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公开(公告)号：CN119092533A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411201918.2
申请日：2024-08-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/45 , H01L21/285 , H01L29/205 , H01L29/06 , H01L33/40 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种基于非极性面p型GaN高性能欧姆接触及其制备和应用，包括非极性p‑GaN层、横向生长的周期性p型AlGaN/GaN凹槽层以及欧姆接触电极；在所述非极性p‑GaN层的一面开有下沉凹槽，所述横向生长的周期性p型AlGaN/GaN凹槽层位于所述下沉凹槽中，所述下沉凹槽的槽深方向为纵向，槽长方向为横向，所述欧姆接触电极位于所述横向生长的周期性p型AlGaN/GaN凹槽层远离下沉凹槽的一面。本发明通过横向生长的AlGaN/GaN异质结建立多条导电沟道，利用极化诱导掺杂提高Mg离子离化率，增强器件电流注入效率，实现高性能的p型欧姆接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107634337B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710720024.8
申请日：2017-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于软表面结构的贴片阵列天线，旨在保持贴片阵列天线高增益的同时，实现小型化；包括自上而下层叠的五块介质板，第一介质板上印制第一复合金属带，第二介质板上印制第二复合金属带和m×n个上层辐射单元，上层辐射单元由2×2个上层辐射贴片组成，第三介质板上设置m×n个第一金属化通孔，该介质板上表面印制第三复合金属带和m×n个下层辐射单元，下层辐射单元由2×2个下层辐射贴片和主辐射贴片组成，该介质板下表面印制内部接地板，其上蚀刻m×n个馈电过孔；第一、第二和第三复合金属带，构成软表面结构；第四介质板上设置m×n个第二金属化通孔，第五介质板下表面印制外部接地板，上表面印制馈电网络。
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公开(公告)号：CN107634335A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710667821.4
申请日：2017-08-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于多层结构的毫米波阵列天线，在提高增益的同时，实现毫米波阵列天线的小型化；包括m×n个天线单元、上下层叠的第一介质板和第二介质板，在第一介质板上表面印制有内部接地板，在第二介质板下表面印制有外部接地板，在内部接地板上蚀刻有m×n个辐射缝隙，天线单元固定在内部接地板上，且位于辐射缝隙的正上方，在第一介质板和第二介质板之间设置有馈电网络，用于对天线单元进行耦合馈电；天线单元包括多层介质板，每层介质板上表面印制有金属板，每层金属板的平面中心处设置有圆形开口，相邻金属板之间通过环绕圆形开口外侧的金属化通孔连接，形成口径面自下而上逐渐变大的圆形喇叭结构。
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公开(公告)号：CN105932419A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610512823.1
申请日：2016-07-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于阶梯型层叠结构的多频段封装天线，用于解决现有封装天线工作频段数量不足的技术问题；在上层介质基板的上表面印制有上层辐射单元，中层介质基板的上表面印制有中层辐射单元，下层介质基板的上表面印制有下层辐射单元，其下表面印制有内部接地板，该三层介质基板和三层辐射单元的尺寸自上而下依次递增并形成层叠结构，其下方设置有封装体，该封装体中心位置的空腔内设置有多芯片组件，其下方设置有外部接地板；三层介质基板和封装体上均设置有金属化通孔，形成同轴馈线并对上层辐射单元直接馈电。本发明的频率独立可调性好，可用于三个频段的无线通信。
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公开(公告)号：CN107634337A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710720024.8
申请日：2017-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于软表面结构的贴片阵列天线，旨在保持贴片阵列天线高增益的同时，实现小型化；包括自上而下层叠的五块介质板，第一介质板上印制第一复合金属带，第二介质板上印制第二复合金属带和m×n个上层辐射单元，上层辐射单元由2×2个上层辐射贴片组成，第三介质板上设置m×n个第一金属化通孔，该介质板上表面印制第三复合金属带和m×n个下层辐射单元，下层辐射单元由2×2个下层辐射贴片和主辐射贴片组成，该介质板下表面印制内部接地板，其上蚀刻m×n个馈电过孔；第一、第二和第三复合金属带，构成软表面结构；第四介质板上设置m×n个第二金属化通孔，第五介质板下表面印制外部接地板，上表面印制馈电网络。
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公开(公告)号：CN119092607A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411201925.2
申请日：2024-08-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 基于横向生长的AlGaN/GaN异质结的大功率非极性紫外LED及方法，自下而上包括金刚石衬底、非极性GaN缓冲层、横向生长的周期性n型AlGaN/GaN层、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层以及横向生长的周期性p型AlGaN/GaN层。本发明通过横向生长周期性的AlGaN/GaN异质结建立多条导电沟道，利用极化效应提高量子阱中的载流子注入效率，同时量子阱区域采用非极性的AlGaN，克服了量子限制斯塔克效应的影响，最后采用金刚石衬底增强散热性。
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