公开(公告)号：CN114399172B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202111620444.1

申请日：2021-12-27

Applicant: 西安交通大学 ,  西安西瑞控制技术股份有限公司

Inventor： 王建学 ,  薛霖 ,  齐捷 ,  王建臣 ,  王玮 ,  张斌

IPC: G06Q10/0631 ,  G06Q50/06

Abstract: 本发明公开了一种多场景适应多能设备组合的园区电热实时调度方法及系统，根据多能园区的实际运行情况得到设备参数表；选择不同的电设备和热设备供多能园区实际运行使用；获取对应各类型设备的当前实际运行状态和实时运行数据，根据当前所处的运行时段数，获取多时间尺度中日前调度或滚动调度计算所得到的调度参考值；根据调度参考值以及多能园区当前内部各设备的运行工况，对多能园区实际上线运行的设备进行元件建模，采用启发式算法得到多能园区各设备的实时调度控制结果；将多能园区实时调度结果中各类设备的调度修正量和功率参考值实现全天单时段设备的调度控制。保障区域电热综合能源系统中设备的灵活可组合，并能可靠稳定运行。

公开(公告)号：CN118782658A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411108620.7

申请日：2024-08-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张鹏飞 ,  张少鹏 ,  王若铮 ,  王玮 ,  王宏兴

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种横向氧化镓高压型肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；所述横向氧化镓高压型肖特基二极管包括氧化镓基底；所述氧化镓基底上开设有至少两个梯形通孔，所述梯形通孔的上底位于氧化镓基底正面，梯形通孔的下底位于氧化镓基底背面；氧化镓基底背面沉积有氮化硅介质层；氧化镓基底正面沉积有Ti金属层、第一化学惰性金属层、Ni金属层和第二化学惰性金属层；所述Ni金属层和第二化学惰性金属层位于两个梯形通孔之间的氧化镓基底表面上；所述Ti金属层和第一化学惰性金属层位于两个梯形通孔外侧的氧化镓基底表面上。本发明制备的二极管结构具有良好的电学特性，相比于现有技术的氧化镓肖特基二极管的耐压性更好。

公开(公告)号：CN108321271B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201810182721.7

申请日：2018-03-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  刘璋成 ,  赵丹 ,  张明辉 ,  王玮 ,  问峰 ,  卜忍安 ,  侯洵

IPC: H01L33/34 ,  H01L33/64 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED及其制作方法，其中，一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上方依次设置有i型碳化硅层、n型磷高掺杂金刚石层、欧姆接触电极和保护金属层，p型硼高掺杂金刚石层上方还依次设置有欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。

公开(公告)号：CN112687542B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201910986605.5

申请日：2019-10-17

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  王艳丰 ,  王玮 ,  常晓慧 ,  张少鹏 ,  惠斯佳 ,  常成东

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/16 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种氢终端金刚石转化为氟终端金刚石的方法，包括以下步骤：S1、在预处理后的氢终端金刚石衬底的顶面制备源极和漏极，且源极和漏极均与氢终端金刚石衬底形成欧姆接触；S2、在源极和漏极之间的氢终端金刚石衬底的顶面上，沉积有LiF介质层；S3、将氢终端金刚石衬底的顶面上，除去源极、漏极和LiF介质层所覆盖的区域之外，剩余的区域均处理成不导电的氧终端隔离区；S4、在LiF介质层和氧终端隔离区上方接触制备连续的栅极，完成氢终端场效应晶体管的制备；S5、对步骤S4得到的氢终端场效应晶体管加电，则在氢终端金刚石衬底上有部分氢终端金刚石转化为氟终端金刚石。解决了现有形成氟终端金刚石的方法较复杂，且恶化其电、化性能的问题。

公开(公告)号：CN110797390B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201910943288.9

