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公开(公告)号：CN104520769A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380041829.X
申请日：2013-08-02
Applicant: 原子能和辅助替代能源委员会
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/09 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01J2237/31769 , H01J2237/31796
Abstract: 本发明涉及非常高能量(50keV或更高)的电子束光刻技术。根据本发明，将通过光刻技术制成图案的层通过保持结构支撑，所述保持结构包括基底10(例如由硅制成)和由多孔性材料制成的中间层22，该多孔性材料的密度低于其它方面相同但为非多孔性材料的密度，此材料、尤其是硅或碳纳米管具有小原子序数，小于32并且优选小于20。此结构减小了向后散射的电子对高分辨率光刻图案的影响。
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公开(公告)号：CN102419510B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110214208.X
申请日：2011-07-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/78 , H01J2237/004 , H01J2237/31796
Abstract: 本发明提供一种层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜的被加工基板，所述被加工基板上至少依序层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜，所述被加工基板上具有导电性无机薄膜来作为表层，其特征在于：在所述被加工基板的被加工面，具有前述有机导电性膜与前述导电性无机薄膜一部分直接接触的区域。由此，提供一种被加工基板，其可有效率地进行去除静电，并且即便进行高电流密度的电子束照射，也可稳定地形成高精度光阻图案。
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公开(公告)号：CN102419510A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110214208.X
申请日：2011-07-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/78 , H01J2237/004 , H01J2237/31796
Abstract: 本发明提供一种层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜的被加工基板，所述被加工基板上至少依序层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜，所述被加工基板上具有导电性无机薄膜来作为表层，其特征在于：在所述被加工基板的被加工面，具有前述有机导电性膜与前述导电性无机薄膜一部分直接接触的区域。由此，提供一种被加工基板，其可有效率地进行去除静电，并且即便进行高电流密度的电子束照射，也可稳定地形成高精度光阻图案。
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公开(公告)号：CN104155846A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310456172.5
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/095 , G03F7/2022 , H01J2237/31769 , H01J2237/31796 , H01L21/0274 , H01L21/76811 , H01L21/76895 , H01L2221/1021
Abstract: 本发明提供了一种方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行光刻曝光工艺，由此在第一光刻层内形成第一潜在部件，并且在第二光刻胶层内形成第二潜在部件。本发明还提供了采用单次曝光限定多层图案的方法。
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公开(公告)号：CN103733023A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280039614.X
申请日：2012-05-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: G06K9/4604 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01B15/04 , G01N23/22 , G06T7/0004 , H01J37/3174 , H01J2237/221 , H01J2237/226 , H01J2237/2816 , H01J2237/31754 , H01J2237/31796 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在用CD－SEM对于因电子射线照射而收缩的抗蚀剂进行测长时，为了高精度地估计收缩前的形状、尺寸，预先对于各种图案，准备包含电子射线照射前截面形状数据、各种电子射线照射条件下得到的截面形状数据群以及CD－SEM图像数据群、和基于它们的模型的收缩数据库，取得被测定抗蚀剂图案的CD－SEM图像（S102），将CD－SEM图像和收缩数据库进行比对（S103），估计被测定图案的收缩前的形状和尺寸，并输出（S104）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104520769B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201380041829.X
申请日：2013-08-02
Applicant: 原子能和辅助替代能源委员会
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/09 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01J2237/31769 , H01J2237/31796
Abstract: 本发明涉及非常高能量(50keV或更高)的电子束光刻技术。根据本发明，将通过光刻技术制成图案的层通过保持结构支撑，所述保持结构包括基底10(例如由硅制成)和由多孔性材料制成的中间层22，该多孔性材料的密度低于其它方面相同但为非多孔性材料的密度，此材料、尤其是硅或碳纳米管具有小原子序数，小于32并且优选小于20。此结构减小了向后散射的电子对高分辨率光刻图案的影响。
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公开(公告)号：CN104155846B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201310456172.5
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/095 , G03F7/2022 , H01J2237/31769 , H01J2237/31796 , H01L21/0274 , H01L21/76811 , H01L21/76895 , H01L2221/1021
Abstract: 本发明提供了一种方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行光刻曝光工艺，由此在第一光刻层内形成第一潜在部件，并且在第二光刻胶层内形成第二潜在部件。本发明还提供了采用单次曝光限定多层图案的方法。
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公开(公告)号：CN103733023B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201280039614.X
申请日：2012-05-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: G06K9/4604 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01B15/04 , G01N23/22 , G06T7/0004 , H01J37/3174 , H01J2237/221 , H01J2237/226 , H01J2237/2816 , H01J2237/31754 , H01J2237/31796 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在用CD－SEM对于因电子射线照射而收缩的抗蚀剂进行测长时，为了高精度地估计收缩前的形状、尺寸，预先对于各种图案，准备包含电子射线照射前截面形状数据、各种电子射线照射条件下得到的截面形状数据群以及CD－SEM图像数据群、和基于它们的模型的收缩数据库，取得被测定抗蚀剂图案的CD－SEM图像（S102），将CD－SEM图像和收缩数据库进行比对（S103），估计被测定图案的收缩前的形状和尺寸，并输出（S104）。
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公开(公告)号：CN104037061B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410251013.6
申请日：2014-06-07
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: G03F7/2059 , G03F7/20 , G03F7/70858 , H01J2237/31796 , H01L21/31111
Abstract: 一种湿环境下电子束纳米刻蚀、印刷的方法属于电子曝光领域。该方法首先在需要刻蚀、印刷的基片表面，附着一层溶液、湿气氛或者湿环境固化层，然后放置于电子束曝光装置中进行电子束曝光，即可在基片上刻蚀、印刷出所需的纳米微加工图案。该方法中所用的湿环境溶液多为去离子水、含金属离子溶液、络合物或者其它对环境友好型溶液。此方法在电子束曝光后即可得到纳米尺度微加工成品，无需传统电子束刻蚀、印刷过程中所需的光阻等化学成分以及显影、定影、漂洗、刻蚀、镀金等繁杂加工过程，且电子束曝光速率快，电子束光刻、印刷线宽均匀，线宽尺寸与电子束尺寸相同，因此能够极大地提高生产效率，降低纳米尺度微加工生产成本。
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公开(公告)号：CN103155090B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180047008.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/31796 , H01L21/26586 , H01L21/266
Abstract: 一种使用多阶离子植入将图案化光阻改质的方法及其系统。使多个图案化光阻特征的粗糙度轮廓减少的方法包括以下步骤。每个图案化光阻特征包括第一侧壁和位于第一侧壁对面的第二侧壁，其中每个图案化光阻特征包括中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度。执行多个离子照射周期，其中每个离子照射周期包括：以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第一侧壁；以及以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第二侧壁。藉由执行多个离子照射周期，中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度减少。
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