公开(公告)号：CN111640652B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202010429964.3

申请日：2015-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石志聪 ,  游信胜 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明提供了一种图案化衬底的方法。该方法包括图案化形成在衬底上方的光刻胶层以生成光刻胶图案，以及利用离子束来处理该光刻胶图案。离子束由诸如CH4、SiH4、Ar或He的气体生成，并且该离子束以至少10°的倾斜角度被引导至光刻胶图案。在实施例中，离子束以一致的扭转角度或具有单峰或双峰分布的扭转角度被引导至光刻胶图案。离子束减小了光刻胶图案的线边缘粗糙度(LER)、线宽粗糙度(LWR)和/或临界尺寸。该方法还包括利用被处理的光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻衬底。本发明还提供了用于集成电路图案化的方法。

公开(公告)号：CN112987502A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011255598.0

申请日：2020-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李奕纬 ,  陈瑞杰 ,  石志聪 ,  李宗泉

IPC: G03F7/20

Abstract: 根据部分实施例，本公开提供了一种用于处理半导体晶片的方法。此方法包括在微影曝光设备中将载体以及由载体支撑的遮罩一起运输。此方法还包含透过磁场调节载体中的微粒。另外，此方法包括从载体移除遮罩。此方法还包含使用遮罩对微影曝光设备中的半导体晶片执行微影曝光制程。

公开(公告)号：CN111708250A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010531834.0

申请日：2013-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢彦丞 ,  石志聪 ,  游信胜 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/50 ,  G03F1/20 ,  G03F1/58 ,  G03F7/039 ,  G03F7/095 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了用于光刻曝光工艺的掩模的一个实施例。该掩模包括：掩模衬底；第一掩模材料层，被图案化以具有限定第一层图案的多个第一开口；以及第二掩模材料层，被图案化以具有限定第二层图案的多个第二开口。本发明还公开了利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模。

公开(公告)号：CN110874009A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910818426.0

申请日：2019-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石志聪 ,  简聪智 ,  傅士奇 ,  傅啟华 ,  郑国堂 ,  刘柏村 ,  李宗泉

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/54

Abstract: 一种极紫外线遮罩及其制造方法。极紫外(extreme ultraviolet；EUV)遮罩包括：多层钼/硅堆叠、覆盖层及在覆盖层上的吸收体层。钼/硅堆叠包含安置于遮罩基板的第一主表面之上的交替的钼及硅层；覆盖层由钌制成并且安置在多层钼/硅堆叠之上。极紫外遮罩包括电路图案区域及粒子吸引区域，并且覆盖层在粒子吸引区域的图案的底部处暴露。

公开(公告)号：CN109782547A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811235210.3

申请日：2018-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政宽 ,  郑博中 ,  陈立锐 ,  石志聪

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/7015 ,  G03F1/24 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70708 ,  G03F7/70783

Abstract: 本公开实施例提供一种光刻方法。上述方法包括放置具有多个曝光场域的一半导体晶圆在一晶圆平台上方。上述方法还包括投射一极紫外光在半导体晶圆上。上述方法还包括在极紫外光投射至半导体晶圆的第一群曝光场域的同时，通过施加一第一调控电压至晶圆平台的电极以固定半导体晶圆在晶圆平台。第一调控电压的范围介于约1.6kV至约3.2kV。

公开(公告)号：CN105629657A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510843839.6

申请日：2015-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石志聪 ,  游信胜 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC: G03F1/24

Abstract: 本发明实施例提供了一种光刻掩模。光刻掩模包括：含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层含有折射率在从约0.95至约1.01的范围内和消光系数大于约0.03的材料。本发明实施例涉及EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法。

公开(公告)号：CN111948897B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202010806388.X

申请日：2015-03-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄道旻 ,  陈嘉仁 ,  李信昌 ,  石志聪 ,  游信胜 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC: G03F1/24

Abstract: 本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一厚度以及在辅助部件区域中具有不同于第一厚度的第二厚度。在一些这样的实施例中，配置第二厚度使得被辅助部件区域反射的辐射不超过目标的光刻胶的曝光阈值。本发明还涉及用于光刻工艺的辅助部件。

公开(公告)号：CN114690545A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110569403.8

申请日：2021-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石志聪 ,  简聪智 ,  李宗泉 ,  张皓翔

IPC: G03F1/66

Abstract: 一种倍缩光罩容器及微影系统，倍缩光罩容器包含底座，包含第一表面；以及遮盖，包含第二表面，遮盖以第一表面朝向第二表面的方式耦合至底座。底座与遮盖形成包含倍缩光罩的内部空间。此倍缩光罩容器包含限制机构配置于内部空间中，以固定内部空间中的倍缩光罩与邻设于倍缩光罩的结构。此结构至少局部围绕倍缩光罩，且限制倍缩光罩容器的外部环境与内部空间之间的污染的通路。此结构包含阻障设于第一表面与第二表面上。在其他例子中，填料设置于阻障与第一表面及第二表面之间的间隙中。在其他例子中，此结构包含墙结构设于第一表面与第二表面上以及限制机构之间。

公开(公告)号：CN114284382A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202110448356.1

申请日：2021-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石志聪 ,  卢皓彦 ,  徐英杰 ,  斯帝芬鲁苏 ,  周淳朴

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  G02B6/122

Abstract: 一种半导体器件。半导体器件包含位于第一介电层上方的波导。波导的第一部分具有第一宽度，且波导的第二部分具有大于第一宽度的第二宽度。半导体器件包含第一掺杂半导体结构和第二掺杂半导体结构。波导的第二部分位于第一掺杂半导体结构与第二掺杂半导体结构之间。

公开(公告)号：CN106019850B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201610153625.0

申请日：2016-03-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石志聪 ,  郑介任 ,  陈政宏 ,  陈家桢 ,  游信胜 ,  严涛南 ,  赖韦志

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明的实施例公开了用于监控EUV光刻系统的焦点的系统和方法。另一方面包括具有测量第一移位值和测量第二移位值的操作的方法，其中对于晶圆上的焦点测试结构的第一组图案化的子结构，测量第一移位值，并且对于晶圆上的测试结构的第二组图案化的子结构，测量第二移位值。可以使用非对称照明在晶圆上形成测试结构，测试结构具有第一组图案化的子结构和第二组图案化的子结构，第一组图案化的子结构具有第一间距，第二组图案化的子结构具有与第一间距不同的第二间距。方法还包括，基于第一移位值和第二移位值之间的差值来确定用于照明系统的焦点移位补偿。