公开(公告)号：CN107134255B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201710165848.3

申请日：2013-05-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 北泽幸行 ,  野村猛

IPC: G09G3/3208

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L33/0041

Abstract: 本发明涉及电光装置以及电子设备。其中，电光装置具有相互交叉的扫描线以及数据线；与上述扫描线和上述数据线的交叉对应地设置的像素电路；和供给规定的电位的电源布线。上述像素电路具备发光元件和对流过上述发光元件的电流进行控制的驱动晶体管，上述驱动晶体管的栅极电极经由第1中继电极与规定的节点电连接。上述第1中继电极与上述电源布线以及上述数据线形成于同一层，并且上述第1中继电极的至少三侧被上述电源布线包围。

公开(公告)号：CN104867948B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201510315475.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 包智颖 ,  姜文博 ,  王世君 ,  吕振华

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L21/77

CPC classification number: G09G5/10 ,  G09G3/3406 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/0626 ,  G09G2360/144 ,  H01L27/12 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/1136 ,  H01L31/153 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0041 ,  H01L33/02 ,  H01L2933/0033 ,  H05B33/145

Abstract: 本发明是关于一种阵列基板及其制造方法、控制方法、控制组件和显示装置，属于显示技术领域。所述阵列基板包括：衬底基板上形成的薄膜晶体管和至少一个感光结构，感光结构与薄膜晶体管的漏极电连接，用于感知外界光强；在形成有薄膜晶体管和至少一个感光结构的衬底基板上形成有包括公共电极的图案。本发明通过在阵列基板上形成感光结构，并通过感光结构来感知外界光强；解决了相关技术中需要通过外部安装的感光单元才能够获取外部光强，显示亮度的自动调节功能的实现成本较高的问题；达到了降低显示亮度的自动调节功能的实现成本的效果。

公开(公告)号：CN103137616B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201110383609.8

申请日：2011-11-25

Applicant: 上海天马微电子有限公司

Inventor： 陈浩 ,  马骏 ,  吴天一

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/1343 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/136218 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/78633 ,  H01L33/0041

Abstract: 一种TFT阵列基板及其形成方法，显示面板，TFT阵列基板包括：基底；位于基底上的TFT开关阵列，TFT开关阵列包括多根扫描线、与多根扫描线交叉的多根数据线、多个TFT开关，每一TFT开关包括：与扫描线电连接的栅极、与数据线电连接的源极、漏极；位于基底上的像素电极阵列，每一像素电极与对应的漏极电连接；像素电极阵列中至少具有一个第一像素电极，其中每一第一像素电极至少与扫描线和数据线的其中之一具有交叠部分；在交叠部分，第一像素电极和与之交叠的扫描线和/或数据线之间设置有屏蔽电极层。本技术方案可以提高像素开口率，而且制造工艺简单。

公开(公告)号：CN103872061B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310611602.6

申请日：2013-11-26

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 梁埈荣

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/50 ,  H01L21/84 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/44 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/0041

Abstract: 阵列基板及其制造方法。一种阵列基板包括：氧化物半导体层；蚀刻阻止件，其包括将氧化物半导体层的两个侧面中的每一个侧面露出的第一接触孔；彼此隔开的源极和漏极，氧化物半导体层位于源极与漏极之间；包括接触孔的第一钝化层，接触孔将氧化物半导体层的两个端部中的每一个端部以及源极和漏极的分别与氧化物半导体层的两个端部相对的每一个端部露出；以及连接图案，其在所述第二接触孔处与源极和漏极中的每一个以及氧化物半导体层相接触。

公开(公告)号：CN105303985A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510823916.1

申请日：2015-11-24

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 樊勇

IPC: G09F9/33 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L33/26 ,  G09F9/33 ,  G09G3/3208 ,  G09G5/02 ,  G09G5/10 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2300/0465 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/064 ,  G09G2320/0666 ,  G09G2330/023 ,  G09G2340/06 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/0041 ,  H01L33/34 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H05B33/0857 ,  G09G3/32

Abstract: 一种石墨烯显示器，包括石墨烯显示单元以及与所述石墨烯显示单元电连接的显示控制单元。所述石墨烯显示单元包括多个石墨烯发光结构，所述石墨烯发光结构构成所述石墨显示单元的动态亚像素。所述显示控制单元用于对所述石墨烯显示单元的像素进行多基色色域划分，所述色域划分与像素色度坐标具有匹配关系，所述显示控制单元依据输入的像素色度坐标控制所述动态亚像素发出相应颜色的光。本发明还涉及一种用于驱动所述石墨烯显示器的显示驱动方法。所述石墨烯显示器及其显示驱动方法通过驱动动态像素能够以较少的像素实现多基色显示，实现所述石墨烯显示器具有更为鲜艳、广阔的色域覆盖，提高所述石墨烯显示器的开口率并降低功耗。

