本发明为一种基于纳米线掩膜打印工艺的石墨烯纳米带的制备方法。该方法由电流体动力打印、等离子刻蚀、和超声剥离技术组成，首先使用的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶液在石墨烯表面形成可转移的薄膜，再通过过硫酸铵刻蚀去除石墨烯底部的铜箔，采用数码可控的纳米线技术在石墨烯表面精确打印有机聚合物纳米线作为掩膜；通过反应离子刻蚀技术精确移除未被掩膜覆盖的石墨烯，并使用超声剥离技术去除掩膜，制得具有高横纵比的一维石墨烯纳米带。本发明通过细致调整纳米线掩膜的直径、间距及刻蚀时间等关键参数，优化了石墨烯纳米带的宽度和间距分布，提升了制备质量的一致性和可控性。