一种基于二维材料制备的场效应晶体管

    公开(公告)号:CN109830533A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201910093297.3

    申请日:2019-01-30

    Inventor: 汤乃云 马逸晨

    Abstract: 本发明涉及一种基于二维材料制备的场效应晶体管,包括从下到上依次布置的衬底、上表面具有下凹槽的二氧化硅介质层、以及布置在二氧化硅介质层上并覆盖住所述下凹槽的二维材料层,在二维材料层沿下凹槽走向的两端部区域分别设置有一个有机材料体,在二维材料层沿垂直下凹槽走向的两侧区域分别生长一个金属电极。与现有技术相比,本发明的场效应晶体管当对有机材料进行辐照时,会产生局部加热,导致有机材料发生缩聚反应,从而对下方二维材料产生了应力,进而使得二维材料禁带宽度减小,电子迁移率提高,二维材料场效应晶体管性能进一步提升,此外,制备方法简便,产品电子迁移率高、稳定性好等。

    一种利用局部应力制备二维柔性发光阵列的方法

    公开(公告)号:CN109817770A

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201910074028.2

    申请日:2019-01-25

    Inventor: 汤乃云 张伟

    Abstract: 本发明涉及一种利用局部应力制备二维柔性发光阵列的方法,包括以下步骤:(1)采用柔性材料作为衬底;(2)在衬底上沉积一层金属材料;(3)对步骤(2)中沉积金属材料后的衬底进行微波退火,使得金属材料在衬底上形成金属岛;(4)继续在步骤(3)形成的金属岛上转移一层二硒化钨层,即完成。与现有技术相比,本发明可以实现对于发光阵列中发光单元进行控制和选择,同时,器件可随意弯曲折叠,在弯折后器件的电学性能保持不变,满足在某些极限或特殊情况下的应用需求,更可满足便携式电子产品对小型化电源的技术需求。

    一种电场可控的二维材料肖特基二极管

    公开(公告)号:CN108493255A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810159396.2

    申请日:2018-02-26

    CPC classification number: H01L29/872 H01L29/24

    Abstract: 本发明涉及一种电场可控的二维材料肖特基二极管,包括衬底层,衬底层自下而上依次设置金属层、高介电常数材料层和单层二维半导体材料层,单层二维半导体材料层的两端分别设置金属电极A和金属电极B,单层二维半导体材料层的上部部分区域设置多层二维半导体材料层,多层二维半导体材料层与金属电极B接触。与现有技术相比,本发明肖特基二极管节省单元器件的占有空间,有利于器件高密度发展;利用外加电场诱导铁电材料极化电场激发大量载流子从而促使二维材料相变,诱导相变方法简单、可控、成本低;施加外加电场时,单层二维材料发生半导体到金属相变,实现金属电极与单层二维半导体材料的接触转变为欧姆接触,降低肖特基二极管寄生电阻。

    一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法

    公开(公告)号:CN108376738A

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201810161404.7

    申请日:2018-02-27

    Abstract: 本发明涉及一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法,包括以下步骤:(1):首先,在二维相变材料表面生长一层金属薄膜;(2):接着,对二维相变材料进行退火,使得金属薄膜吸收热量转变为纳米金属颗粒;(3):最后,将退火后的二维相变材料转入微波腔体,微波处理,即实现二维相变材料发生半导体-金属相变。与现有技术相比,本发明使用纳米金属颗粒辅助微波诱导二维半导体材料发生相变,方法简单易实现,特别是在具有二维相变材料的电子器件中可简单容易的实现相变过程,因而在电子行业具有广泛的应用价值和前景。

    一种基于金属纳米结构的光吸收增强型石墨烯晶体管

    公开(公告)号:CN105023969B

    公开(公告)日:2018-02-02

    申请号:CN201510319639.0

    申请日:2015-06-11

    Inventor: 汤乃云

    Abstract: 本发明涉及一种基于金属纳米结构的光吸收增强型石墨烯晶体管,包括由下到上依次设置的柔性衬底、金属电极层、介质层、石墨烯层及金属纳米颗粒层,在所述石墨烯层两端分别生长第一金属电极与第二金属电极,所述金属电极层为栅极,第一金属电极为源极,第二金属电极为漏极,构成MOS结构;所述第一金属电极和第二金属电极之间设有提供偏压的电压源,通过调节所述偏压来调制所述石墨烯层的光电流。相对传统的硅基晶体管,本发明可实现柔性探测,便于携带,可伸缩,塑性强,可应用在众多新型领域,具有广阔的应用前景。

