-
公开(公告)号：CN119575749A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411819517.3
申请日：2019-10-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 彼得-詹·范兹沃勒 , S·伯恩特松 , D·德格拉夫 , 约翰内斯·克里斯蒂安·里昂纳多斯·弗兰肯 , A·J·M·吉斯贝斯 , A·L·克莱因 , J·H·克洛特韦克 , P·S·A·克纳彭 , E·库尔干诺娃 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , A·W·诺藤布姆 , M·瓦莱特 , M·A·范德克尔克霍夫 , W·T·A·J·范登艾登 , T·W·范德伍德 , H·J·旺德杰姆 , A·N·兹德拉夫科夫
Abstract: 一种用于制造用于EUV光刻的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供叠层，叠层包括：至少一个隔膜层，由平面基底支撑，其中所述平面基底包括内部区和围绕所述内部区的边界区；和第一牺牲层，所述第一牺牲层位于所述平面基底与所述隔膜层之间；选择性地移除所述平面基底的所述内部区，其中选择性地移除所述平面基底的所述内部区的步骤包括使用对于所述隔膜层及其氧化物具有类似的蚀刻速率且对于所述第一牺牲层具有实质上不同的蚀刻速率的蚀刻剂；使得所述隔膜组件包括：隔膜，所述隔膜由所述至少一个隔膜层形成；和边界部，所述边界部保持所述隔膜，所述边界部包括所述平面基底的所述边界区和位于所述边界部与所述隔膜层之间的所述第一牺牲层。
-
公开(公告)号：CN113267956B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110137144.1
申请日：2021-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、以及设置在帽盖层上的吸收体层。该吸收体层包括由Cr基材料、Ir基材料、Pt基材料或Co基材料中的一者或多者制成的基础材料，并且还包含选自由Si、B、Ge、Al、As、Sb、Te、Se和Bi组成的组的一种或多种附加元素。
-
公开(公告)号：CN113253563B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110081395.2
申请日：2021-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底，设置在衬底之上的反射多层，设置在反射多层之上的帽盖层，设置在帽盖层之上的中间层，设置在中间层之上的吸收体层，以及设置在吸收体层之上的覆盖层。中间层包括氢扩散率比帽盖层的材料更低的材料。
-
公开(公告)号：CN118922779A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380029334.9
申请日：2023-03-29
Applicant: 凸版光掩模有限公司
Abstract: 本公开的目的在于提供一种最大限度地利用相移效应、具有高转印性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本公开的一个方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、形成在基板(1)上的具有多层膜结构并反射EUV光的反射层(2)、形成在反射层(2)上并保护反射层(2)的保护层(3)、以及形成在保护层(3)上并吸收EUV光的吸收层(4)，吸收层(4)具备功能彼此不同的吸收层(4a)和吸收层(4b)，吸收层(4)具有190度以上270度以下范围内的相位差。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118348737A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410636442.9
申请日：2024-05-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 樱井敬佑
Abstract: 本发明的反射型光掩模坯料具有：基板1；反射作为极端紫外线区域光的曝光光的多层反射膜2；用于保护多层反射膜2的保护膜3；吸收曝光光的光吸收膜4；以及与光吸收膜4相接形成的硬掩模。光吸收膜4是包含含氧的光吸收膜4的氧化层41及吸收层42的多层结构。硬掩模是包含第二层52、53(2A、2B)、或是包含第一层51及第二层52、53(2A、2B)多层结构。第二层52、53是包含含氧的上方硬掩模层52(2A)和下方硬掩模层53(2B)的多层结构。
-
公开(公告)号：CN118302719A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280076428.7
申请日：2022-11-22
Applicant: 凸版光掩模有限公司
Abstract: 本公开的目的在于提供最大限度地活用相移效应、且具有高转印性(特别是分辨率)的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本公开的一个方式涉及的反射型光掩模坯(100)的特征在于，具备：基板(11)；形成在基板(11)上的具有多层膜结构的反射EUV光的反射层(12)；形成在反射层(12)上、保护反射层(12)的保护层(13)；以及形成在保护层(13)上的吸收EUV光的吸收层(14)，吸收层(14)具有200度以上280度以下的范围内的相位差。
-
公开(公告)号：CN118276392A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311039920.X
申请日：2023-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于极紫外线反射型光罩的薄膜及其制造方法，用于极紫外线(extreme ultraviolet,EUV)反射型光罩的薄膜包括附接至框架的膜。此膜包括多个纳米管束，各纳米管束包括多个由第一纳米管材料制成并结合在一起的多壁纳米管，以及在多个纳米管束上的第二纳米管材料的多个包裹层，第二纳米管材料不同于第一纳米管材料。此薄膜有利地具有良好的EUV透光率，增加了在EUV曝光环境下的强度，从而延长了寿命。
-
公开(公告)号：CN111213090B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201880066747.3
申请日：2018-10-05
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 段福·史蒂芬·苏
Abstract: 一种用于改善光刻过程的方法，所述光刻过程用于使用具有照射系统和投影光学装置的光刻投影设备将图案形成装置图案的一部分成像至衬底上，所述方法包括：(1)获得对由所述投影光学装置对辐射的投影进行模型化的模拟模型，其中所述模拟模型模型化所述投影光学装置中的遮蔽的效应；和基于所述模拟模型，对所述图案形成装置图案的所述部分进行配置，和/或(2)获得对由投影光学装置对辐射的投影进行模型化的模拟模型，其中所述模拟模型模型化由所述投影光学装置产生的辐射的变形缩小率，和在考虑变形制造规则或变形制造规则比率的情况下，基于所述模拟模型对所述图案形成装置图案的所述部分进行配置。
-
公开(公告)号：CN113906343B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202080039794.6
申请日：2020-05-28
Applicant: 凸版光掩模有限公司
Abstract: 提供可以在抑制投影效应的同时提高掩模的寿命的反射型光掩模坯和反射型光掩模。反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、设置在基板(1)上并反射入射光的反射部(7)、以及设置在反射部(7)上并吸收入射光的低反射部(8)。低反射部(8)为至少2层以上的层叠结构。低反射部(8)的最表层(5)相对于EUV(Extreme UltraViolet：极端紫外线，波长13.5nm)光的折射率n为0.90以上、消光系数k为0.02以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
360
records
(took 0.018 seconds)
