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公开(公告)号：CN116334711A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310288934.9
申请日：2023-03-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种锡终端半导体材料及其制备方法，该制备方法首先进行氢化处理，使得半导体材料表面形成氢终端，此时半导体材料和氢原子形成了碳氢键，半导体表面多为氢原子；然后通过高压电解含锡的水溶液对半导体表面进行锡化处理，锡化处理过程中，足够的锡原子替换大量的氢原子，使得在半导体表面能够形成碳锡键，进而在半导体材料锡终端；本发明的制备方法借助于氢原子作为中间介质，使得锡原子能够复合在半导体材料的表面。方法首次实现了半导体锡终端表面的制备，并且是一种高效、清洁且安全的表面锡化方法，获得的锡终端半导体表面锡化程度高，同时具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN107195956A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710335097.5
申请日：2017-05-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01M10/0525 , H01M4/58 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/5825
Abstract: 一种导电基底上负载双金属锗酸盐纳米片复合储能材料的制备方法，先通过水热反应的方法在导电基底表面生长直立的双金属锗酸盐纳米片，然后在氮气中煅烧后即可获得导电表面生长直立的双金属锗酸盐纳米片的复合材料；本发明的特点是采用简单的化学合成手段，制备出具有高比表面积、导电性好、容量和稳定性均优于传统材料的导电基底上负载双金属锗酸盐纳米片复合储能材料。
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公开(公告)号：CN113467095B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110639970.6
申请日：2021-06-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本申请公开了一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法，该激光匀质系统包括激光器、以及依次设置的小孔、扩束系统、匀质元件、匀质凸透镜、以及屏幕。匀质元件包括金属铱薄膜、以及制备于金属铱薄膜上的微透镜阵列，微透镜阵列采用金刚石衬底材料，金刚石衬底材料和金属铱薄膜通过共价键键合。该方法包括步骤：制备金属铱薄膜；在金属铱薄膜上直接生长单晶金刚石；将单晶金刚石样品研磨抛光；在单晶金刚石样品上制备微透镜阵列；本申请解决了现有技术中反射膜和衬底材料结合力较低，而导致激光匀质系统的损伤阈值低的问题。本发明的激光匀质系统对入射光的轮廓、相位等参数要求低，其结构简单，易操作，损伤阈值高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107195956B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710335097.5
申请日：2017-05-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01M10/0525 , H01M4/58 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种导电基底上负载双金属锗酸盐纳米片复合储能材料的制备方法，先通过水热反应的方法在导电基底表面生长直立的双金属锗酸盐纳米片，然后在氮气中煅烧后即可获得导电表面生长直立的双金属锗酸盐纳米片的复合材料；本发明的特点是采用简单的化学合成手段，制备出具有高比表面积、导电性好、容量和稳定性均优于传统材料的导电基底上负载双金属锗酸盐纳米片复合储能材料。
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公开(公告)号：CN117921214B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410342873.4
申请日：2024-03-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/55 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种金刚石晶圆加工方法，包括：采用微米水导激光束在英寸级的金刚石晶圆内部切割出多个镂空槽；所述镂空槽在金刚石晶圆水平面的列方向不贯穿，在金刚石晶圆垂直方向贯穿，所述镂空槽在金刚石晶圆水平面的列方向为一条连续长槽排列而成或数条不连续短槽排列而成；在金刚石晶圆上通过磁控溅射或蒸发的方式双面制备电极，所述电极覆盖金刚石晶圆上表面、底面以及镂空槽内壁；采用微米水导激光束沿金刚石晶圆水平面的行方向进行切割分离，按照实际需求尺寸切割出器件。该方法可以有效减少材料损耗，实现金刚石晶圆的精密加工，提高制备效率；不用进行多次套刻，减少光刻过程出现的失误，提高成品率。
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公开(公告)号：CN117921214A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410342873.4
申请日：2024-03-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/55 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种金刚石晶圆加工方法，包括：采用微米水导激光束在英寸级的金刚石晶圆内部切割出多个镂空槽；所述镂空槽在金刚石晶圆水平面的列方向不贯穿，在金刚石晶圆垂直方向贯穿，所述镂空槽在金刚石晶圆水平面的列方向为一条连续长槽排列而成或数条不连续短槽排列而成；在金刚石晶圆上通过磁控溅射或蒸发的方式双面制备电极，所述电极覆盖金刚石晶圆上表面、底面以及镂空槽内壁；采用微米水导激光束沿金刚石晶圆水平面的行方向进行切割分离，按照实际需求尺寸切割出器件。该方法可以有效减少材料损耗，实现金刚石晶圆的精密加工，提高制备效率；不用进行多次套刻，减少光刻过程出现的失误，提高成品率。
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公开(公告)号：CN116344331A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310245850.7
申请日：2023-03-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种锡终端金刚石及其制备方法和场效应晶体管，包括以下步骤：S1，在氢终端金刚石表面上沉积SnO2或SnO薄膜；S2，将沉积SnO2或SnO薄膜后的氢终端金刚石置入氢等离子体环境中进行氢化处理，得到锡终端金刚石前驱体；S3，利用酸洗去除锡终端金刚石前驱体表面的SnO2或SnO薄膜，获得锡终端金刚石。本发明方法，首先在氢终端金刚石表面沉积SnO2或SnO薄膜，然后利用氢等离子体形成的强还原和热环境，对SnO2或SnO薄膜进行处理，氢终端金刚石表面的碳氢键会转化成碳锡键，从而将氢终端金刚石转化为锡终端金刚石。
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公开(公告)号：CN113467095A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110639970.6
申请日：2021-06-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本申请公开了一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法，该激光匀质系统包括激光器、以及依次设置的小孔、扩束系统、匀质元件、匀质凸透镜、以及屏幕。匀质元件包括金属铱薄膜、以及制备于金属铱薄膜上的微透镜阵列，微透镜阵列采用金刚石衬底材料，金刚石衬底材料和金属铱薄膜通过共价键键合。该方法包括步骤：制备金属铱薄膜；在金属铱薄膜上直接生长单晶金刚石；将单晶金刚石样品研磨抛光；在单晶金刚石样品上制备微透镜阵列；本申请解决了现有技术中反射膜和衬底材料结合力较低，而导致激光匀质系统的损伤阈值低的问题。本发明的激光匀质系统对入射光的轮廓、相位等参数要求低，其结构简单，易操作，损伤阈值高。
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