公开(公告)号：CN107848983A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042984.7

申请日：2016-07-15

申请人： 三菱瓦斯化学株式会社

发明人： 冈田佳奈 ,  堀内淳矢 ,  牧野嶋高史 ,  越后雅敏

IPC分类号： C07D233/64 ,  C07D405/04 ,  C08G8/36 ,  C08G16/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： C08G16/0268 ,  C07B63/04 ,  C07D233/64 ,  C07D405/04 ,  C08G8/36 ,  C08G16/00 ,  C09D161/00 ,  G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/26 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086

摘要： 下述式(1)所示的化合物或树脂。(式(1)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或为无桥接，R1各自独立地选自由卤素基团、氰基、硝基、氨基、羟基、硫醇基、杂环基、碳原子数1～30的烷基、碳原子数2～30的烯基、碳原子数6～40的芳基、及它们的组合组成的组，其中，该烷基、该烯基及该芳基任选包含醚键、酮键或酯键，R2各自独立地为碳数1～30的烷基、碳数6～40的芳基、碳数2～30的烯基、硫醇基或羟基，此处，R2的至少1个为包含羟基或硫醇基的基团，m各自独立地为0～7的整数(其中，m的至少1个为1～7的整数。)、p各自独立地为0或1，q为0～2的整数，n为1或2。)

公开(公告)号：CN107652222A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710845961.6

申请日：2013-05-06

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： 西前祐一 ,  仓久敏 ,  国本和彦 ,  山上隆平 ,  田中庆太

IPC分类号： C07D209/86 ,  C08F283/10 ,  C08F220/06 ,  C08F2/50 ,  C09D151/08 ,  C09D7/63 ,  G02B5/20 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/027 ,  C07D209/86 ,  C07D209/88 ,  C08F122/20 ,  C09D135/02 ,  G02B5/20 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/031 ,  G03F7/033 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  C08F2/50 ,  C08F283/10 ,  C09D151/08 ,  C08F220/06 ,  C08L33/10

摘要： 式I、II、III、IV或V的肟酯化合物为有效的光敏引发剂，其中Z为例如(式A)；Z1为例如NO2、未经取代或经取代的C7-C20芳酰基或未经取代或经取代的C4-C20杂芳酰基；条件为至少一个Z1不同于NO2；Z2为例如未经取代或经取代的C7-C20芳酰基；R1、R2、R3、R4、R5和R6为例如氢、卤素、或未经取代或经取代的C1-C20烷基、未经取代或经取代的C6-C20芳基、或未经取代或经取代的C4-C20杂芳基；R9、R10、R11、R12和R13为例如氢、卤素、OR16、未经取代或经取代的C1-C20烷基；条件为R9与R13不为氢或氟；R14为例如未经取代或经取代的C6-C20芳基或C3-C20杂芳基；Q为例如C6-C20亚芳基或C3-C20亚杂芳基；Q1为-C1-C20亚烷基-CO-；Q2为亚萘甲酰基；Q3为例如亚苯基；L为例如O-亚烷基-O-；R15为例如氢或C1-C20烷基；R20为例如氢、或未经取代或经取代的C1-C20烷基。

公开(公告)号：CN106537556A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201480080745.1

申请日：2014-12-22

申请人： 英特尔公司

发明人： Y·A·波罗多维斯基

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： G03F7/2037 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/30422 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31769 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

摘要： 描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，用于电子束直接写入光刻工具的列包括第一阻断器孔阵列(BAA)，该第一阻断器孔阵列(BAA)包括沿着阵列方向具有节距的开口的交错阵列。阵列方向与扫描方向正交。每个开口在阵列方向上都具有第一尺寸。列还包括第二BAA，该第二BAA包括沿着阵列方向具有节距的开口的交错阵列。每个开口在阵列方向上都具有第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸。

公开(公告)号：CN105218429A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510582742.4

申请日：2013-05-06

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： 西前祐一 ,  仓久敏 ,  国本和彦 ,  山上隆平 ,  田中庆太

