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公开(公告)号：CN113467095A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110639970.6
申请日：2021-06-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本申请公开了一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法，该激光匀质系统包括激光器、以及依次设置的小孔、扩束系统、匀质元件、匀质凸透镜、以及屏幕。匀质元件包括金属铱薄膜、以及制备于金属铱薄膜上的微透镜阵列，微透镜阵列采用金刚石衬底材料，金刚石衬底材料和金属铱薄膜通过共价键键合。该方法包括步骤：制备金属铱薄膜；在金属铱薄膜上直接生长单晶金刚石；将单晶金刚石样品研磨抛光；在单晶金刚石样品上制备微透镜阵列；本申请解决了现有技术中反射膜和衬底材料结合力较低，而导致激光匀质系统的损伤阈值低的问题。本发明的激光匀质系统对入射光的轮廓、相位等参数要求低，其结构简单，易操作，损伤阈值高。
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公开(公告)号：CN110571310B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910890576.2
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法，解决了现有技术中(100)取向n型单晶金刚石欧姆制备难、比接触电阻率大的问题。该形成方法，包含以下步骤：步骤一、对(100)取向的n型单晶金刚石表面进行研磨抛光，以获得光滑表面；步骤二、利用MPCVD方法在所述n型单晶金刚石被研磨的表面生长一层n型单晶金刚石外延薄层，然后采用酸洗或者紫外臭氧处理将所述薄层表面氢终端转变成氧终端，得到样品A；步骤三、将氧化后的样品A置于退火炉中退火，使所述薄层表面的磷析出、碳原子重构，得到高导电金刚石表面；步骤四、在高导电金刚石表面镀上金属电极，置于退火炉中退火，形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN110473765A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910812654.7
申请日：2019-08-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面活化过程中高速氩原子束获得装置及获得方法，解决了现有技术无法获得氩原子束的问题。该装置包括：真空管路，为一真空的空心腔室；氩气枪，设置于真空管路的一侧，用于产生氩气束，并将氩气束输送至真空管路内；汇聚管路，设置于真空管路的另一侧，且其与真空管路连通；真空管路内，沿着氩气束的流动方向依次间隔设置有电离系统、加速系统和中和系统，其中：电离系统，用于提供电场，将氩气束电离为氩等离子体束；加速系统，用于提供电场，对氩等离子体束进一步加速；中和系统，用于过滤经加速的氩等离子体束，并将其转换为氩原子束，氩原子束汇聚于汇聚管路处并加速输出。
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公开(公告)号：CN106711241A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611192837.6
申请日：2016-12-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/101 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/022408 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/101 , H01L31/1016 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1884
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯透明电极金刚石基紫外探测器及其制备方法，探测器从下至上至少包含绝缘衬底、金刚石紫外敏感层、透明石墨烯层和金属电极；金刚石紫外敏感层的表面处形成金刚石表面终端；所述透明石墨烯层设置于金刚石紫外敏感层的金刚石表面终端上；所述金刚石紫外敏感层中均布有若干三维结构。本发明结构利用石墨烯超高的面内电导特性和其对紫外光的全透过特性，以及三维结构金刚石紫外敏感层对紫外光入射增强的特性，提高了金刚石基紫外探测器的响应度及外量子效率。
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公开(公告)号：CN108321262B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201810183927.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED及其制作方法，垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底、p型硼高掺杂金刚石层、i型碳化硅层和n型磷高掺杂金刚石层，单晶金刚石衬底向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，n型磷高掺杂金刚石层向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110517804B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201910890608.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G21H1/06 , H01L29/45 , H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本发明的目的是提供一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池及其制备方法，解决了现有金刚石肖特基结核动力电池开路电压低、输出电流小的问题，从而提升金刚石核动力电池的性能和应用前景。该一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池，包括层叠接触设置的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石层、i型金刚石层、p型金刚石层和p型欧姆电极；在n型金刚石层与i型金刚石层所接触的表面上，一部分接触设置i型金刚石层，其余部分接触设置n型欧姆电极；p型欧姆电极通过引线连接有，i型金刚石层通过引线连接有；还包括放射源，放射源设置于p型欧姆电极的上方，或者环绕设置于i型金刚石层的外侧。
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公开(公告)号：CN110600554B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910890607.4
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/868 , H01L21/328
Abstract: 本发明公开了一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管及其制备方法，解决了传统金刚石p‑i‑n结二极管中n型层欧姆接触电阻率大、i型层质量低的问题，从而提升金刚石功率电子器件的性能和应用前景。一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管，其具体结构为：由下至上层叠设置的(100)晶向的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石和n型金刚石薄层；在n型金刚石薄层上：一部分为由下至上层叠设置的高导电表面和欧姆电极I，另一部分为由下至上层叠设置的i型金刚石、p型金刚石和欧姆电极II。
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公开(公告)号：CN110600554A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910890607.4
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/868 , H01L21/328
Abstract: 本发明公开了一种(100)晶向金刚石n-i-p结二极管及其制备方法，解决了传统金刚石p-i-n结二极管中n型层欧姆接触电阻率大、i型层质量低的问题，从而提升金刚石功率电子器件的性能和应用前景。一种(100)晶向金刚石n-i-p结二极管，其具体结构为：由下至上层叠设置的(100)晶向的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石和n型金刚石薄层；在n型金刚石薄层上：一部分为由下至上层叠设置的高导电表面和欧姆电极I，另一部分为由下至上层叠设置的i型金刚石、p型金刚石和欧姆电极II。
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公开(公告)号：CN109068538A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810968234.3
申请日：2018-08-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: H05K7/20
CPC classification number: H05K7/20272
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石微流通道的液冷散热器结构，包括层叠设置的金刚石衬底和金刚石外延层，在金刚石衬底内设置若干条具有一定间隔的金刚石微流通道，金刚石外延层用于在其表面键合待散热对象。本发明还公开了该散热器的制作方法，解决了传统散热片不能应用在高温，高辐射，强腐蚀等极端环境下的问题。
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公开(公告)号：CN106711241B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201611192837.6
申请日：2016-12-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/101 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯透明电极金刚石基紫外探测器及其制备方法，探测器从下至上至少包含绝缘衬底、金刚石紫外敏感层、透明石墨烯层和金属电极；金刚石紫外敏感层的表面处形成金刚石表面终端；所述透明石墨烯层设置于金刚石紫外敏感层的金刚石表面终端上；所述金刚石紫外敏感层中均布有若干三维结构。本发明结构利用石墨烯超高的面内电导特性和其对紫外光的全透过特性，以及三维结构金刚石紫外敏感层对紫外光入射增强的特性，提高了金刚石基紫外探测器的响应度及外量子效率。
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