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公开(公告)号:CN109148506A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201810972545.7
申请日:2018-08-24
Applicant: 上海天马微电子有限公司
IPC: H01L27/15
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/36 , H01L2224/8322 , H01L2224/83234 , H01L2224/83871 , H01L2224/95001 , H01L2933/0066 , H01L27/156
Abstract: 本申请公开一种Micro LED转移方法及Micro LED显示面板和Micro LED显示装置,所述Micro LED显示面板包括衬底基板、像素定义层,像素定义层包括开口,位于开口内层叠设置的第一导电层、光敏导电键合层和Micro LED结构。所述光敏导电键合层具有光照后固化,使得粘接在光敏导电键合层相对两个表面的结构能够键合在一起,由于光敏导电键合层的存在,能够在Micro LED转移过程中实现Micro LED的检测,而不是在键合完成后,再进行后续检测,从而节省了去除已经键合的不正常显示Micro LED的步骤,使得Micro LED检测和修复工艺简单化。
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公开(公告)号:CN109147580A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201810952310.1
申请日:2018-08-21
Applicant: OPPO广东移动通信有限公司
Inventor: 杨鑫
CPC classification number: G09F9/33 , G09G3/32 , H01L27/156
Abstract: 本发明公开了一种显示装置和具有其的电子装置。显示装置包括:显示区域:多个发光元件,多个发光元件发出的光线可透过显示区域;控制电路,控制电路用于在第一时刻控制多个发光元件中的至少部分发光元件发出的光线以第一方向自显示区域出射,以在显示区域以第一方向的反方向显示第一图像,第一图像的刷新频率不小于24帧每秒,以及控制电路用于在第二时刻控制多个发光元件中的至少部分发光元件发出的光线以第二方向自显示区域出射,以在显示区域以第二方向的反方向显示第二图像,第二图像的刷新频率不小于24帧每秒,依次往复。根据本发明实施例的显示装置可以在同一时刻、至少两个方向上观察到图像,而且每个方向上所显示的图像均为全屏显示。
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公开(公告)号:CN109037270A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810833974.6
申请日:2018-07-26
Applicant: 武汉天马微电子有限公司
Inventor: 霍思涛
IPC: H01L27/15
CPC classification number: H01L27/156
Abstract: 本申请实施例提供了一种显示面板,其特征在于,包括:第一基板,和设置于所述第一基板靠一侧的多个发光单元,所述发光单元包括发光二极管;第二基板,和设置于所述第二基板靠近所述发光单元一侧的多个驱动电路;各所述驱动电路用于驱动各所述发光单元;光转换层,所述光转换层包括至少三种颜色的光转换单元,各所述光转换单元与各所述发光单元对应设置。本申请可以一次实现大面积的转移制备显示面板,且对位要求低,良率高。
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公开(公告)号:CN109037267A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810698277.4
申请日:2018-06-29
Applicant: 天津工业大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L27/156 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种金属光子晶体耦合增强nano‑LED阵列及制造方法,自下而上包括:Si衬底、Ni/Au金属阵列和p电极连接线、nano‑LED阵列、n型GaN层、Ti/Au金属层;nano‑LED阵列结构自下而上包括:Ni/Au金属层、Ag金属层、p型GaN层、量子阱层、量子阱层上的n型GaN层;每个nano‑LED单体有单独的p接触,所有nano‑LED单体共用一个n接触;Ag金属层在阵列中构成Ag金属光子晶体,利用光子禁带和金属表面等离激元的性质增强发光效率,表面等离激元由Ag金属层产生;中间部分为倒装结构,利用Ag金属光子晶体的反射镜作用减少了底部衬底的吸收。该专利大幅度提高发光效率。
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公开(公告)号:CN108831902A
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201810373123.8
申请日:2018-04-24
Applicant: 河源市众拓光电科技有限公司
Inventor: 李国强
IPC: H01L27/15
CPC classification number: H01L27/156
Abstract: 本发明公开了垂直结构纳米阵列LED,包括在衬底上依次复合的底电极层、第一石墨烯层、伞状GaN纳米柱阵列层、P型GaN薄膜、AlxInyGa1-x-yN薄膜、第二石墨烯层和顶电极层;所述第一石墨烯层上复合有图形化隔离层;其中,x=0-0.35,y=0-0.07;所述伞状GaN纳米柱阵列层自核向壳包括依次复合的GaN纳米柱芯、n型GaN纳米内壳和In(Al)GaN纳米外壳。该垂直结构纳米阵列LED有效解决了外延生长受限的情况,大幅降低生产成本,光效高,性能高。
