显示装置和具有其的电子装置

    公开(公告)号:CN109147580A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201810952310.1

    申请日:2018-08-21

    Inventor: 杨鑫

    CPC classification number: G09F9/33 G09G3/32 H01L27/156

    Abstract: 本发明公开了一种显示装置和具有其的电子装置。显示装置包括:显示区域:多个发光元件,多个发光元件发出的光线可透过显示区域;控制电路,控制电路用于在第一时刻控制多个发光元件中的至少部分发光元件发出的光线以第一方向自显示区域出射,以在显示区域以第一方向的反方向显示第一图像,第一图像的刷新频率不小于24帧每秒,以及控制电路用于在第二时刻控制多个发光元件中的至少部分发光元件发出的光线以第二方向自显示区域出射,以在显示区域以第二方向的反方向显示第二图像,第二图像的刷新频率不小于24帧每秒,依次往复。根据本发明实施例的显示装置可以在同一时刻、至少两个方向上观察到图像,而且每个方向上所显示的图像均为全屏显示。

    一种显示面板及显示装置

    公开(公告)号:CN109037270A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810833974.6

    申请日:2018-07-26

    Inventor: 霍思涛

    CPC classification number: H01L27/156

    Abstract: 本申请实施例提供了一种显示面板,其特征在于,包括:第一基板,和设置于所述第一基板靠一侧的多个发光单元,所述发光单元包括发光二极管;第二基板,和设置于所述第二基板靠近所述发光单元一侧的多个驱动电路;各所述驱动电路用于驱动各所述发光单元;光转换层,所述光转换层包括至少三种颜色的光转换单元,各所述光转换单元与各所述发光单元对应设置。本申请可以一次实现大面积的转移制备显示面板,且对位要求低,良率高。

    金属光子晶体耦合增强nano-LED阵列及制造方法

    公开(公告)号:CN109037267A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810698277.4

    申请日:2018-06-29

    CPC classification number: H01L33/06 H01L27/156 H01L33/007 H01L33/10 H01L33/32

    Abstract: 本发明公开了一种金属光子晶体耦合增强nano‑LED阵列及制造方法,自下而上包括:Si衬底、Ni/Au金属阵列和p电极连接线、nano‑LED阵列、n型GaN层、Ti/Au金属层;nano‑LED阵列结构自下而上包括:Ni/Au金属层、Ag金属层、p型GaN层、量子阱层、量子阱层上的n型GaN层;每个nano‑LED单体有单独的p接触,所有nano‑LED单体共用一个n接触;Ag金属层在阵列中构成Ag金属光子晶体,利用光子禁带和金属表面等离激元的性质增强发光效率,表面等离激元由Ag金属层产生;中间部分为倒装结构,利用Ag金属光子晶体的反射镜作用减少了底部衬底的吸收。该专利大幅度提高发光效率。

    一种垂直结构纳米阵列LED及其制备方法

    公开(公告)号:CN108831902A

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201810373123.8

    申请日:2018-04-24

    Inventor: 李国强

    CPC classification number: H01L27/156

    Abstract: 本发明公开了垂直结构纳米阵列LED,包括在衬底上依次复合的底电极层、第一石墨烯层、伞状GaN纳米柱阵列层、P型GaN薄膜、AlxInyGa1-x-yN薄膜、第二石墨烯层和顶电极层;所述第一石墨烯层上复合有图形化隔离层;其中,x=0-0.35,y=0-0.07;所述伞状GaN纳米柱阵列层自核向壳包括依次复合的GaN纳米柱芯、n型GaN纳米内壳和In(Al)GaN纳米外壳。该垂直结构纳米阵列LED有效解决了外延生长受限的情况,大幅降低生产成本,光效高,性能高。

    显示设备
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105051901B

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201480015898.8

    申请日:2014-03-05

    Abstract: 一种显示设备(1),所述显示设备具有至少一个半导体本体和操控电路(54),所述半导体本体具有带有设为用于产生辐射的有源区域(20)并且形成多个像素(2a,2b)的半导体层序列(2),其中操控电路(54)具有多个开关(55),所述开关分别设为用于控制至少一个像素(2a,2b);在操控电路和半导体本体之间设置有第一金属化层和与第一金属化层电绝缘的第二金属化层;第一金属化层和/或第二金属化层与至少一个像素导电地连接;并且第一金属化层和第二金属化层彼此重叠地设置成,使得操控电路在显示设备的俯视图中在与像素中的一个像素重叠或在两个相邻的像素之间设置的每个部位处由至少一个金属化层覆盖。

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