公开(公告)号：CN107153326A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201611178550.8

申请日：2016-12-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张书豪 ,  高国璋 ,  黄建元 ,  陈政宏

IPC分类号： G03F7/11

CPC分类号： G03F7/70341 ,  B05D1/60 ,  B05D3/06 ,  B05D3/061 ,  B05D3/068 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/038 ,  G03F7/11 ,  G03F7/167 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2039 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70325 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68764

摘要： 本发明的实施例公开了用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底，在衬底上方形成沉积增强层(DEL)并且使有机气体在DEL的表面附近流动。在有机气体的流动期间，该方法还包括用图案化的辐射辐照DEL和有机气体。有机气体的元素通过图案化的辐射而聚合，从而在DEL上方形成光刻胶图案。该方法还包括用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻DEL，从而形成图案化的DEL。

公开(公告)号：CN104093520A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380008066.9

申请日：2013-03-01

申请人： 费罗公司

发明人： 特里·J·德特雷 ,  乔治·E·萨科斯克 ,  斯蒂芬·罗兹吾德 ,  约瑟夫·E·萨维尔

IPC分类号： B23K26/18 ,  B05D5/00 ,  C08K3/10 ,  G03F7/00 ,  B41M5/00

CPC分类号： B23K26/18 ,  B05D5/00 ,  B23K26/352 ,  B41M5/26 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/20 ,  Y10T428/24802 ,  B23K26/0661

摘要： 本发明描述了多种激光印标组合物和相关方法。所述激光印标组合物包含钼金属络合物、钨金属络合物或其组合。使用所述组合物及其方法在底物上形成的标志或其他标记表现出更高对比度和改善的底物结合。

公开(公告)号：CN1954271B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200580015295.9

申请日：2005-04-25

申请人： TDK株式会社

发明人： 水岛哲郎 ,  吉成次郎 ,  塚越拓哉 ,  三浦荣明 ,  春原秀树 ,  井原理惠

IPC分类号： G03H1/02 ,  G03F7/004 ,  G03F7/033 ,  G03F7/075 ,  G11B7/0065

CPC分类号： G11B7/24044 ,  G03F7/001 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/0757 ,  G03H1/02 ,  G03H2001/0264 ,  G03H2260/12 ,  G11B7/0065 ,  G11B7/245 ,  G11B7/249 ,  G11B7/2531

摘要： 提供一种全息照相记录材料及全息照相记录介质，所述全息照相记录材料不需要进行记录时的预曝光处理，实现高的折射率变化、高灵敏度、低散射、耐环境性、耐久性、低尺寸变化及高多重性，适用于体积型全息照相记录。其全息照相记录材料包含软化温度为50℃以上的基体材料和在室温下为液相的光聚合性单体。相对全息照相记录材料整体，优选含有基 体材料50重量％以上90重量％以下。全息照相记录材料的软化温度优选为0℃以上。

公开(公告)号：CN102086171A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010564361.0

申请日：2010-11-26

申请人： 株式会社艾迪科

发明人： 村田圣 ,  大石武雄 ,  君岛孝一

IPC分类号： C07C391/02 ,  C07C323/62 ,  C07C251/66 ,  C07C323/63 ,  C07F9/50 ,  C07C323/47 ,  C07C327/30 ,  C07C327/22 ,  C07C327/26 ,  C07D307/42 ,  C08F2/48 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027

CPC分类号： C08F2/50 ,  B33Y70/00 ,  C07C251/66 ,  C07C323/47 ,  C07C323/65 ,  C07C391/02 ,  C07C2601/14 ,  C07F9/5022 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/031 ,  G03F7/033 ,  G03F7/105 ,  Y10S430/114

摘要： 本发明提供一种新型化合物和使用该化合物的光聚合引发剂以及感光性组合物，该化合物稳定性优异、升华性低、显影性优异、可见光区域的透射率高，作为高效地吸收365nm等近紫外光而被活化的高感度的光聚合引发剂是有用的。具体而言，提供以下述通式(I)表示的肟酯化合物、含有该化合物的光聚合引发剂、以及在该光聚合引发剂中含有具有烯键式不饱和键的聚合性化合物而成的感光性组合物。，式中，R1及R2表示R11、COR11、CONR12R13或CN等，R11、R12及R13表示碳原子数为1～20的烷基等，R3及R4表示R11、OR11、COR11、CONR12R13、OCOR11、CN或卤原子等，a和b表示0～4的整数，X表示氧原子、硫原子等，R5表示OH、COOH或以通式(II)表示的基团。

公开(公告)号：CN101631746A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200880008227.3

申请日：2008-03-19

申请人： 韩国电子通信研究院

发明人： 金基出 ,  孟成烈 ,  申成镇 ,  康大峻

IPC分类号： C01G19/00

CPC分类号： C01G19/00 ,  C01P2002/70 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/14 ,  G03F7/0042 ,  Y10S430/143

