公开(公告)号：CN118983274A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411448316.7

申请日：2024-10-17

申请人： 杭州合盛微电子有限公司

发明人： 李庆瑞 ,  黄家明 ,  田洪涛 ,  张浩翔 ,  罗烨栋

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16

摘要： 本申请公开了半导体器件接触孔的制备方法，包括以下步骤：S1.提供待制备接触孔的晶圆基底，在晶圆基底上形成光刻胶层；S2.对光刻胶层行曝光和显影处理，制得初始接触孔，初始接触孔底部的宽度大于顶部的宽度；S3.以形成初始接触孔的光刻胶层为掩膜板刻蚀晶圆基底，在初始接触孔下方的晶圆基底上形成接触孔。本申请的接触孔制备方法，有利于得到开口尺寸较大的接触孔，从而有利于改善金属材料在接触孔内的填充，减少空洞的产生。

公开(公告)号：CN118971856A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411030875.6

申请日：2016-08-18

申请人： 安世有限公司

发明人： 马塞厄斯·罗斯 ,  简·雄斯基

IPC分类号： H03K17/687 ,  H01L27/02 ,  H01L29/16 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8236 ,  H01L29/20 ,  H01L29/872 ,  H02M3/158 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/51

摘要： 半导体装置(200)包括：管芯源极端(222)、管芯漏极端(224)和管芯栅极端(226)；半导体管芯(202)；提供于该半导体管芯上的绝缘栅极耗尽型晶体管(203)，该绝缘栅极耗尽型晶体管包括耗尽源极端(204)、耗尽漏极端(206)和耗尽栅极端(208)，其中该耗尽漏极端耦合到该管芯漏极端且该耗尽栅极端耦合到该管芯源极端；增强型晶体管(213)，该增强型晶体管(213)包括增强源极端(214)、增强漏极端(216)和增强栅极端(218)，其中该增强源极端耦合到该管芯源极端，该增强栅极端耦合到该管芯栅极端并且该增强漏极端耦合到该耗尽源极端；以及箝位电路(230)，该箝位电路(230)耦合在该耗尽源极端与该耗尽栅极端之间。

公开(公告)号：CN118943203A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411043488.6

申请日：2024-07-31

申请人： 西安交通大学

发明人： 张明辉 ,  王宏兴 ,  王玮 ,  陈根强 ,  问峰 ,  林芳 ,  王艳丰 ,  张鹏飞

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/165 ,  H01L29/16 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种锗终端金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述锗终端金刚石场效应晶体管中，单晶金刚石衬底上形成有锗终端金刚石导电沟道；锗终端金刚石导电沟道上设置有源电极和漏电极，源电极、漏电极均与锗终端金刚石导电沟道形成欧姆接触；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间区域之外裸露的锗终端金刚石导电沟道区域设置为氧终端区域；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的锗终端金刚石导电沟道上设置有介质层；介质层上设有栅电极。本发明采用锗终端金刚石导电沟道的技术手段，场效应晶体管具有稳定性好、界面态密度低、载流子迁移率高的优点。

公开(公告)号：CN118943195A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411010636.4

申请日：2024-07-26

申请人： 强华时代(成都)科技有限公司

发明人： 汪志刚 ,  黄孝兵 ,  钟驰宇 ,  余建祖 ,  张卓 ,  熊琴

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

摘要： 本发明公开了一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件，属于半导体器件技术领域，包括多层JFET区域模块；所述多层JFET区域模块包括从下到上依次堆叠的第一JFET区域层、第二JFET区域层和第三JFET区域层；所述第一JFET区域层的宽度和第三JFET区域层的宽度均大于第二JFET区域层的宽度；所述第一JFET区域层、第二JFET区域层和第三JFET区域层均为n型掺杂区域；所述第一JFET区域层和第二JFET区域层的n型掺杂浓度均大于第三JFET区域层的n型掺杂浓度；所述第二JFET区域层的n型掺杂浓度大于第一JFET区域层的n型掺杂浓度。本发明解决了碳化硅场效应管器件长期使用可靠性不足的问题。

公开(公告)号：CN118943177A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411011401.7

申请日：2024-07-25

申请人： 上海瑞能微澜半导体科技有限公司

发明人： 王辉 ,  章剑锋

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

摘要： 本申请实施例提供一种功率器件及其制备方法，功率器件包括依次层叠设置的外延层、栅介质层、栅极及发射极；外延层包括漂移区及通过漂移区间隔设置的多个阱区，阱区包括第一导电类型的第一阱区和第二阱区以及第二导电类型的第三阱区，第一阱区经由第二阱区与发射极耦合，第三阱区形成于第一阱区内并与发射极耦合，阱区设有贯穿第一阱区和第三阱区的沟槽；栅介质层包括设于沟槽的内壁并与第一阱区连接的第一栅介质层以及与第一栅介质层和第一阱区连接的第二栅介质层。根据本申请的实施例能够降低功率器件正向导通状态下的电阻及提高功率器件正向导通状态下的功率密度。

