公开(公告)号：CN115498028A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211306654.8

申请日：2018-02-26

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 山口阳平 ,  铃村功

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/49 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明涉及显示装置。要解决的课题在于提高使用氧化物半导体的TFT的可靠性。显示装置的特征在于，包含具有形成有多个像素的显示区域的基板，所述像素包含使用了第一氧化物半导体(12)的第一TFT，在所述第一氧化物半导体(12)之上，形成第一栅极绝缘膜(13)，所述第一栅极绝缘膜(13)由第一硅氧化膜(131)与第一铝氧化膜(132)的层叠构造形成，在所述第一铝氧化膜(131)之上形成有第一栅电极(14)。

公开(公告)号：CN108695362A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810159539.X

申请日：2018-02-26

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 山口阳平 ,  铃村功

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/10 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/14692 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及显示装置。要解决的课题在于提高使用氧化物半导体的TFT的可靠性。显示装置的特征在于，包含具有形成有多个像素的显示区域的基板，所述像素包含使用了第一氧化物半导体(12)的第一TFT，在所述第一氧化物半导体(12)之上，形成第一栅极绝缘膜(13)，所述第一栅极绝缘膜(13)由第一硅氧化膜(131)与第一铝氧化膜(132)的层叠构造形成，在所述第一铝氧化膜(131)之上形成有第一栅电极(14)。

公开(公告)号：CN105261653B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510411819.1

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  石田有亲 ,  植村典弘 ,  三宅秀和 ,  三宅博都 ,  山口阳平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288

Abstract: 根据实施方式，显示装置具备在绝缘基板(15)之上设置的薄膜晶体管(TR)。薄膜晶体管具有栅电极(GE)、在栅电极上设置的绝缘层(12)、在绝缘层上设置的至少一部分与栅电极重叠的半导体层(SC)、以及与半导体层的至少一部分接触而设置的源电极(SE)及漏电极(DE)。源电极、漏电极分别具有位于半导体层侧的下层、以Al为主成分的中间层、以及上层的层叠构造。源电极、漏电极的侧壁具有上层侧的第1锥部(22a)、下层侧的第2锥部(22b)、以及与第2锥部接触的侧壁保护膜(24)，第1锥部的锥角小于第2锥部的锥角。

公开(公告)号：CN105278196B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510408263.0

申请日：2015-07-13

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  石田有亲 ,  植村典弘 ,  三宅博都 ,  铃村功 ,  山口阳平

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。

公开(公告)号：CN111430409B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201911403498.5

申请日：2019-12-31

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 山口阳平

IPC: H10K59/131 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明实现具有用于确保所层叠的不同的导电层间的导通的接触构造的配线构造体、使用了该配线构造体的半导体器件和使用了该半导体器件的显示装置。配线构造体包括：具有图案的构造物；第1导电层，其在上述构造物的上方以横穿上述构造物的图案的边缘的方式设置，具有反映出上述构造物的图案的边缘的台阶的形状；第1绝缘层，其设置在上述第1导电层的上方，具有俯视时与上述构造物的图案的边缘重叠的第1开口；和第2导电层，其设置在上述第1开口的内部，与上述第1导电层相连接。

公开(公告)号：CN109427874B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201810879070.7

申请日：2018-08-03

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 山口阳平

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明要解决的课题为提供一种能够防止在使用氧化物半导体的薄膜晶体管中从氧化物半导体中发生的氧脱离、并且特性稳定的薄膜晶体管。本发明的显示装置具有形成有使用氧化物半导体(104)的TFT的TFT基板，所述显示装置的特征在于，所述氧化物半导体(104)形成在由氧化硅膜形成的第一绝缘膜(103)之上，氧化物半导体(104)和氧化铝膜(50)均直接形成在所述第一绝缘膜(103)之上。

公开(公告)号：CN107403806B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201710266582.1

申请日：2017-04-21

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  渡部一史 ,  石井良典 ,  三宅秀和 ,  山口阳平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及显示装置。能够在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，包含具有形成有像素的显示区域的基板，其特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体(109)的第一TFT，在所述氧化物半导体(109)之上形成作为绝缘物的氧化膜(110)，所述氧化膜(110)之上形成栅电极(111)，在所述第一TFT的漏极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第一通孔而连接第一电极(115)，在所述第一TFT的源极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第二通孔而连接第二电极(116)。

公开(公告)号：CN109427874A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810879070.7

申请日：2018-08-03

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 山口阳平

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明要解决的课题为提供一种能够防止在使用氧化物半导体的薄膜晶体管中从氧化物半导体中发生的氧脱离、并且特性稳定的薄膜晶体管。本发明的显示装置具有形成有使用氧化物半导体(104)的TFT的TFT基板，所述显示装置的特征在于，所述氧化物半导体(104)形成在由氧化硅膜形成的第一绝缘膜(103)之上，氧化物半导体(104)和氧化铝膜(50)均直接形成在所述第一绝缘膜(103)之上。

公开(公告)号：CN105278196A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510408263.0

申请日：2015-07-13

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  石田有亲 ,  植村典弘 ,  三宅博都 ,  铃村功 ,  山口阳平

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。

公开(公告)号：CN108695362B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201810159539.X

申请日：2018-02-26

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 山口阳平 ,  铃村功

IPC: H01L27/32

Abstract: 本发明涉及显示装置。要解决的课题在于提高使用氧化物半导体的TFT的可靠性。显示装置的特征在于，包含具有形成有多个像素的显示区域的基板，所述像素包含使用了第一氧化物半导体(12)的第一TFT，在所述第一氧化物半导体(12)之上，形成第一栅极绝缘膜(13)，所述第一栅极绝缘膜(13)由第一硅氧化膜(131)与第一铝氧化膜(132)的层叠构造形成，在所述第一铝氧化膜(131)之上形成有第一栅电极(14)。