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公开(公告)号：CN118984920A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202380029480.1
申请日：2023-03-24
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： F21V23/00 , F21V29/508 , F21V19/00 , F21V29/74 , F21V15/00 , F21V29/503 , F21V29/70 , H01L33/64 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L23/00 , F21Y115/10
摘要： 根据本发明的实施方式，照明装置包括：散热板，该散热板具有凹部部分；电路板，该电路板容纳在散热板的凹部部分中并且具有焊盘；光源部分，该光源部分具有结合焊盘；连接构件，所述连接构件分别连接在焊盘与结合焊盘之间；以及粘合构件，该粘合构件将光源部分结合至散热板。光源部分包括：支承构件；光发射元件，该光发射元件具有光发射芯片和波长转换层；以及树脂构件。连接构件中的每个连接构件具有带状形状。连接构件中的每个连接构件的宽度超过每个连接构件的厚度的两倍。连接构件中的每个连接构件包括分别连接至结合焊盘和焊盘的两个端部以及在两个端部之间以凸出方式延伸的中央部分。
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公开(公告)号：CN118693202B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411175313.0
申请日：2024-08-26
申请人： 南通东升灯饰有限公司
发明人： 许宝贤
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公开(公告)号：CN116779756B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202310861411.9
申请日：2023-07-12
申请人： 东莞市谷麦光学科技有限公司 , 信阳中部半导体技术有限公司 , 信阳市谷麦光电子科技有限公司 , 谷麦光电科技股份有限公司
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公开(公告)号：CN113939166B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202111344544.6
申请日：2021-11-15
申请人： 中国计量大学
摘要： 本发明公开了用于大功率发光体的复合散热器，涉及LED照明领域，涉及散热器，具体涉及用于大功率发光体的复合散热器。散热器分为下中上三层功能结构，分别包括水冷散热，复合散热以及气冷散热。网络微通道与Y形翅片分别为水冷与气冷部分的主体，其中网络微通道的长度比和水力直径比为0.79；Y形翅片的长度比为0.79，直径比为0.71。本发明可以使散热效率更高，温度均匀性更好，并且一方面微通道的设计能够降低普通水冷的腐蚀与泄露的危害，另一方面合成射流散热的设计工艺简单，能够强化传热，最终使照明效率更高。
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公开(公告)号：CN118841498A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410825498.9
申请日：2024-06-25
申请人： 江西省兆驰光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种高可靠性CHIP LED灯珠及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。其中，高可靠性CHIP LED灯珠包括：第一基板，其背面设有背面图形区，所述背面图形区包括至少两个焊盘区；第二基板，固定于所述第一基板上，其正面设有正面图形区，所述正面图形区包括固晶区和焊线区，所述焊盘区与所述焊线区一一对应设置；所述焊线区内设有贯穿所述第二基板的第一通孔；发光单元，其固定于所述固晶区上；封装胶层，其将发光单元包裹在所述第二基板上；其中，所述第一基板的正面设有散热图形区，所述散热图形区包括至少两个焊盘散热区；所述焊盘散热区与所述焊盘区对应设置，且所述焊盘散热区内设有贯穿所述第一基板的第二通孔；所述第一通孔、第二通孔内均填充有第一导电铜，所述焊盘区和所述焊线区通过所述第一导电铜实现电连接。实施本发明，可提升CHIP LED灯珠的气密性、可靠性。
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公开(公告)号：CN118840943A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410888901.2
申请日：2024-07-03
申请人： 武汉华星光电技术有限公司
摘要： 本申请提供了一种显示模组及显示装置。该显示模组至少具有一侧拼接侧并包括中间区域和外围区域，外围区域包括非拼接区域和拼接区域，拼接区域与拼接侧对应并包括第一区域和位于第一区域两侧的第二区域，显示模组包括：基板，设于中间区域和外围区域；导热组件，设于基板的背面并包括第一导热部和第二导热部，第一导热部至少设于第一区域，第二导热部设于非拼接区域和/或第二区域；其中，第一导热部的导热系数大于第二导热部的导热系数。本申请通过将导热系数更高的第一导热部设于第一区域，导热系数更低的第二导热部设于第二区域或者非拼接区域，能够有效平衡基板对应第一区域和第二区域分别存在的热量以及膨胀量，从而提高拼接效果。
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公开(公告)号：CN118800843A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310399348.1
申请日：2023-04-11
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种红光Micro LED芯片及其制备方法，属于LED芯片制备技术领域。芯片包括由上到下依次设置的n‑AlGaInP扩展层、n‑AlGaInP欧姆接触层、n‑AlInP限制层、MQW多量子阱层、p‑AlInP限制层、p‑AlGaInP扩展层、p‑GaP电流扩展层和p‑GaP欧姆接触层，所述n‑AlGaInP扩展层外侧设置有SiO2薄膜，所述p‑GaP欧姆接触层上设有ITO层，所述ITO层上设有P电极，所述n‑AlGaInP欧姆接触层上设有N电极，所述N电极上设有垫高金属层，红光Micro LED芯片通过P电极和N电极与驱动电路基板的铟焊点相连接。本发明采用二氧化硅SiO2+紫外固化胶BCB作为键合结构，借助UV固化以及衬底去除工艺，完成两次衬底转移的过程，将红光Micro LED外延转移到与蓝宝石衬底上，实现与GaN蓝绿光外延相同的衬底结构，大大提高了红光Micro LED的衬底转移良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN118738075A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410206501.9
申请日：2024-02-26
申请人： 乐金显示有限公司
摘要： 本公开涉及一种显示装置，其包括设置在显示面板的后表面上的印刷电路板以及设置在显示面板的后表面上的底盖。所述底盖包括由来自印刷电路板的热量所生成的上升气流被引入其中的至少一个散热通道。所述散热通道包括在显示面板的后表面的一侧与印刷电路板间隔开的至少一个入口，以及设置在显示面板的后表面的另一侧的至少一个出口，上升越过所述显示面板的后表面的上升气流通过所述至少一个出口被排出。
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公开(公告)号：CN118712310A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410773632.5
申请日：2024-06-17
申请人： 山西高科华杰光电科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/58 , H01L25/075
摘要： 本发明涉及显示屏技术领域，具体公开了一种新型MiniLED显示屏及制造方法，包括：基板、塑封料、预封碗杯成型镶件、RGB芯片、粘接材料、键合材料、封装胶水材料，所述基板的正面设有用于固定RGB芯片的上芯基岛，所述基板的正面设有焊线基岛，所述基板的正面开设有贯穿至背面的导通孔；本发明通过设置的限位板、第二转动板和滑动杆使得当检测仓在下压后，能够使第三转动板与第二转动板之间的铰接转动及滑动杆在滑轨座内部的滑动伸缩，带动第一滑动套座在第一滑轨板的外部进行内向的滑动操作，使推送板对芯片进行推动，使芯片能够推送至活动滚轮的外部，使其滑动至存放槽的内部进行存放，实现芯片在检测后的自动弹起及自动存储。
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