IPC分类号： C07D209/86 ,  G03F7/031 ,  G03F7/027

CPC分类号： G03F7/027 ,  C07D209/86 ,  C07D209/88 ,  C08F122/20 ,  C09D135/02 ,  G02B5/20 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/031 ,  G03F7/033 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30

摘要： 式I、II、III、IV或V的肟酯化合物为有效的光敏引发剂，其中Z为例如(式A)；Z1为例如NO2、未经取代或经取代的C7-C20芳酰基或未经取代或经取代的C4-C20杂芳酰基；条件为至少一个Z1不同于NO2；Z2为例如未经取代或经取代的C7-C20芳酰基；R1、R2、R3、R4、R5和R6为例如氢、卤素、或未经取代或经取代的C1-C20烷基、未经取代或经取代的C6-C20芳基、或未经取代或经取代的C4-C20杂芳基；R9、R10、R11、R12和R13为例如氢、卤素、OR16、未经取代或经取代的C1-C20烷基；条件为R9与R13不为氢或氟；R14为例如未经取代或经取代的C6-C20芳基或C3-C20杂芳基；Q为例如C6-C20亚芳基或C3-C20亚杂芳基；Q1为-C1-C20亚烷基-CO-；Q2为亚萘甲酰基；Q3为例如亚苯基；L为例如O-亚烷基-O-；R15为例如氢或C1-C20烷基；R20为例如氢、或未经取代或经取代的C1-C20烷基。

公开(公告)号：CN104037061A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410251013.6

申请日：2014-06-07

申请人： 北京工业大学

发明人： 隋曼龄 ,  卢岳 ,  陈福荣

IPC分类号： H01L21/02 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/2059 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70858 ,  H01J2237/31796 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/0277 ,  G03F7/2037

摘要： 一种湿环境下电子束纳米刻蚀、印刷的方法属于电子曝光领域。该方法首先在需要刻蚀、印刷的基片表面，附着一层溶液、湿气氛或者湿环境固化层，然后放置于电子束曝光装置中进行电子束曝光，即可在基片上刻蚀、印刷出所需的纳米微加工图案。该方法中所用的湿环境溶液多为去离子水、含金属离子溶液、络合物或者其它对环境友好型溶液。此方法在电子束曝光后即可得到纳米尺度微加工成品，无需传统电子束刻蚀、印刷过程中所需的光阻等化学成分以及显影、定影、漂洗、刻蚀、镀金等繁杂加工过程，且电子束曝光速率快，电子束光刻、印刷线宽均匀，线宽尺寸与电子束尺寸相同，因此能够极大地提高生产效率，降低纳米尺度微加工生产成本。

公开(公告)号：CN103827750A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280044672.1

申请日：2012-09-11

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 泷泽裕雄 ,  椿英明 ,  平野修史

IPC分类号： G03F7/038 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0041 ,  C08F12/20 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F212/32 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/325 ,  H01J37/3174

摘要： 一种图案形成方法，所述方法以下列顺序包括：步骤(1)：用电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物形成膜，所述电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物含有树脂(A)、化合物(B)和溶剂(C)，所述树脂(A)具有酸分解性重复单元并且能够通过酸的作用降低所述树脂(A)在含有有机溶剂的显影液中的溶解度，所述化合物(B)能够在用电子束或极紫外线辐射照射时产生酸；步骤(2)：用电子束或极紫外线辐射将所述膜曝光；和步骤(4)：在所述膜的曝光之后通过用包含有机溶剂的显影液将所述膜显影而形成阴图型图案，其中基于所述组合物的全部固体含量，所述化合物(B)的含量是21质量％至70质量％。

公开(公告)号：CN103797066A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201280044486.8

申请日：2012-09-21

申请人： AZ电子材料美国公司

发明人： 吴恒鹏 ,  曹毅 ,  洪圣恩 ,  殷建 ,  M·波内斯丘 ,  M·O·尼斯尔 ,  林观阳

IPC分类号： C08L53/00

CPC分类号： G03F7/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F212/08 ,  C08F212/32 ,  C08F220/14 ,  C08F293/00 ,  C08L53/00 ,  C09D125/14 ,  C09D125/16 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/2037

