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公开(公告)号：CN1936703B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200610132209.9
申请日：2002-06-18
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 野津手重德
Abstract: 本发明提供一种可容易地获得透射率控制膜的膜厚均匀性高的灰调掩模的制造方法。例如，在透明衬底11上依次形成透射率控制膜12(CrO等)、透射率降低膜13(Cr等)和抗蚀剂膜14，除去应形成透光部的部分(区域C)上的抗蚀剂，除去该部分上的透射率降低膜13和透射率控制膜12而形成透光部，接着，除去应形成灰调部的部分(区域A)上的抗蚀剂，除去该部分上的透射率降低膜13而形成灰调部，来制造灰调掩模。
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公开(公告)号：CN102270651A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110172539.1
申请日：2008-03-19
Applicant: 智慧投资II有限责任公司
IPC: H01L27/146 , G03F1/14
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F1/50 , H01L21/31116
Abstract: 本发明是装置和图像传感器。本发明涉及一种光掩模以及利用该掩模来制造图像传感器的方法，图像传感器的制造方法包括在逻辑电路区域和像素区域中的在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成光刻胶；图案化光刻胶以形成其中暴露像素区域中的绝缘层而不暴露逻辑电路区域中的绝缘层的光刻胶图案，其中在逻辑电路区域到像素区域的方向上光刻胶图案的厚度在像素区域与逻辑电路区域之间的界面区域中逐渐减小；和在光刻胶图案和绝缘层的蚀刻速率基本相同的条件下在绝缘层和光刻胶图案上实施回蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN102269929A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110151789.7
申请日：2011-05-30
Applicant: 因普利亚公司
Inventor： 贾森·K·斯托尔斯 , 艾伦·J·特莱茨基 , 道格拉斯·A·凯斯勒 , 安德鲁·格伦维尔
CPC classification number: G03F7/0043 , G03F7/0042 , G03F7/20 , G03F7/327 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及图案化的无机层、基于辐射的图案化组合物和相应方法。稳定化的前驱物溶液可用来形成辐射无机涂层材料。所述前驱物溶液一般包含金属低氧化物阳离子、基于过氧化物的配位基和多原子阴离子。这些前驱物溶液可经设计以使所述前驱物溶液达到高稳定性水平。所得涂层材料可经设计以用诸如紫外线、x射线辐射或电子束辐射等所选辐射图案化。所述经辐射图案化的涂层材料可视材料特性而具有高对比度，以致能成功显影潜像，从而形成具有极低线宽粗糙度的线和具有极小间距的相邻结构。
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公开(公告)号：CN101750878B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810207517.2
申请日：2008-12-22
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 张飞
IPC: G03F1/14
Abstract: 一种光学邻近校正方法，包括：测量掩模版上的测试图形，获得所述测试图形的图形参数；根据所述掩模版进行曝光，获得所述曝光形成的图形参数；对所述曝光形成的图形参数进行过滤处理；根据所述曝光形成的图形参数和所述测试图形的图形参数，获得与所述曝光采用的扫描形式对应的校正因子；根据所述校正因子，对原有光学邻近校正模型进行更新，获得与所述曝光采用的扫描形式对应的光学邻近校正模型。本发明根据曝光时采用不同的扫描形式所造成的参数差异，计算校正因子，并对原有的光学邻近校正模型进行更新，获得更新的光学邻近校正模型，从而提高了光学邻近校正的准确性。
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公开(公告)号：CN101644888B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200810117725.3
申请日：2008-08-04
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 黄旭鑫
Abstract: 一种曝光方法，包括：提供基底，所述基底的表面具有膜层，所述膜层具有至少一个分离的同时曝光区域，每一所述同时曝光区域中包含分离的检测区和至少一个光学修正区；执行预曝光操作，获得任一所述同时曝光区域中曝光焦距分布；计算所述检测区的曝光焦距与各光学修正区的曝光焦距平均值之间的差值；调整所述基底使其偏离水平位置，使对应所述光学修正区的曝光焦距平均值的光学修正区与检测区间的高度差等于所述差值；对调整后的所述基底执行曝光操作。可在利用现有掩模版的前提下减小曝光偏差。本发明还提供了一种掩模版，和一种掩模版设计方法，利用所述掩模版执行曝光操作时，可减小曝光偏差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101726994B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910237338.8
申请日：2009-11-10
Applicant: 北京控制工程研究所
Abstract: APS太阳敏感器可识别多孔掩膜板，所述的掩膜板包括玻璃基板及镀膜层，玻璃基板下表面镀膜，玻璃基板镀膜面上光刻至少3个成像小孔，任意两个成像小孔之间x方向距离、y方向距离中至少一个方向距离差异不小于20个像素，成像小孔方形区域边界边长不超过d单位mm，d＝L-2htanα；其中，L为APS太阳敏感器中的图像传感器有效像平面边长；h为掩膜板到所述的图像传感器像平面的距离；α为APS太阳敏感器的视场角。本发明采用多孔阵中孔间特征独立，可快速识别被污染小孔，保证产品具有高的数据更新率，适于工程应用。
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公开(公告)号：CN102236248A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010153020.4
申请日：2010-04-20
Applicant: 株式会社COWINDST
Abstract: 本公开内容涉及一种用于修复半色调掩模的方法和系统，其可通过执行一个修复过程来确保修复部分均匀的透过率，且即便是在表层膜形成之后，也能提供除去缺陷这一功能，所述修复过程包括：使用激光束从半色调掩模中除去缺陷；在缺陷区域上有效地形成阻挡膜；调节阻挡膜的厚度；以及实时地调节透过率。
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公开(公告)号：CN102221776A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110200248.9
申请日：2008-06-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F1/14
CPC classification number: G03F1/144 , G03F1/36 , G03F7/70441 , G03F7/705
Abstract: 本发明公开了一种用于光学邻近效应校正的多变量求解器以及一种求解方法，其中本发明的方法遵循在掩模布局中的边缘片段的统一运动如何改变在所述布局中的控制点上的抗蚀剂图像值，以及如何同时确定针对在所述布局中的每个边缘片段的校正量。表示在掩模布局中的每个边缘片段的运动的统一效果的多求解器矩阵被用于同时确定针对在所述掩模布局中的每个边缘片段的校正量。
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公开(公告)号：CN102208359A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110005232.2
申请日：2011-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/76 , H01L21/768 , H01L27/02 , G03F1/14 , G06F17/50
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F1/70
Abstract: 本发明公开了一种制作半导体元件的方法与设备。此设备包含第一光罩与第二光罩。第一光罩上具有多个第一特征形成，且第一光罩具有第一全域图案密度。第二光罩上具有多个第二特征，且第二光罩具有第二全域图案密度。这些第一特征与第二特征共同定义出半导体元件的一层的一布局影像。第一全域图案密度与第二全域图案密度具有一预设比例。
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公开(公告)号：CN102207675A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110080340.6
申请日：2011-03-31
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 吉田光一郎
IPC: G03F1/14 , G03F7/00 , G02F1/1343
Abstract: 本发明涉及光掩模及其制造方法。一种光掩模，其以如下方式形成：针对形成于待蚀刻加工的被加工体上的抗蚀剂膜，进行转印图案部的图案的转印，使抗蚀剂膜成为作为所述蚀刻加工中的掩模的抗蚀剂图案。在所述转印图案部中，设置有通过对形成在透明基板上的半透光膜进行构图而形成的透光部和半透光部。在透明基板的与所述转印图案部不同的区域中，设置由遮光膜形成的标记图案形成部。
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