公开(公告)号：CN118922912A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380026936.9

申请日：2023-03-10

申请人： 索泰克公司

发明人： H·比亚尔 ,  A·波捷 ,  M·费拉托 ,  P·勒费夫尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/18 ,  C23C16/00 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/04 ,  H01L29/16

摘要： 本发明涉及一种用于制造微电子组件的复合结构，其包括设置在多晶碳化硅支撑衬底上的单晶薄膜，所述支撑衬底具有优选的晶体取向，其中：‑C422织构系数小于30％；以及‑C220织构系数大于60％，或C111+C222+C511织构系数的总和大于70％。本发明还涉及制造这种复合结构的方法。

公开(公告)号：CN118908192A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411008377.1

申请日：2024-07-26

申请人： 南开大学深圳研究院 ,  南开大学

发明人： 徐文涛 ,  孙铭欣

IPC分类号： C01B32/184 ,  C01B32/194 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  H01L29/16 ,  H01L29/06

摘要： 本发明为一种基于纳米线掩膜打印工艺的石墨烯纳米带的制备方法。该方法由电流体动力打印、等离子刻蚀、和超声剥离技术组成，首先使用的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶液在石墨烯表面形成可转移的薄膜，再通过过硫酸铵刻蚀去除石墨烯底部的铜箔，采用数码可控的纳米线技术在石墨烯表面精确打印有机聚合物纳米线作为掩膜；通过反应离子刻蚀技术精确移除未被掩膜覆盖的石墨烯，并使用超声剥离技术去除掩膜，制得具有高横纵比的一维石墨烯纳米带。本发明通过细致调整纳米线掩膜的直径、间距及刻蚀时间等关键参数，优化了石墨烯纳米带的宽度和间距分布，提升了制备质量的一致性和可控性。

公开(公告)号：CN118866987A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410909121.1

申请日：2024-07-08

申请人： 上海道之科技有限公司

发明人： 陈雪萌 ,  王艳颖

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

摘要： 本发明提供一种沟槽型碳化硅二极管器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：第一阶梯型注入区和第二阶梯型注入区，交替布置于器件的有源区；其中，第一阶梯型注入区的一级注入区通过光刻和注入形成，第一阶梯型注入区的二级注入区与第二阶梯型注入区通过沟槽刻蚀和注入形成；介质层，填充于第一阶梯型注入区和第二阶梯型注入区中；欧姆接触层，形成于有源区的上表面，且覆盖第一阶梯型注入区；肖特基接触层，形成于有源区的除欧姆接触层外的上表面；阳极金属层，形成于欧姆接触层和肖特基接触层的上表面；阴极金属层，形成于有源区的下表面。有益效果：本发明的器件能够降低反向漏电流，提高浪涌能力，同时降低成本。

公开(公告)号：CN118866687A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410825949.9

申请日：2024-06-25

申请人： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司

发明人： 施广彦 ,  张长沙 ,  张瑜洁 ,  李昀佶

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

摘要： 本发明提供了一种具备栅极保护结构的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底外延生长形成漂移层；通过向漂移层离子注入，形成阱区；离子注入，形成N型源区和P型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，氧化形成栅介质层；淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积二氧化硅，形成第一绝缘区；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成保护层；重新形成阻挡层，刻蚀，金属淀积，形成源极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积二氧化硅，形成第二绝缘区，重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成第一互连金属以及第二互连金属，去除阻挡层，完成制备；提高栅极可靠性。

公开(公告)号：CN118398568B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410844620.7

申请日：2024-06-27

申请人： 苏州中瑞宏芯半导体有限公司

发明人： 张振中 ,  郝建勇 ,  刘玮

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/04 ,  H01L23/38 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L29/16

摘要： 本发明公开了一种高耐用性碳化硅功率器件，包括衬板，和位于衬板表层金属片上的SIC功率芯片，以及用于封装衬板的上壳体和下壳体，所述SIC功率芯片通过焊料连接有第一铝片，所述衬板表层金属片过焊料连接有第二铝片和金属立柱，所述上隔板开设有多个用于放置连接条的通槽，所述连接条用于连接第一铝片和第二铝片，所述上隔板上活动连接有与金属立柱对接的引脚。本发明的一种高耐用性碳化硅功率器件，设置有第一铝片、第二铝片和连接条，三者共同组成铝带键合，并且连接条通过第一散热片可以将热量传导至冷却介质中，进而可以避免因温度升高而积累热应力，从而防止第一铝片和第二铝片发生脱落，提高了整体的可靠性和耐用性。