公开(公告)号：CN112864002B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202010788008.4

申请日：2020-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  赖韦翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 本文揭示一种制造半导体元件的方法。方法包括在基板的经图案化表面上形成第一平坦化材料的第一层，在第一平坦化层上形成第二平坦化材料的第二层，交联第一平坦化材料的一部分及第二平坦化材料的一部分，并移除第二平坦化材料中未经交联的一部分。在一实施例中，方法进一步包括在移除第二平坦化材料中未经交联的部分之后，在第二平坦化材料上形成第三平坦化材料的第三层。第三平坦化材料可包括底部抗反射涂膜或旋涂碳，及酸或酸产生剂。第一平坦化材料可包括旋涂碳及酸、热酸产生剂或光酸产生剂。

公开(公告)号：CN112558416B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202010942037.1

申请日：2020-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底的第一主表面的边缘部分之上形成第一保护层。在半导体衬底的第一主表面之上形成含金属光致抗蚀剂层。去除第一保护层，并且将含金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射。在半导体衬底的第一主表面的边缘部分之上形成第二保护层。对经选择性曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成经图案化的光致抗蚀剂层，并且去除第二保护层。

公开(公告)号：CN118444523A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311574500.1

申请日：2023-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  李信昌 ,  李环陵 ,  林进祥

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64

Abstract: 一种光罩护膜及其制造方法，用于EUV光罩的光罩护膜包括附接至框架的薄膜。薄膜包括纳米管、部分覆盖每一纳米管的表面的Ru‑O‑X催化剂结构、以及用以覆盖Ru‑O‑X催化剂结构及每一纳米管的表面的保护层。X为Mo、Ti、Zr或Nb的金属元素。Ru‑O‑X催化剂结构包括形成于每一纳米管的表面上的含X材料的第一纳米颗粒及形成于第一纳米颗粒上的含Ru材料的第二纳米颗粒，从而形成催化剂或催化剂桥。光罩护膜有利地具有高EUV穿透率及对攻击颗粒(诸如氢颗粒)的改善的耐久性，从而具有延长的寿命。

公开(公告)号：CN110955112B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910926287.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/16

Abstract: 一种光阻组成物及形成光阻图案的方法。形成光阻图案的方法包括：形成上方层于基板上的光阻层上方，上方层包含漂浮添加物聚合物；选择性曝光光阻层至光化辐射；显影光阻层，以在光阻层中形成图案；以及移除上方层。漂浮添加物聚合物为硅氧烷聚合物。

公开(公告)号：CN117420728A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311239301.5

申请日：2023-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何俊智 ,  林进祥 ,  张庆裕

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/004

Abstract: 一种制造半导体装置的方法以及光阻剂组成分，制造半导体装置的方法包括在基板上方形成包括光阻剂组成分的光阻剂层。将光阻剂层选择性地曝光于光化辐射，将选择性曝光的光阻剂层显影，以在光阻剂层中形成图案。光阻剂组成分包括聚合物，聚合物包括具有光裂解促进剂的多个单体单元，其中光裂解促进剂是一或多种选自由活性自由基聚合链转移剂、吸电子基团、庞大的二维(2‑D)或三维(3‑D)有机基团、N‑(酰氧基)邻苯二甲酰亚胺、和电子激发的自由基产生剂所组成的群组。

公开(公告)号：CN111752093B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202010221722.5

申请日：2020-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥 ,  刘朕与

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 在此提供一种用于形成半导体装置结构的方法。此方法包括形成材料层于基板之上，且形成光致抗蚀剂层于材料层之上。光致抗蚀剂层包括无机材料及辅助剂。无机材料包括多个金属核及多个第一连结基团，且第一连结基团键结至金属核。此方法包括曝光光致抗蚀剂层的一部分。光致抗蚀剂层包括曝光区域及未曝光区域。在曝光区域中，辅助剂与第一连结基团进行反应。此方法包括使用显影剂移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。显影剂包括具有式(a)的基于酮的溶剂、或具有式(b)的基于酯的溶剂。

公开(公告)号：CN115032861A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202110901466.9

申请日：2021-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌 ,  高蔡胜 ,  林进祥

IPC: G03F1/62

Abstract: 一种防护组件及形成倍缩光罩组件和增加防护薄膜寿命的方法，防护组件包括防护薄膜及在防护薄膜的外表面上的保形涂层。防护薄膜可由多个层形成且具有高透射率、低偏转及小微孔尺寸的组合。保形涂层旨在保护防护薄膜免受可能由于EUV曝光期间所产生的热量及氢电浆而发生的损坏。

公开(公告)号：CN111123657B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201910973178.7

申请日：2019-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐子正 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  彭瑞君 ,  刘恒信 ,  林进祥

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明实施例涉及产生电磁辐射的设备及方法。根据本发明的一些实施例，一种电磁辐射产生设备包含收集器、气体供应器及气体管道。收集器具有经配置以反射电磁辐射的反射表面。收集器包含底部部分、外围部分及介于底部部分与周边部分之间的中间部分。收集器的中间部分包含多个开口。气体供应器经配置以提供缓冲气体。气体管道与气体供应器及收集器连通，且经配置以使缓冲气体吹扫穿过中间部分的开口，以在收集器的反射表面附近形成气体保护层。中间部分的开口包含：多个孔，所述孔布置成包含多个孔行的阵列；或多个同心间隙。

公开(公告)号：CN110648903B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201910566656.2

申请日：2019-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘如淦 ,  林进祥 ,  赖志明 ,  林纬良 ,  严永松

IPC: H01L21/027

Abstract: 本公开涉及用于制造半导体器件的方法。本公开提供了用于制造半导体器件的方法。根据本公开的方面，在用于半导体器件的图案形成方法中，在设置在衬底上的底层中形成第一开口。通过定向蚀刻在第一轴上扩展第一开口，以在底层中形成第一凹槽。在底层上形成抗蚀剂图案。抗蚀剂图案包括与第一凹槽仅部分重叠的第二开口。通过将抗蚀剂图案用作蚀刻掩模来图案化底层，以形成第二凹槽。

公开(公告)号：CN109801839B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201811268522.4

申请日：2018-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体结构的形成方法。此方法包括：形成材料层于基底上方，以及形成辅助层于材料层上方。此辅助层包含：聚合物主链(backbone)、与聚合物主链键合的酸不稳定基团(acid labile group，ALG)、以及与聚合物主链键合的浮动基团(floating group)。此浮动基团包含氟化碳(CxFy)。此方法也包括形成阻抗层于辅助层上方，以及图案化阻抗层。