公开(公告)号：CN105185884A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510320484.2

申请日：2015-06-11

Applicant: 上海电力学院

Inventor： 汤乃云

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0037 ,  H01L33/0041 ,  H01L33/005 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明涉及一种柔性二维材料发光器件，该发光器件从下到上依次包括柔性衬底层(1)、第一金属层、介质层(4)、二维半导体材料层(5)，以及设置在介质层(4)上并位于二维半导体材料层(5)两端的第二金属层。与现有技术相比，本发明具有便携性好、光电响应速度快、集成密度高、加工性能好、成本低等优点。

公开(公告)号：CN104460143A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310424654.2

申请日：2013-09-17

Applicant: 瀚宇彩晶股份有限公司

Inventor： 胡宪堂 ,  赵长明 ,  康沐楷 ,  赖瑞麒

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L23/50 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L33/0041 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种像素结构及其制造方法。此像素结构包括扫描线、数据线、薄膜晶体管、第一电极层、保护层及第二电极层。薄膜晶体管与扫描线及数据线电连接，且其包括栅极、氧化物半导体层、绝缘层、源极及漏极。氧化物半导体层位于栅极上。绝缘层覆盖氧化物半导体层的通道区。源极及漏极位于绝缘层上，且分别与氧化物半导体层电连接。第一电极层与氧化物半导体层为相同膜层，由扫描线与数据线环绕。保护层覆盖源极及漏极。第二电极层位于第一电极层上，且保护层位于第一电极层与第二电极层之间，其中第一电极层及第二电极层中其中一个与薄膜晶体管电连接，且另一个连接至共用电压，且其中第二电极层具有暴露出第一电极层的面积的多个狭缝。

公开(公告)号：CN103503054A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021113.9

申请日：2012-11-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东宽史 ,  日高义晴 ,  细野信人

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L2924/0002 ,  H05B33/10 ,  H01L2924/00

Abstract: EL显示装置设置有：在一对的电极之间配置有发光层的发光部；和控制发光部的发光的薄膜晶体管阵列装置。另外，在发光部与薄膜晶体管阵列装置之间配置层间绝缘膜，并且发光部的一方的电极通过层间绝缘膜的接触孔而与薄膜晶体管阵列装置电连接。薄膜晶体管阵列装置具有由铜或铜合金构成的布线构件，该布线构件设置有：由铜或铜合金构成的下层图案(41)；和以覆盖该下层图案(41)的上面及端面的方式形成并且由与下层图案(41)不同种类的金属材料构成的上层图案(42)。

公开(公告)号：CN102947871A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180030012.3

申请日：2011-06-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L33/0041

Abstract: 本发明的TFT基板(100A)包括：在基板上形成的薄膜晶体管、栅极配线(3a)和源极配线(13as)；和将薄膜晶体管和外部配线电连接的第一端子和第二端子(40a、40b)。第一端子包括第一栅极端子部(41a)和第一像素电极配线(29a)。第一像素电极配线在设置于绝缘膜(5)的第一开口部(27c)内与第一栅极端子部接触，且覆盖第一开口部中的绝缘膜的端面。第二端子包括第二栅极端子部(41b)和第二像素电极配线(29b)。第二像素电极配线在设置于绝缘膜的第二开口部(27d)内与第二栅极端子部接触，且覆盖第二开口部中的绝缘膜的端面。

公开(公告)号：CN102810304A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210282801.2

申请日：2012-08-09

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

Inventor： 胡明

IPC: G09G3/36

CPC classification number: H01L33/0041 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134372 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0251

Abstract: 本发明公开了一种像素单元、像素结构、显示装置以及像素驱动方法，以解决现有技术中需要对输入到每一条数据线的数据信号都需要改变电压，功耗较大的问题。本发明中提供的像素单元中，改变了利用双栅技术的像素单元中，相邻像素中像素电极与公共电极的位置，并由该像素单元组成的阵列构成像素结构，并对应像素结构提供相应的像素驱动方法，实现像素点翻转或列翻转时，无需改变输入到每条数据线的数据信号的电压极性，降低了功耗。