，所述像素电极具有四个分支部，从而将像素区域分为四个显示畴区，有利于显示产品大视角色偏的改善，同时该像素电极的结构简单，制作工艺简单，有利于制造大尺寸、广视角显示产品。本发明提供的一种阵列基板，在水平方向上由数个像素单元组成，所述像素单元中的像素电极具有四个分支部，从而将像素区域分为四个显示畴区，有利于显示产品大视角色偏的改善，同时该像素电极的结构简单，制作工艺简单，有利于制造大尺寸、广视角显示产品。

公开(公告)号：CN107305306A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710260523.3

申请日：2017-04-20

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金润暲 ,  金贵铉 ,  金成烈 ,  李润锡 ,  任完淳

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G09G3/3677 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/7869 ,  G02F1/136227

摘要： 本发明涉及一种显示装置，该显示装置包括：基底；栅极驱动器，设置在基底上并且包括多个级；时钟信号线，设置在基底上并且将时钟信号传输至所述级中的至少一个级；晶体管，设置在基底上；以及遮光层，设置在基底与晶体管之间并且与晶体管重叠。时钟信号线包括第一导线和与第一导线重叠的第二导线，并且第一导线与遮光层设置在同一层。

公开(公告)号：CN106449651A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610816672.9

申请日：2016-09-12

申请人： 厦门天马微电子有限公司 ,  天马微电子股份有限公司

发明人： 蓝学新

IPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L27/1233 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696 ,  G02F1/1362

摘要： 本申请公开一种像素结构及显示装置。一种像素结构包括：扫描线，所述扫描线具有分支结构；半导体图案，所述半导体图案与所述扫描线和所述分支结构相交，所述半导体图案包括：第一沟道区，位于所述扫描线下方；第二沟道区，位于所述分支结构下方；掺杂区，位于所述第一沟道区和所述第二沟道区两侧，其中，所述第二沟道区的宽度小于所述第一沟道区的宽度。该像素结构可以提升显示屏的显示性能。

公开(公告)号：CN105788553A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610331196.1

申请日：2016-05-18

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 李亚锋

IPC分类号： G09G3/36

CPC分类号： G09G3/3677 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  G09G3/36 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0283 ,  G09G2310/0289 ,  G09G2310/08 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78672

摘要： 本发明提供的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，包括级联的多个GOA单元，每一级GOA单元均包括扫描控制模块、输出模块、下拉模块以及输出调节模块。引入了第九、第十、第十一、第十二薄膜晶体管组成的输出调节模块，无论是在正向扫描时还是反向扫描时，第四节点M(n)的电平随着第二时钟信号CK2在高、低电平之间跳变而发生同样的高、低电平跳变。相比于现有技术中输出端G(n)的高低电平主要是靠第二薄膜晶体管来实现，本发明提供的基于LTPS薄膜晶体管的GOA电路，在相同的时间内，一定程度上可以提高输出端G(n)的输出能力，提高面内Pixel的充电率，进而改善液晶面板的显示效果。

公开(公告)号：CN105572993A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610047658.7

申请日：2016-01-25

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 范广宝

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L29/78621

摘要： 本发明提供一种阵列基及液晶显示装置。阵列基板包括呈阵列分布的多个低温多晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管包括：基板及设置在基板同侧的低温多晶硅层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极、漏极、平坦层、第一透明导电层、第三绝缘层、第二透明导电层及连接金属层，低温多晶硅层、栅极、第二绝缘层依次层叠设置，源极及漏极设置在第二绝缘层上，并分别通过第二绝缘层上的第一贯孔与第二贯孔与连接低温多晶硅层相对的两端，平坦层、第一透明导电层、第三绝缘层及顶层导电层依次层叠设置，连接金属层通过第三绝缘层的第四贯孔连接第二透明导电层及漏极，其中，第一透明导电层为公共电极，第二透明导电层为像素电极。

公开(公告)号：CN105511175A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610059557.1

申请日：2016-01-28

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 虞晓江

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/133512 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133354 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/134381 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/104 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/133357

摘要： 本发明提供一种显示面板及其制作方法，通过在彩膜基板上靠近液晶层的一侧设置与黑色矩阵相对应的矩阵电极，由于矩阵电极与公共电极信号连接，因此矩阵电极和公共电极之间不存在电压差，无论在通电和不通电状态下，位于矩阵电极与阵列基板的公共电极之间的液晶层都不会发生偏转，一直呈不透光状态，使得面板相邻像素之间的光线不会产生干扰，消除了面板的大视角色偏，改善LTPS显示面板的显示品质。

公开(公告)号：CN105304500A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510703744.4

申请日：2015-10-26

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司 ,  武汉华星光电技术有限公司

发明人： 胡国仁

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1281 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/66492

摘要： 本发明提供一种N型TFT的制作方法，通过对遮光层进行栅格状图案化处理来控制多晶硅层的不同区域形成结晶差异，使得多晶硅层不同区域的结晶晶粒大小不同，进而仅通过一次离子掺杂制程使得多晶硅层不同区域在掺杂浓度相同的条件下由于晶粒大小不同而产生电阻率不同，实现等同于LDD结构的效果，能够使TFT具有较低的漏电流和较高的可靠性；同时由于只需要一次离子注入，能够节省制程时间和制造成本，减少多晶硅层的损伤，缩短活化时间，有利于柔性显示器的制作。

公开(公告)号：CN105261592A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510724613.4

申请日：2015-10-30

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 任维

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L21/32134 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136277 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/77

摘要： 本发明提供了一种降低表面粗糙度的低温多晶硅的制备方法，该制备方法包括：先对表面形成有非晶硅层的基板进行表面预处理，以在非晶硅层上形成一氧化层，之后进行第一次准分子激光退火处理，使非晶硅层形成多晶硅层；然后对多晶硅层进行酸清洗，以除去多晶硅层上的凸起物，最后再进行第二次准分子激光退火处理，得到表面粗糙度低的低温多晶硅。所述制备方法简单易操作，可以有效降低多晶硅的表面粗糙度，得到粗糙度低、表面均匀且结晶性能良好的低温多晶硅。本发明还提供了由上述方法制得的低温多晶硅。

公开(公告)号：CN105206569A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510697688.8

申请日：2015-10-23

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 田雪雁

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1296 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78675 ,  H01L27/1274

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以实现同时满足显示区和周边电路区对低温多晶硅薄膜晶体管的要求。阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上制作薄膜晶体管的步骤，其中，制作薄膜晶体管的步骤包括制作多晶硅层，具体包括：在衬底基板上形成一层非晶硅层，采用构图工艺形成位于显示区的第一非晶硅层和位于周边电路区的第二非晶硅层，使得第一非晶硅层的厚度小于第二非晶硅层的厚度；同时对第一非晶硅层和第二非晶硅层进行准分子激光退火，形成位于显示区的第一多晶硅层和位于周边电路区的第二多晶硅层，第一多晶硅层的晶粒尺寸小于第二多晶硅层的晶粒尺寸。