摘要： 本发明提供合成ITO电子束光刻胶的方法和形成ITO图案的方法。通过将四水合氯化铟和二水合氯化锡溶解在2-乙氧基乙醇中而合成所述ITO电子束光刻胶。形成ITO图案的方法包括：在衬底上形成ITO电子束光刻胶膜；通过将所述ITO电子束光刻胶膜图案化而形成ITO电子束光刻胶图案；和通过对所述ITO电子束光刻胶图案进行退火而形成ITO图案。

公开(公告)号：CN101137936A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680007867.3

申请日：2006-01-24

申请人： 惠普开发有限公司

发明人： J·J·卡特格纳德赫苏斯

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B41M3/006 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/0047 ,  H05K3/105 ,  H05K3/125 ,  H05K3/182 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/1157

摘要： 一种用于原位形成毫微粒(520)的方法包括：将来自打印头的第一毫微粒反应物(160，300，304，308)沉积到期望的衬底(170)上；并且将来自所述打印头的第二毫微粒反应物(160，300，304，308)基本上沉积到所述第一反应物(160，300，304，308)上，其中所述第一毫微粒反应物(160，300，304，308)被配置为与所述第二毫微粒反应物(160，300，304，308)反应以形成毫微粒(520)。

公开(公告)号：CN1288498C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN02826253.0

申请日：2002-12-09

申请人： 3M创新有限公司

发明人： J·G·本特森 ,  R·J·德沃 ,  M·C·帕拉佐洛

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/029

CPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/0037 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/029 ,  G03F7/0385 ,  G03F7/039

摘要： 一种可多光子活化的光反应性组合物，它包括：(a)至少一种能进行酸引发的或自由基引发的化学反应的反应性物质；(b)光化学有效量的多光子光敏剂，它包括至少一种多光子升频转换的无机磷光体；和(c)光化学有效量的能被所述多光子光敏剂光敏化的单光子引发剂系统。

公开(公告)号：CN1598694A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410049025.7

申请日：2004-06-11

申请人： 韩国科学技术院

发明人： 郑喜台 ,  郑大焕 ,  高永观 ,  权起暎 ,  李修林

IPC分类号： G03F7/20 ,  C01B31/00

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  D01F9/127 ,  G03F7/0042 ,  G11B5/855

摘要： 本发明涉及一种形成沟槽型纳米图形的方法，其包括在基底上形成超分子薄膜，退火诱导超分子的自组装来形成规则结构，以及在形成的超分子规则结构上施用UV的步骤；还涉及制备CNT纳米芯片的方法，其包括使用形成的超分子纳米图形作为掩膜来形成对合成CNT必须的规则金属催化剂芯片，然后纵向合成CNT的步骤；本发明还涉及制备CNT－生物纳米芯片的方法，该方法包含将生物受体与制备的CNT芯片相连接的步骤。

公开(公告)号：CN1497662A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310100255.7

申请日：2003-10-13

申请人： 株式会社东芝

发明人： 川野健二 ,  伊藤信一 ,  盐原英志

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/67115 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/67109

摘要： 本发明的课题是抑制PEB处理中的酸对于抗蚀剂膜的再次附着。包含：在衬底上形成化学放大型抗蚀剂膜的工序；对上述化学放大型抗蚀剂膜照射能量线以形成潜像的工序；以及对上述化学放大型抗蚀剂膜进行加热处理的工序，一边使加热上述化学放大型抗蚀剂膜的加热部和上述衬底相对地移动，一边在上述加热部下表面与上述化学放大型抗蚀剂膜之间形成相对于上述加热部的相对的移动方向在反方向上流动的气流来进行上述加热处理。

公开(公告)号：CN1462298A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN02801512.6

申请日：2002-03-08

申请人： 捷时雅株式会社

发明人： 西村功 ,  别所信夫 ,  熊野厚司 ,  山田宪司

IPC分类号： C08L101/00 ,  C08L83/04 ,  C08L81/00 ,  C08L85/00 ,  G02B1/04 ,  G02B3/00 ,  G02B6/00 ,  G02B6/12 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/039 ,  G02B1/04 ,  G02B6/02033 ,  G03F7/001 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/0757 ,  C08L85/00 ,  C08L83/04

摘要： 提供一种可通过简单方法使折射率变化以得到一种折射率差充分大而且不因随后的使用条件的不同而发生变化的稳定的折射率图案和光学材料的组合物和形成该图案或光学材料的方法。该组合物包含(A)分解性化合物、(B)诸如四丁氧基钛、四甲氧基锆、四甲氧基锗或四甲氧基硅烷之类的烷氧基化物的水解产物或者诸如四氯硅烷之类的卤化物的水解产物，和(C)感放射线分解剂。该组合是感放射线性的。