摘要： 本发明涉及新的中性层组合物和使用该中性层组合物来对定向自组装嵌段共聚物(BCP)的微畴进行对准的方法。该组合物和方法可用于制作电子装置。该中性层组合物包含至少一种无规共聚物，其具有至少一个结构单元(1)、至少一个结构单元(2)和至少一个结构单元(3)其中R1选自C1-C8烷基、C1-C8氟烷基部分、C1-C8部分氟化的烷基、C4-C8环烷基、C4-C8环氟烷基、C4-C8部分氟化的环烷基和C2-C8羟基烷基；R2、R3和R5独立的选自H、C1-C4烷基、CF3和F；R4选自H、C1-C8烷基、C1-C8部分氟化的烷基和C1-C8氟烷基，n是1-5，R6选自H、F、C1-C8烷基和C1-C8氟烷基和m是1-3。

公开(公告)号：CN102702073A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210129016.3

申请日：2008-04-24

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： 松本亮 ,  田边纯一 ,  仓久敏 ,  大和昌纪

IPC分类号： C07D209/88 ,  C07D209/86 ,  C07D209/80 ,  C07D403/10 ,  C07D409/14 ,  C07D417/12 ,  C07D417/14 ,  C07D405/10 ,  C08F2/48 ,  C08F2/46 ,  C08F2/54 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G02B5/20

CPC分类号： G03F7/027 ,  C07D209/80 ,  C07D209/86 ,  C07D209/88 ,  C07D403/10 ,  C07D409/06 ,  C07D409/14 ,  G02B5/20 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2039 ,  G03F7/30

摘要： 本发明涉及一种肟酯光引发剂。本发明涉及式(I)、(II)和(III)的化合物，其中R1、R2、R′2和R″′2为例如C1-C20烷基，条件是R1、R2、R′2和R″′2中至少一个带有规定的取代基；R3、R4和R5例如彼此独立地为氢或限定的取代基，条件是R3、R4或R5中至少一个不是氢或C1-C20烷基；R6，R7，R8，R′7，RV，R′8，R″6，R″7，R″′6和R″′7例如彼此独立地具有对于R3、R4和R5给出的含义之一；R9为例如C1-C20烷基，其在光聚合反应中显示出非常好的性能。

公开(公告)号：CN1297251A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00132743.7

申请日：2000-11-16

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 山下浩 ,  小日向秀夫

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N23/2251 ,  G03F1/36 ,  G03F7/2037 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31769

摘要： 本发明涉及一种分段掩膜图案转印型电子束曝光方法,其中预定图案被分为多个分区,在每个所述分区形成分段图案,依次地对每个所述分区进行曝光,完成整个所述指定图案的投影;包括如下步骤;对分区执行曝光,并且在其上面转印分段图案,用各个所述分段图案的反转图案的散焦电子束对所述分段图案的每个投影区域执行纠正曝光,从而纠正由于图案曝光所造成的邻近效应。本发明可以容易地在光刻步骤中为邻近效应纠正进行纠正曝光调节。

公开(公告)号：CN104508557B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201380039975.9

申请日：2013-09-19

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 上村聪 ,  高桥秀知 ,  加藤启太

IPC分类号： G03F7/038 ,  C08F212/14 ,  C08F220/04 ,  C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  C08F220/28 ,  C08F220/58 ,  C08F232/00 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0388 ,  C08F212/14 ,  C08F212/32 ,  C08F220/04 ,  C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  C08F220/28 ,  C08F220/58 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/30 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40

摘要： 本发明的图案形成方法包括(i)使用光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物形成膜，所述光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物含有具有包含能够通过归因于酸的作用的分解而生成极性基团的基团的重复单元和包含羧基的重复单元的树脂(A)，根据使用光化射线或放射线的照射生成酸的化合物(B)，以及溶剂(C)；(ii)使用KrF准分子激光、极紫外线或电子束将所述膜曝光；以及(iii)通过使用包含有机溶剂的显影液将已曝光的膜显影而形成阴图型色调图案。