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公开(公告)号：CN107925042B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201780002678.5
申请日：2017-01-16
IPC分类号： H01M2/16 , H01M2/14 , H01M10/052
摘要： 本发明涉及具有包含聚多巴胺的复合涂层的锂硫电池隔膜及其制造方法，更具体地，涉及通过在隔膜的一个表面上施加包含聚多巴胺和导电材料的复合涂层来抑制多硫化锂的溶出的锂硫电池。根据本发明的锂硫电池通过经由聚多巴胺的多孔结构吸附从正极溶出的多硫化锂来防止溶出和扩散，并且还通过提供额外的导电性而提供正极活性材料的反应位点，从而改善电池的容量和寿命特性。
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公开(公告)号：CN107925042A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201780002678.5
申请日：2017-01-16
IPC分类号： H01M2/16 , H01M2/14 , H01M10/052
摘要： 本发明涉及具有包含聚多巴胺的复合涂层的锂硫电池隔膜及其制造方法，更具体地，涉及通过在隔膜的一个表面上施加包含聚多巴胺和导电材料的复合涂层来抑制多硫化锂的溶出的锂硫电池。根据本发明的锂硫电池通过经由聚多巴胺的多孔结构吸附从正极溶出的多硫化锂来防止溶出和扩散，并且还通过提供额外的导电性而提供正极活性材料的反应位点，从而改善电池的容量和寿命特性。
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公开(公告)号：CN1601383A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410046286.3
申请日：2004-06-04
申请人： 韩国科学技术院
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08
摘要： 本发明涉及一种生成碳纳米管(CNT)纳米芯片的方法，其包含下述步骤：在基底上生成超分子薄膜，其中基底上沉积有CNR合成所用的金属催化剂，通过退火来诱导超分子的自组装从而形成规则结构，利用金属化合物对所形成的规则结构进行选择性着色，然后蚀刻金属化合物着色的薄膜以形成纳米尺度或者更小尺度的图形，采用所形成的金属化合物对超分子进行染色，利用染色后的超分子纳米图形来形成金属催化剂的纳米图形，并在所形成的金属催化剂图形上纵向生长碳纳米管(CNT)s，本发明还涉及制备生物芯片的方法，其包括将生物受体与所制备的CNT芯片相连接。
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公开(公告)号：CN1332270C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200410046286.3
申请日：2004-06-04
申请人： 韩国科学技术院
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08
摘要： 本发明涉及一种生成碳纳米管(CNT)纳米芯片的方法，其包含下述步骤：在基底上生成超分子薄膜，其中基底上沉积有CNR合成所用的金属催化剂，通过退火来诱导超分子的自组装从而形成规则结构，利用金属化合物对所形成的规则结构进行选择性着色，然后蚀刻金属化合物着色的薄膜以形成纳米尺度或者更小尺度的图形，采用所形成的金属化合物对超分子进行染色，利用染色后的超分子纳米图形来形成金属催化剂的纳米图形，并在所形成的金属催化剂图形上纵向生长碳纳米管(CNT)s，本发明还涉及制备生物芯片的方法，其包括将生物受体与所制备的CNT芯片相连接。
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公开(公告)号：CN1598694A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410049025.7
申请日：2004-06-11
申请人： 韩国科学技术院
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , D01F9/127 , G03F7/0042 , G11B5/855
摘要： 本发明涉及一种形成沟槽型纳米图形的方法，其包括在基底上形成超分子薄膜，退火诱导超分子的自组装来形成规则结构，以及在形成的超分子规则结构上施用UV的步骤；还涉及制备CNT纳米芯片的方法，其包括使用形成的超分子纳米图形作为掩膜来形成对合成CNT必须的规则金属催化剂芯片，然后纵向合成CNT的步骤；本发明还涉及制备CNT－生物纳米芯片的方法，该方法包含将生物受体与制备的CNT芯片相连接的步骤。
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公开(公告)号：CN1572721A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047553.9
申请日：2004-05-21
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： B82B3/00
CPC分类号： C12Q1/6837 , B82Y5/00
摘要： 本发明涉及一种生成纳米尺度的或更小尺度的图形的方法，其包含下述步骤：在基底上生成超分子薄膜，通过退火来诱导超分子的自组装从而形成规则结构，利用金属对所述规则结构进行选择性着色，然后蚀刻金属着色的薄膜。本发明还涉及一种制备纳米芯片的方法，该方法包含将生物受体与所形成的超分子纳米芯片或者基底相连接的步骤。
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