申请日：2019-09-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  王宏兴 ,  问峰 ,  张明辉 ,  林芳 ,  陈根强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法，包括：衬底；HEMT集成结构还包括形成于衬底上的AlN成核层、形成于AlN成核层上的GaN缓冲层、形成于GaN缓冲层上的AlN插入层、形成于AlN插入层上的AlxGa1‑xN势垒层、形成于AlxGa1‑xN势垒层上的GaN盖帽层以及形成于GaN盖帽层上的电子接收层；其中，电子接收层的功函数大于AlxGa1‑xN势垒层的功函数，电子能够从AlxGa1‑xN/GaN界面二维沟道转移至电子接收层。本发明的增强型GaNHEMT集成结构利用电子接收层与势垒层之间的功函数差，产生较宽的空间电荷区，使得电子从GaN/AlGaN异质界面二维电子气流入电子接收层，进而将栅极下方沟道耗尽，获得增强型器件特性。

公开(公告)号：CN113113916A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110420889.9

申请日：2021-04-19

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 秦博宇 ,  王玮 ,  李凡

IPC: H02J3/06 ,  H02J3/28

Abstract: 一种舰船综合电力系统多目标能量调控方法，包括以下步骤：通过求解舰船综合电力系统的预设优化模型，确定系统能量分配方案，其中，所述预设优化模型的目标函数为最大化脉冲负载总效能、舰船最大续航时长与航行速度的加权和；根据系统能量分配方案，调控发电功率分配至加速、克服阻力以及脉冲负载工作部分的功率值，对各脉冲负载并联的设备级储能装置的充放电过程进行控制，实现兼顾多个运行目标的能量调控。本发明中对各脉冲负载并联的设备级储能装置的充放电过程进行控制，实现兼顾多个运行目标的能量调控，达到整体性能最优的系统能量调控，有效提升舰船生存性能。

公开(公告)号：CN109904228B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201910194666.8

申请日：2019-03-14

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  王宏兴 ,  林芳 ,  张明辉 ,  问峰 ,  王艳丰 ,  陈根强 ,  卜忍安

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/47 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、给电子材料层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；给电子材料层覆盖源极与漏极之间部分导电沟道，或者给电子材料层覆盖全部导电沟道及部分源极和部分漏极；其中，给电子材料层的费米能级高于导电沟道的费米能级；给电子材料层上设置有栅电极。本发明的常关型金刚石基场效应晶体管，不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。

公开(公告)号：CN107331672B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201710423435.0

申请日：2017-06-07

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  朱天飞 ,  刘宗琛 ,  刘璋成 ,  王玮 ,  问峰 ,  卜忍安 ,  张景文 ,  侯洵

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明公开了一种微透镜阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。

公开(公告)号：CN111462925A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010307630.9

申请日：2020-04-17

Applicant: 西安交通大学 ,  中国核动力研究设计院

Inventor： 孙培伟 ,  张贤山 ,  曹桦松 ,  鲁剑超 ,  王玮 ,  辛素芳 ,  张勇

IPC: G21C7/08 ,  G21C7/12

Abstract: 本发明公开了一种基于运行数据的核反应堆功率调节方法及其调节系统，利用核反应堆运行过程中产生的核反应堆状态量与控制棒棒位之间的关系建立数据库，在负荷调节中提前查询数据库获得控制棒的目标棒位，采用粗调和细调相结合的策略，对功率调节系统中的粗调和细调输出信号进行加权相加后作为功率调节系统的输出信号，通过输出信号控制控制棒的移动方向和速率实现核反应堆功率调节。本发明提高了控制性能，减小超调量和调节时间，具有自适应性，有效提高控制棒的使用寿命。

公开(公告)号：CN109920736A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910094128.1

申请日：2019-01-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  王艳丰 ,  常晓慧 ,  王玮 ,  问峰 ,  王若铮 ,  侯洵

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管及其制备方法，在金刚石衬底1上生长出氢终端金刚石外延薄膜2，在氢终端金刚石外延薄膜2上制备出源极3和漏极4，沉积介质层5覆盖所有结构，对介质层5图形化处理，保留源极3、漏极4及其之间的介质层5，在源极3和漏极4之间的介质层5上沉积出栅极6；本发明采用两步法制备介质层，通过两个步骤完成介质层的制备，先使用低温工艺制备一层介质层保护氢终端金刚石的二维空穴气不被破坏，再使用高温工艺沉积高质量介质层改善器件性能，从而提升器件的电学特性，该两步法制备的氧化铝薄膜，既可以最大程度的保护氢终端金刚石的二维空穴气，又可以得到高质量的介质层氧化铝薄膜。