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公开(公告)号：CN115472628A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210560855.4
申请日：2022-05-23
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供能够实现高分辨率的显示装置。显示装置包括半导体层(SC1)、第1绝缘层(14)、栅极电极(GE1)、第2绝缘层(15)、第3绝缘层(18)、滤色片(CF)和具有像素电极(PE)、第1导电层(TE1)和第2导电层(TE2)的多个透明导电层(TE)。所述第1导电层位于所述第2绝缘层与所述第3绝缘层之间，通过形成于所述第1绝缘层和所述第2绝缘层的第1接触孔(h7)而与半导体层(SC1)的第2区域接触。所述第2导电层位于滤色片(CF)之上，与所述第1导电层接触。像素电极(PE)位于所述第2导电层之上，与所述第2导电层接触。
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公开(公告)号：CN110045535A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910037539.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02F1/133
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。本发明的课题为实现柔性的液晶显示装置。本发明的解决手段为液晶显示装置，其为将液晶(300)夹持于显示区域与由树脂形成的对置基板(200)之间而成的液晶显示装置，所述显示区域在包含无机绝缘膜的TFT布线层(60)上形成有多个具有TFT的像素，所述液晶显示装置的特征在于，在所述TFT布线层(60)上粘接有下偏振片(401)，夹持所述液晶(300)而在所述对置基板(200)上粘接有上偏振片(402)。
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公开(公告)号：CN107403806A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710266582.1
申请日：2017-04-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 本发明涉及显示装置。能够在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，包含具有形成有像素的显示区域的基板，其特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体(109)的第一TFT，在所述氧化物半导体(109)之上形成作为绝缘物的氧化膜(110)，所述氧化膜(110)之上形成栅电极(111)，在所述第一TFT的漏极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第一通孔而连接第一电极(115)，在所述第一TFT的源极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第二通孔而连接第二电极(116)。
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公开(公告)号：CN104733539A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410798404.X
申请日：2014-12-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L21/02071 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/32138 , H01L21/32139 , H01L21/473 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种能够抑制初期Vth损失及Vth偏移的底栅·沟道蚀刻型薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有：配置在衬底(101)上的栅极电极布线(102)、栅极绝缘膜(103)、成为沟道层的氧化物半导体层(104)、源极电极布线(105a)与第一硬掩模层(106a)的层叠膜、漏极电极布线(105b)与第二硬掩模层的层叠膜、和保护绝缘膜(107)。
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公开(公告)号：CN103633098A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310307336.8
申请日：2013-07-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L33/0041 , H01L21/77 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119317337A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410925292.3
申请日：2024-07-10
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及光检测装置及其制造方法。课题在于提供容易进行有机层的图案化、且品质提高的光检测装置及其制造方法。光检测装置包括：下部结构；设置在前述下部结构之上的1个以上的公共布线连接部及1个以上的像素电极；有机光电转换层，其以在前述1个以上的像素电极之上重叠、并且与前述1个以上的公共布线连接部不重叠的方式设置；和透明电极层，其以与前述有机光电转换层重叠、并且在前述1个以上的公共布线连接部之上也重叠的方式设置，前述透明电极层之中，与前述1个以上的像素电极重叠的部分比其他部分厚。
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公开(公告)号：CN114902127B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080091333.3
申请日：2020-11-20
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1339 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H10K50/84 , H10K50/805 , H10K59/12 , H05B33/06
Abstract: 本发明涉及显示装置及液晶显示装置，目的在于，应对在超高精细显示装置中用于连接TFT和像素电极的、形成于有机钝化膜的通孔内的电极图案化不良。为了实现这一点，本发明采用如下构成：一种显示装置，在基板100上形成有TFT(薄膜晶体管)，覆盖所述TFT形成有有机钝化膜120，在所述有机钝化膜120上形成有第一像素电极122、第一公共电极124、第二像素电极127、第二公共电极129，其特征在于，所述第一像素电极122通过形成于所述有机钝化膜120的通孔121与所述TFT连接，所述通孔121由填料50填充，所述第二像素电极127的端部存在于所述填料50的上侧。
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公开(公告)号：CN115326114A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210498201.3
申请日：2022-05-09
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G01D5/26
Abstract: 根据一实施方式，传感器装置具备：绝缘基材，具有蛇行的带状部和与上述带状部连接的岛状部；第1无机绝缘膜，配置在上述岛状部之上；第1布线层，配置在上述第1无机绝缘膜之上；第2无机绝缘膜，配置在上述第1布线层之上；第2布线层，配置在上述第2无机绝缘膜之上；有机绝缘膜，配置在上述第2布线层之上；阻挡膜，由无机绝缘材料形成，将上述有机绝缘膜覆盖；传感器元件，配置在上述阻挡膜之上；以及密封膜，由无机绝缘材料形成，将上述传感器元件覆，上述传感器元件是有机光电二极管，上述阻挡膜将上述有机绝缘膜的侧面覆盖，上述密封膜在上述传感器元件的外侧与上述阻挡膜及上述第2无机绝缘膜相接。
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公开(公告)号：CN114902127A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080091333.3
申请日：2020-11-20
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1339 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/06
Abstract: 本发明涉及显示装置及液晶显示装置，目的在于，应对在超高精细显示装置中用于连接TFT和像素电极的、形成于有机钝化膜的通孔内的电极图案化不良。为了实现这一点，本发明采用如下构成：一种显示装置，在基板100上形成有TFT(薄膜晶体管)，覆盖所述TFT形成有有机钝化膜120，在所述有机钝化膜120上形成有第一像素电极122、第一公共电极124、第二像素电极127、第二公共电极129，其特征在于，所述第一像素电极122通过形成于所述有机钝化膜120的通孔121与所述TFT连接，所述通孔121由填料50填充，所述第二像素电极127的端部存在于所述填料50的上侧。
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公开(公告)号：CN107403806B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201710266582.1
申请日：2017-04-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 本发明涉及显示装置。能够在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，包含具有形成有像素的显示区域的基板，其特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体(109)的第一TFT，在所述氧化物半导体(109)之上形成作为绝缘物的氧化膜(110)，所述氧化膜(110)之上形成栅电极(111)，在所述第一TFT的漏极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第一通孔而连接第一电极(115)，在所述第一TFT的源极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第二通孔而连接第二电极(116)。
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