公开(公告)号：CN112864002B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202010788008.4

申请日：2020-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  赖韦翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 本文揭示一种制造半导体元件的方法。方法包括在基板的经图案化表面上形成第一平坦化材料的第一层，在第一平坦化层上形成第二平坦化材料的第二层，交联第一平坦化材料的一部分及第二平坦化材料的一部分，并移除第二平坦化材料中未经交联的一部分。在一实施例中，方法进一步包括在移除第二平坦化材料中未经交联的部分之后，在第二平坦化材料上形成第三平坦化材料的第三层。第三平坦化材料可包括底部抗反射涂膜或旋涂碳，及酸或酸产生剂。第一平坦化材料可包括旋涂碳及酸、热酸产生剂或光酸产生剂。

公开(公告)号：CN112558416B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202010942037.1

申请日：2020-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底的第一主表面的边缘部分之上形成第一保护层。在半导体衬底的第一主表面之上形成含金属光致抗蚀剂层。去除第一保护层，并且将含金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射。在半导体衬底的第一主表面的边缘部分之上形成第二保护层。对经选择性曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成经图案化的光致抗蚀剂层，并且去除第二保护层。

公开(公告)号：CN113113292B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202110336906.0

申请日：2021-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘之诚 ,  郭怡辰 ,  魏嘉林 ,  翁明晖 ,  陈彥儒 ,  李志鸿 ,  郑雅如 ,  杨棋铭 ,  李资良 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004

Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。

公开(公告)号：CN113359391B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202110391350.5

申请日：2021-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨立柏 ,  赖韦翰 ,  张庆裕

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56

Abstract: 本发明涉及光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基材上方形成光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，形成潜在图案。通过施加显影剂来使潜在图案显影以形成图案。光致抗蚀剂层包含光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含如下聚合物。#imgabs0#

公开(公告)号：CN113805435B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202111136294.7

申请日：2014-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦翰 ,  张庆裕

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 通过利用会分解的小基团在光刻胶曝光和后曝光烘烤中降低了收缩和质量损失。可选地，可以利用不会分解的大基团或者会分解的小基团和不会分解的大基团的组合。另外，可以利用极性官能团以便降低反应物穿过光刻胶的扩散。本发明还涉及光刻胶和方法。

公开(公告)号：CN110955112B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910926287.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/16

Abstract: 一种光阻组成物及形成光阻图案的方法。形成光阻图案的方法包括：形成上方层于基板上的光阻层上方，上方层包含漂浮添加物聚合物；选择性曝光光阻层至光化辐射；显影光阻层，以在光阻层中形成图案；以及移除上方层。漂浮添加物聚合物为硅氧烷聚合物。

公开(公告)号：CN117420728A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311239301.5

申请日：2023-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何俊智 ,  林进祥 ,  张庆裕

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/004

Abstract: 一种制造半导体装置的方法以及光阻剂组成分，制造半导体装置的方法包括在基板上方形成包括光阻剂组成分的光阻剂层。将光阻剂层选择性地曝光于光化辐射，将选择性曝光的光阻剂层显影，以在光阻剂层中形成图案。光阻剂组成分包括聚合物，聚合物包括具有光裂解促进剂的多个单体单元，其中光裂解促进剂是一或多种选自由活性自由基聚合链转移剂、吸电子基团、庞大的二维(2‑D)或三维(3‑D)有机基团、N‑(酰氧基)邻苯二甲酰亚胺、和电子激发的自由基产生剂所组成的群组。

公开(公告)号：CN111752093B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202010221722.5

申请日：2020-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥 ,  刘朕与

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 在此提供一种用于形成半导体装置结构的方法。此方法包括形成材料层于基板之上，且形成光致抗蚀剂层于材料层之上。光致抗蚀剂层包括无机材料及辅助剂。无机材料包括多个金属核及多个第一连结基团，且第一连结基团键结至金属核。此方法包括曝光光致抗蚀剂层的一部分。光致抗蚀剂层包括曝光区域及未曝光区域。在曝光区域中，辅助剂与第一连结基团进行反应。此方法包括使用显影剂移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。显影剂包括具有式(a)的基于酮的溶剂、或具有式(b)的基于酯的溶剂。

公开(公告)号：CN109801839B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201811268522.4

申请日：2018-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体结构的形成方法。此方法包括：形成材料层于基底上方，以及形成辅助层于材料层上方。此辅助层包含：聚合物主链(backbone)、与聚合物主链键合的酸不稳定基团(acid labile group，ALG)、以及与聚合物主链键合的浮动基团(floating group)。此浮动基团包含氟化碳(CxFy)。此方法也包括形成阻抗层于辅助层上方，以及图案化阻抗层。

公开(公告)号：CN113956706A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111234698.X

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  张庆裕

IPC: C09D7/63 ,  C09D5/00 ,  B05D7/00 ,  B05D1/40

Abstract: 提供了涂布技术和底漆材料。在示例性实施例中，涂布技术包括接收衬底和识别其上将形成层的衬底的材料。底漆材料分配在衬底的材料上，以及将成膜材料施加至底漆材料。底漆材料包括包含基于衬底材料的属性的第一基团和基于成膜材料的属性的第二基团的分子。衬底材料和成膜材料的合适的属性包括水亲和力和极性程度，并且第一基团和第二基团可以选择为具有分别与衬底材料和成膜材料的水亲和力或极性程度对应的水亲和力或极性程度。本发明的实施例还涉及用于衬底涂层的底漆材料。