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公开(公告)号：CN103824863B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310576678.X
申请日：2013-11-18
Applicant: 乐金显示有限公司
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1222
Abstract: 薄膜晶体管基板。本发明公开一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：多条选通线和多条数据线，多条选通线和多条数据线被排布为限定多个像素区域；以及多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管以包括连接到相同的选通线和彼此相邻的像素区域的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的方式形成在像素区域上。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管各包括：栅极，该栅极连接到选通线；半导体层，该半导体层以八边形的形状形成在选通线上；源极，该源极连接到数据线；以及漏极，该漏极被形成为与源极相对的形状。
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公开(公告)号：CN102200665B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110077086.4
申请日：2011-03-25
Applicant: 乐金显示有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/13458 , H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 本申请涉及一种高透光度平面内转换液晶显示器及其制造方法，尤其涉及一种具有水平电场的水平电场型液晶显示器及其制造方法，所述水平电场位于设置在相同水平面上的像素电极和公共电极的上方。所述水平电场型液晶显示器包括：基板；彼此交叉并且在基板上限定像素区域的栅极线和数据线，在栅极线和数据线之间具有栅极绝缘层；薄膜晶体管，形成在栅极线和数据线交叉处；像素电极，在栅极绝缘层上接触薄膜晶体管；公共电极，与像素电极平行地隔着预定距离设置；和钝化层，覆盖包括像素电极和公共电极的基板的整个表面。根据本申请，由于所有液晶分子，包括设置在像素电极和公共电极正上方的分子都被水平电场所驱动，因此可以提高透光度和孔径比。
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公开(公告)号：CN103163703B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210539133.7
申请日：2012-12-13
Applicant: 乐金显示有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/1343 , G02F1/134363 , G02F1/136286 , G02F2201/40 , H01L27/124 , H01L29/66742
Abstract: 本发明公开能提高开口率和透过率的液晶显示设备及其制造方法。液晶显示设备包括：第一基板和第二基板；形成在第一基板上的多条选通线，各选通线具有第一区域和第二区域，第二区域的宽度小于第一区域的宽度；多条数据线，它们布置为与选通线垂直以限定多个像素区域；形成在选通线的第一区域上的薄膜晶体管TFT；形成在第一基板上且形成电场的公共电极和像素电极；形成在第二基板上的黑底和滤色器层；及形成在第一基板和第二基板之间的液晶层，其中选通线的第一区域和第二区域沿选通线的延伸方向和数据线的延伸方向交替布置，且其中两个TFT形成在与像素区域对应的选通线的第一区域上，两个TFT分别连接到基于选通线彼此相邻的两个像素区域的像素电极。
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公开(公告)号：CN102315166B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201110158453.3
申请日：2011-06-13
Applicant: 乐金显示有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136286 , H01L27/1218 , H01L27/124
Abstract: 具有低电阻总线结构的薄膜晶体管基板及其制造方法。该制造方法包括：通过刻蚀基板的表面以形成总线图案并利用总线金属填充这些总线图案，而形成总线；在由这些总线所限定的像素区域的一部分处，形成半导体沟道层；和形成所述半导体沟道层上的源极-漏极、在所述像素区域内从所述漏极延伸的像素电极以及与所述像素电极平行的公共电极。这些总线形成得较厚但是被埋在基板中，使得可以减小线的电阻，并且使得因总线厚度导致的阶差不会影响到设备。
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公开(公告)号：CN101071217B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610143115.1
申请日：2006-11-01
Applicant: 乐金显示有限公司
Inventor： 梁埈荣
IPC: G02F1/1333 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F2001/136231 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供了液晶显示器制造方法，该方法包括提供第一基板和第二基板。通过第一掩模工艺在所述第一基板上形成栅极、选通线、连接电极、公共电极和像素电极。在所述第一基板上形成第一绝缘膜。通过第二掩模工艺形成具有多个接触孔的第一绝缘膜图案。在所述第一基板上形成有源图案，并通过一些所述接触孔形成与所述有源图案可操作地连接的源极和漏极。可以通过狭缝曝光大致一起形成栅极、公共电极和像素电极。可以大致一起形成有源图案、源极和漏极。可以减少制造所述显示器所需的掩模的数量，以简化制造工艺并保护沟道区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100594408C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200710302362.6