    一种可弯曲折叠的异质柔性热电转换器件

    公开(公告)号:CN104934526B

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201510319637.1

    申请日:2015-06-11

    Inventor: 汤乃云

    Abstract: 本发明涉及一种可弯曲折叠的异质柔性热电转换器件,该异质柔性热电转换器件包括柔性衬底、依次生长在柔性衬底上的介质层及异质结构,该异质结构包括由下向上交叠设置的石墨烯层及二维半导体晶体层,石墨烯层一端生长第一金属电极,二维半导体晶体层一端生长第二金属电极,并且第一金属电极与第二金属电极之间相互隔离;工作时,在外界热源的辐射下,石墨烯层与二维半导体晶体层的交叠区域产生温度梯度,引起塞贝克效应,产生开路电压,并进行热电转换。与现有技术相比,本发明整体结构简单、紧凑,可弯曲折叠,具有超高的塞贝克系数及热电价值,能应用于可穿戴设备及其它柔性电子应用领域,具有广泛应用前景。

    一种具有高开关电流比的石墨烯晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN105023950A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201510319636.7

    申请日:2015-06-11

    Inventor: 汤乃云

    CPC classification number: H01L29/78684 H01L21/0405 H01L29/1606 H01L29/66045

    Abstract: 本发明涉及一种具有高开关电流比的石墨烯晶体管及其制备方法,该石墨烯晶体管包括衬底层、由下向上依次生长在衬底层上的金属电极层、介质层、石墨烯沟道层以及金属纳米颗粒层,所述的石墨烯沟道层两端分别设有第一金属电极及第二金属电极,所述的金属电极层为栅极,所述的第一金属电极为源极,所述的第二金属电极为漏极。与现有技术相比,本发明结构简单,工艺条件温和,有效解决了石墨烯晶体管低开关电流比的问题,同时保持了石墨烯晶体管高导电特性,具有广泛应用前景。

    一种可弯曲折叠的异质柔性热电转换器件

    公开(公告)号:CN104934526A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510319637.1

    申请日:2015-06-11

    Inventor: 汤乃云

    Abstract: 本发明涉及一种可弯曲折叠的异质柔性热电转换器件,该异质柔性热电转换器件包括柔性衬底、依次生长在柔性衬底上的介质层及异质结构,该异质结构包括由下向上交叠设置的石墨烯层及二维半导体晶体层,石墨烯层一端生长第一金属电极,二维半导体晶体层一端生长第二金属电极,并且第一金属电极与第二金属电极之间相互隔离;工作时,在外界热源的辐射下,石墨烯层与二维半导体晶体层的交叠区域产生温度梯度,引起塞贝克效应,产生开路电压,并进行热电转换。与现有技术相比,本发明整体结构简单、紧凑,可弯曲折叠,具有超高的塞贝克系数及热电价值,能应用于可穿戴设备及其它柔性电子应用领域,具有广泛应用前景。

    一种基于拉曼散射无创血液酒精含量的检测方法及系统

    公开(公告)号:CN104597031A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201510032948.X

    申请日:2015-01-22

    Inventor: 汤乃云 崔明仁

    Abstract: 本发明涉及一种基于拉曼散射无创血液酒精含量的检测方法及系统,所述检测方法包括以下步骤:采用透反射方式采集一组已知浓度的酒精溶液血液样品的拉曼散射光谱信息,建立血液酒精浓度与拉曼散射光谱的拉曼峰强度间的定量数学关系,形成校准模型;对所述校准模型进行训练并获得最优校准模型;采用透反射方式采集待检测人体血液的拉曼散射光谱信息,建立待测样本集;通过小波分析法对获得的待测样本集进行去噪声处理;将待测样本集作为所述最优校准模型的输入,获得检测人体血液的酒精浓度预测值;所述检测系统包括依次连接的激光发射模块、信号接收模块、信号处理模块和数字显示模块。与现有技术相比,本发明具有快速、实时、无创等优点。

    可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件

    公开(公告)号:CN109698260B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN201910092280.6

    申请日:2019-01-30

    Inventor: 汤乃云 杨正茂

    Abstract: 本发明涉及一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件,包括衬底、生长在衬底上的二氧化硅介质层,以及生长在二氧化硅介质层且相互隔离的三块硅薄膜区域,所述三块硅薄膜中的其中两块上分别生长一个金属电极,另一块与其中一块生长有金属电极的硅薄膜区域之间设置有一层二维材料。与现有技术相比,本发明制备得到的的器件制作方法简便、易于操作,能够精确控制二维材料发光强度和峰位,可以提供有利的光源,具有广泛的应用前景。

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