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公开(公告)号:CN108807450A
公开(公告)日:2018-11-13
申请号:CN201810375036.6
申请日:2018-04-24
Applicant: 启端光电股份有限公司
IPC: H01L27/15
CPC classification number: H01L22/22 , H01L25/0753 , H01L33/0095 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L27/156
Abstract: 一种底部发光型微发光二极管显示器,包含微发光二极管,设于透明基板上;导光层围绕微发光二极管,用以将微发光二极管所产生的光线控制导向透明基板;及反射层,形成于导光层上,用以反射微发光二极管所产生的光线使其向下发射,且局限微发光二极管所产生的光线使其不会向上或向侧边漏光。
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公开(公告)号:CN108630730A
公开(公告)日:2018-10-09
申请号:CN201810252088.4
申请日:2018-03-26
Applicant: 三星显示有限公司
CPC classification number: H01L27/156 , H01L27/3206 , H01L27/3211 , H01L27/3216 , H01L27/3218 , H01L27/322 , H01L27/326 , H01L2251/5323 , H01L51/5203
Abstract: 透明显示面板包括多个单位像素。单位像素中的每个单位像素包括非透明区域以及透明区域,在非透明区域中设置有产生并输出第一颜色光的第一发光元件和产生并输出第二颜色光的第二发光元件,在透明区域中设置有产生并输出第三颜色光的发光元件。
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公开(公告)号:CN105051901B
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201480015898.8
申请日:2014-03-05
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01L25/167 , H01L23/5386 , H01L27/156 , H01L29/78672 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种显示设备(1),所述显示设备具有至少一个半导体本体和操控电路(54),所述半导体本体具有带有设为用于产生辐射的有源区域(20)并且形成多个像素(2a,2b)的半导体层序列(2),其中操控电路(54)具有多个开关(55),所述开关分别设为用于控制至少一个像素(2a,2b);在操控电路和半导体本体之间设置有第一金属化层和与第一金属化层电绝缘的第二金属化层;第一金属化层和/或第二金属化层与至少一个像素导电地连接;并且第一金属化层和第二金属化层彼此重叠地设置成,使得操控电路在显示设备的俯视图中在与像素中的一个像素重叠或在两个相邻的像素之间设置的每个部位处由至少一个金属化层覆盖。
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公开(公告)号:CN105374845B
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201410817977.2
申请日:2014-12-24
Applicant: 乐金显示有限公司
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/156 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3272 , H01L29/78633 , H01L33/005 , H01L51/5284 , H01L2227/323 , H01L2933/0066
Abstract: 包括光吸收层的有机发光显示装置及其制造方法。提供了种显示装置,该显示装置包括:多个像素,其中多条选通线分别与多条数据线交叉,各个所述像素包括薄膜晶体管TFT区域和显示区域;TFT,其形成在所述TFT区域中;发光元件,其形成在所述显示区域中以用于基于来自所述TFT的信号显示图像;金属层,其被设置在所述TFT区域中以用于所述TFT的电连接;以及光吸收层,其被设置在所述金属层上并被配置为吸收朝着所述金属层传播的光的至少部分。
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公开(公告)号:CN104900637B
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201510168949.7
申请日:2009-10-13
Applicant: 晶元光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/62
CPC classification number: H01L27/15 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L27/3211 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/8592 , H01L2924/12032 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种可用于高压交流电的发光组件,包含:成长基板;多个发光二极管单元,形成于该成长基板上;电极,直接位于该成长基板上;导电线路,位于该成长基板上,并且电性连接该多个发光二极管单元及该电极;以及多个整流二极管单元;其中,该多个发光二极管单元排列成至少一串接的封闭回路,且该多个整流二极管单元分别连接于所述封闭回路中相异的端点。
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