申请日：2007-12-25
Applicant: 乐金显示有限公司
Inventor： 梁埈荣
IPC: G02F1/136 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明公开了一种用于液晶显示器件的阵列基板，其包括位于基板上的栅线；位于栅线上的栅绝缘层；与栅线交叉的数据线；连接到栅线的栅极；位于栅绝缘层上并对应于栅极的有源层；位于有源层上的第一和第二欧姆接触层，其中第一和第二欧姆接触层以第一距离彼此分离；分别位于第一和第二欧姆接触层上并以第一距离彼此分离的第一和第二阻隔图案，其中利用第一和第二阻隔图案暴露有源层；分别位于第一和第二阻隔图案上并以大于第一距离的第二距离彼此分离设置的源极和漏极，该源极连接到数据线；和连接到漏极的像素电极。
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公开(公告)号：CN100539786C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510114967.3
申请日：2005-11-16
Applicant: 乐金显示有限公司
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/124 , H01L27/3248 , H01L51/5218 , H05B33/10
Abstract: 公开了一种有机电致发光显示装置及其制造方法。该有机电致发光显示装置包含：由选通线和与选通线垂直的数据线限定的像素、形成在单位像素中的开关装置和驱动装置、第一电源线、用于向驱动装置提供驱动信号的透明电极层和导电电极层、与第一电源线交叠以在其间插入绝缘层的存储电极、以及有机电致发光层。
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公开(公告)号：CN103293804B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210581647.9
申请日：2012-12-27
Applicant: 乐金显示有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133707 , G02F2001/13606 , H01L33/08
Abstract: 一种液晶显示装置，包括：第一基板；在第一基板上的栅极线和栅极；在具有栅极线和栅极的第一基板上方的第一绝缘层；在第一绝缘层上的有源层；在有源层上的源极和漏极，源极和漏极包括依次形成的第一导电层、透明导电层和第二导电层；在第一绝缘层上的与源极连接的数据线，数据线由透明导电层和第二导电层形成；在第一绝缘层上的与漏极连接的像素电极，像素电极由透明导电层形成；在数据线上的有机绝缘层；在具有有机绝缘层的第一基板的整个上表面上方的第二绝缘层；在第二绝缘层上的与像素电极和有机绝缘层交叠的公共电极，公共电极和像素电极产生边缘电场；与第一基板贴合的第二基板；和在第一基板与第二基板之间的液晶层。
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公开(公告)号：CN102200665A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110077086.4
申请日：2011-03-25
Applicant: 乐金显示有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/13458 , H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 本申请涉及一种高透光度平面内转换液晶显示器及其制造方法，尤其涉及一种具有水平电场的水平电场型液晶显示器及其制造方法，所述水平电场位于设置在相同水平面上的像素电极和公共电极的上方。所述水平电场型液晶显示器包括：基板；彼此交叉并且在基板上限定像素区域的栅极线和数据线，在栅极线和数据线之间具有栅极绝缘层；薄膜晶体管，形成在栅极线和数据线交叉处；像素电极，在栅极绝缘层上接触薄膜晶体管；公共电极，与像素电极平行地隔着预定距离设置；和钝化层，覆盖包括像素电极和公共电极的基板的整个表面。根据本申请，由于所有液晶分子，包括设置在像素电极和公共电极正上方的分子都被水平电场所驱动，因此可以提高透光度和孔径比。
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公开(公告)号：CN101424882B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200810173007.8
申请日：2008-10-29
Applicant: 乐金显示有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F1/14 , H01L21/02 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , G03F1/36 , G03F1/44 , G03F1/50 , G03F7/0005 , H01L27/1214 , H01L27/124
Abstract: 本发明涉及一种曝光设备，即使曝光设备具有低分辨率，也可以通过改变掩模图案形成微米图案，本发明还涉及用于分别形成图案、沟道和孔的方法，和液晶显示器件及其制造方法。用于形成图案的方法包括如下步骤：在基板上形成薄膜，在薄膜上涂覆光致抗蚀剂膜，将掩模在光致抗蚀剂膜上对准，该掩模形成在基底材料上，且包括光遮蔽部分和限定在除光遮蔽部分以外区域的透射部分，所述的光遮蔽部分具有线性支持部分和在该支持部分的边界处的非平坦部分，利用掩模将光致抗蚀剂膜曝光于波长大于300nm的UV光束，以在非平坦部分邻近处引起折射，并且对曝光的光致抗蚀剂膜显影，由此形成光致抗蚀剂膜图案，利用形成的光致抗蚀剂膜图案构图薄膜。
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