公开(公告)号：CN107634082B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201710570252.1

申请日：2017-07-13

Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

Inventor： 史文

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/77 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开一种主动发光显示面板及其制造方法。本发明设计主动发光显示面板的发光层发出红光或绿光，而非蓝光，由于红光光子和绿光光子的能量均低于蓝光光子的能量，不容易引起发光层中高分子有机材料的衰变，因此能够提高主动发光显示面板的使用寿命。

公开(公告)号：CN105870057B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610278667.7

申请日：2016-04-28

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 宁策 ,  杨维

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/477 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明实施例公开了一种阵列基板、其制作方法和显示装置。该方法包括：在基板的栅极驱动电路集成在阵列基板GOA区形成第一薄膜晶体管的第一氧化物半导体有源层；采用第一温度对所述第一氧化物半导体有源层进行第一时长的退火；形成覆盖所述第一氧化物半导体有源层的第一绝缘层；采用第二温度对所述第一氧化物半导体有源层进行第二时长的退火；其中，所述第二温度低于所述第一温度。该方案提高了该第一薄膜晶体管的正向偏压稳定性，延长了器件寿命。

公开(公告)号：CN109671670A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201710970476.1

申请日：2017-10-16

Applicant: 行家光电股份有限公司

Inventor： 陈杰

IPC: H01L21/77 ,  H01L25/075 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L21/77 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/48 ,  H01L2933/0033

Abstract: 本发明提出一种微元件的巨量排列方法，包含：使复数个微元件悬浮于液体表面，其中，该等微元件沿着相互垂直的一第一方向及一第二方向是以较大的初始间距相间隔；利用电磁作用力使悬浮于液体表面的该等微元件相接近，俾使该等微元件沿着第一方向及第二方向以较紧密的目标间距相间隔；以及使相接近且悬浮于液体表面的该等微元件转移设置于一承载基板上、并于第一方向及第二方向以相对应的目标间距相间隔排列。本发明另提出一种可执行上述方法的微元件排列系统。藉此，该等微元件可于承载基板上排列成一高精度的阵列。

公开(公告)号：CN105514035B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201610040572.1

申请日：2016-01-21

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 张占东 ,  汤富雄

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66492 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/77 ,  H01L27/085 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3225 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板，通过在非晶硅层的下方预先设置一层散热层，从而在对非晶硅层进行准分子激光退过处理后可使得驱动区域和显示区域的多晶硅的结晶存在差异，在驱动区域形成晶格尺寸较大的多晶硅，提高了电子迁移率；在显示区域的晶化过程中实现碎晶，形成晶格尺寸较小的多晶硅，保证了晶界均一性，提高了电流的均一性，从而满足了不同TFT的电性要求，提高了OLED发光的均一性。

公开(公告)号：CN108807484A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810654084.9

申请日：2018-06-22

Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司

Inventor： 张伟彬

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/32 ,  H01L21/77 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3241

Abstract: 本申请公开一种柔性显示面板及其制造方法。所述柔性显示面板的制造方法包括：在PI基底上涂布一层凝胶，所述凝胶中掺杂有滤光物，所述滤光物用于吸收激光退火工艺的激光；烧结所述凝胶，使其固化成为缓冲层；在缓冲层上采用激光退火工艺形成半导体层。基于此，本申请能够降低激光退火工艺对PI基底的损伤，避免其出现破孔。

公开(公告)号：CN108231824A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201611176024.8

申请日：2016-12-16

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

Inventor： 朱儒晖

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/56 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/77 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法，涉及显示技术领域，可减少制备OLED显示面板过程中，金属掩模板对发光单元的不良影响。该OLED显示面板，包括衬底、设置在所述衬底上的像素定义层，还包括设置在所述像素定义层远离所述衬底一侧的绝缘介质层；所述绝缘介质层的开口与所述像素定义层的开口在所述衬底的正投影重叠，且所述像素定义层的开口的边缘超出所述绝缘介质层的开口的边缘。

公开(公告)号：CN108231670A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201611159736.9

申请日：2016-12-15

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 朱猛剀

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/7833 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1207

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法，包括：首先提供一基底，该基底包含一第一半导体层、一绝缘层以及一第二半导体层，然后形成一主动元件于基底上，形成一层间介电层于基底及主动元件上，形成一掩模层于层间介电层上，去除部分掩模层、部分层间介电层以及部分绝缘层以形成一第一接触洞。接着形成一图案化掩模于掩模层上并填满第一接触洞，再去除部分掩模层及部分层间介电层以形成一第二接触洞暴露部分主动元件。

公开(公告)号：CN105720028B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201610080918.0

申请日：2016-02-04

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 李红 ,  陈立强

IPC: H01L23/488

CPC classification number: G09F9/301 ,  G09G3/20 ,  G09G2380/02 ,  H01L21/77 ,  H01L23/488 ,  H01L23/528 ,  H01L24/01 ,  H01L27/12 ,  H01L2224/06

Abstract: 本发明公开了一种覆晶薄膜、柔性显示面板及显示装置，由于柔性显示面板的绑定区域内中间区域的膨胀量小于两侧区域的膨胀量会导致中间区域内的输入垫间距小于两侧区域内的输入垫间距，因此，本发明通过将覆晶薄膜中位于不同区域内的输出垫设置为不同的形状，将中间区域内的输出垫设置为占用空间较小的形状，将两侧区域内的输出垫设置为占用空间较大的形状，可以使覆晶薄膜适应柔性显示面板的绑定区域中不同位置处的形变量，增加覆晶薄膜与柔性显示面板的绑定区域的压接面积，避免覆晶薄膜的输出垫与柔性显示面板的绑定区域内的输入垫发生对位错位的问题，提升覆晶薄膜与柔性显示面板的绑定良率。

公开(公告)号：CN105070739B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201510505813.0

申请日：2015-08-17

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

Inventor： 白娟娟 ,  吴海东 ,  马文昱

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/3211 ,  H01L21/77 ,  H01L27/3216 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/5265

Abstract: 本发明提供了一种显示背板及其制作方法、显示装置，该显示背板包括：基底、形成在基底上的背板辅助层、形成在背板辅助层上的亚像素；亚像素包括形成在背板辅助层之上的第一电极层、形成在第一电极层之上的电致发光材料层和形成在电致发光材料层上的第二电极层；所述背板辅助层具有多个凹槽，各个所述亚像素形成在相应凹槽中，不同颜色的所述亚像素所对应的凹槽的深度不同；不同颜色的亚像素具有与该亚像素对应颜色光线的微腔结构，不同颜色的亚像素的第二电极层位于同一平面上。这样在制作过程中，可以在同一平面上形成各个亚像素位置处的第二电极层，从而能够有效避免由于在不同平面上沉积第二电极层材料导致所形成的第二电极层断裂的问题。

公开(公告)号：CN108074978A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711129145.1

申请日：2017-11-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.M.赖特 ,  F.沃尔特

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/082 ,  H01L27/06 ,  G01R1/30

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L21/77 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/088 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/7395 ,  H03K17/0828 ,  H03K2017/0806 ,  H03K2217/0027

Abstract: 半导体器件包括多个正向导通绝缘栅双极晶体管单元。多个正向导通绝缘栅双极晶体管单元被配置为在半导体器件的正向操作模式中导通电流，并且在半导体器件的反向操作模式中阻断电流。此外，半导体器件包括多个反向导通绝缘栅双极晶体管单元。多个反向导通绝缘栅双极晶体管单元被配置为在正向操作模式中和反向操作模式中都导通电流。