公开(公告)号：CN119092607A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411201925.2

申请日：2024-08-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  王海涛 ,  贾敬宇 ,  陶鸿昌 ,  余森 ,  张涛 ,  许钪

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/64 ,  H01L33/00

Abstract: 基于横向生长的AlGaN/GaN异质结的大功率非极性紫外LED及方法，自下而上包括金刚石衬底、非极性GaN缓冲层、横向生长的周期性n型AlGaN/GaN层、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层以及横向生长的周期性p型AlGaN/GaN层。本发明通过横向生长周期性的AlGaN/GaN异质结建立多条导电沟道，利用极化效应提高量子阱中的载流子注入效率，同时量子阱区域采用非极性的AlGaN，克服了量子限制斯塔克效应的影响，最后采用金刚石衬底增强散热性。

公开(公告)号：CN119092533A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411201918.2

申请日：2024-08-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  王海涛 ,  贾敬宇 ,  陶鸿昌 ,  余森 ,  张涛 ,  许钪

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/285 ,  H01L29/205 ,  H01L29/06 ,  H01L33/40 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明公开了一种基于非极性面p型GaN高性能欧姆接触及其制备和应用，包括非极性p‑GaN层、横向生长的周期性p型AlGaN/GaN凹槽层以及欧姆接触电极；在所述非极性p‑GaN层的一面开有下沉凹槽，所述横向生长的周期性p型AlGaN/GaN凹槽层位于所述下沉凹槽中，所述下沉凹槽的槽深方向为纵向，槽长方向为横向，所述欧姆接触电极位于所述横向生长的周期性p型AlGaN/GaN凹槽层远离下沉凹槽的一面。本发明通过横向生长的AlGaN/GaN异质结建立多条导电沟道，利用极化诱导掺杂提高Mg离子离化率，增强器件电流注入效率，实现高性能的p型欧姆接触。

公开(公告)号：CN118299250A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410344305.8

申请日：2024-03-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  许钪 ,  陶鸿昌 ,  刘劭珂 ,  贾敬宇 ,  张涛 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/40 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种基于纳米针预处理的AlGaN/GaN异质结及制备方法，其中，首先对衬底进行纳米针预处理，用来制备高性能AlGaN/GaN异质结，衬底的纳米针预处理方法包括步骤：提供纳米针模板，纳米针模板表面具有周期性排列的纳米针阵列；将纳米针阵列与衬底表面相对，并施加压力直至纳米针模板与衬底表面重合，分离纳米针模板和衬底，得到表面具有周期性排列的凹坑阵列的衬底。本发明在衬底的表面形成周期性排列的凹坑阵列，不仅对衬底的损伤较小，而且这些凹坑能够使得外延材料在三维生长模式下生长，同时凹坑周围具有表面悬挂键，能增加有机源在凹坑处的粘附性，精确控制外延层成核点的密度，降低了衬底上异质外延层的位错密度，从而提高衬底上外延层的质量。

公开(公告)号：CN118173438A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410144816.5

申请日：2024-02-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  许钪 ,  陶鸿昌 ,  苏华科 ,  贾敬宇 ,  刘劭珂 ,  张涛 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于具有介质缓冲层保护Si衬底的GaN材料制备方法。主要解决现有技术进行离子注入会对Si衬底造成较大晶格损伤及GaN异质外延存在位错密度较高的问题。其实现方案是：在清洗后的Si(111)衬底上沉积一层Si3N4缓冲层；在该缓冲层上进行离子注入，使衬底表面形成注入坑阵列；再去除Si3N4缓冲层及衬底表面残留离子；最后依次进行LT‑AlN成核层、HT‑AlN层、AlGaN缓冲层、GaN外延层的外延生长，完成材料制备。本发明通过Si3N4缓冲层及Si衬底表面的注入坑，能降低Si衬底的表面损伤，减小材料的位错密度，提升GaN外延层质量，可用于制备高性能的GaN基电力电子器件及光电器件。

公开(公告)号：CN215294456U

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202121876293.1

申请日：2021-08-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵新炜 ,  贾敬宇 ,  裴青琦

IPC: F16M13/00 ,  F16M11/04 ,  F16M11/06 ,  F16M11/18 ,  F16M11/24 ,  H04N5/225

Abstract: 一种用于自动采集标注数据平台，其包括用于放置的底座，用于支撑的第一支撑柱以及用于支撑的第二支撑柱，还包括L型纯色背景板和摇臂电机，所述第一支撑柱和第二支撑柱的顶端设置有L型纯色背景板，L型纯色背景板水平处的中部嵌入安装有转盘，底座的一侧安装有升降机构，升降机构的一侧设置有摇臂，摇臂的一端通过焦距锁紧螺丝安装有第一连接块，第一连接块的一侧设置有限位块，限位块上套接有第二连接块，第二连接块与第一连接块通过固定螺栓固定，本实用新型结构新颖，构思巧妙，便于对采集数据的相机进行高度和拍摄距离的调节，且可进行转动采集数据，适用性强，且数据采集效果好，整体结构简单，可快速拆装。