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发明公开
包含在多晶碳化硅支撑衬底上的单晶薄层的复合结构及相关制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN118922912A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380026936.9

申请日：2023-03-10

申请人： 索泰克公司

发明人： H·比亚尔 , A·波捷 , M·费拉托 , P·勒费夫尔

IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/18 , C23C16/00 , C30B28/14 , C30B29/36 , C30B33/06 , H01L21/04 , H01L29/16

摘要： 本发明涉及一种用于制造微电子组件的复合结构，其包括设置在多晶碳化硅支撑衬底上的单晶薄膜，所述支撑衬底具有优选的晶体取向，其中：‑C422织构系数小于30％；以及‑C220织构系数大于60％，或C111+C222+C511织构系数的总和大于70％。本发明还涉及制造这种复合结构的方法。