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发明公开
半导体器件接触孔的制备方法

公开(公告)号：CN118983274A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411448316.7

申请日：2024-10-17

申请人： 杭州合盛微电子有限公司

发明人： 李庆瑞 , 黄家明 , 田洪涛 , 张浩翔 , 罗烨栋

IPC分类号： H01L21/768 , H01L29/66 , H01L29/16

摘要： 本申请公开了半导体器件接触孔的制备方法，包括以下步骤：S1.提供待制备接触孔的晶圆基底，在晶圆基底上形成光刻胶层；S2.对光刻胶层行曝光和显影处理，制得初始接触孔，初始接触孔底部的宽度大于顶部的宽度；S3.以形成初始接触孔的光刻胶层为掩膜板刻蚀晶圆基底，在初始接触孔下方的晶圆基底上形成接触孔。本申请的接触孔制备方法，有利于得到开口尺寸较大的接触孔，从而有利于改善金属材料在接触孔内的填充，减少空洞的产生。