-
公开(公告)号：CN113943314B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110506652.2
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。有机金属前体包含芳族二齿配体、与所述芳族二齿配体配位的过渡金属和与所述过渡金属配位的极紫外(EUV)可裂解配体。所述芳族二齿配体包含多个吡嗪分子。
-
公开(公告)号：CN119364841A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410410256.3
申请日：2024-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及形成具有低寄生电容的隔离区域。一种方法，包括：形成栅极堆叠，以及蚀刻栅极堆叠以形成穿透栅极堆叠的沟槽。栅极堆叠下方的电介质隔离区域暴露于沟槽，并且栅极堆叠的第一部分和第二部分被沟槽隔开。该方法包括：执行第一沉积工艺以形成延伸到沟槽中并且内衬栅极堆叠的第一部分和第二部分的侧壁的第一电介质层，以及执行第二沉积工艺以在第一电介质层上形成第二电介质层。第二电介质层填充沟槽。第一电介质层具有第一介电常数，第二电介质层具有大于第一介电常数的第二介电常数。
-
公开(公告)号：CN113113292B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110336906.0
申请日：2021-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/004
Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。
-
公开(公告)号：CN113946096B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202110629605.7
申请日：2021-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。所述有机金属前体包括MaXbLc的化学式，其中M是金属，X是包括吡咯样氮和吡啶样氮的多齿芳族配体，L是极紫外(EUV)可裂解的配体，a在1和2之间，b等于或大于1，c等于或大于1。
-
公开(公告)号：CN108807182B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201711294959.0
申请日：2017-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 半导体装置的制造方法包含在第一鳍片上方形成金属栅极结构，金属栅极结构被第一介电材料环绕，以及在第一介电材料上方形成盖层，金属栅极结构与盖层之间的蚀刻选择性超过预定的临界值。半导体装置的制造方法也包含在第一鳍片和第一介电材料上方形成图案化的硬掩模层，其中图案化的硬掩模层的开口将金属栅极结构的一部分和盖层的一部分暴露出来。半导体装置的制造方法还包含移除由图案化的硬掩模层的开口暴露出的金属栅极结构的一部分。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115842021A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210844354.9
申请日：2022-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。形成半导体器件的方法包括：在衬底上方形成互连结构；在互连结构上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上形成第一多层结构，包括：在蚀刻停止层上形成第一导电层；利用等离子体工艺处理第一导电层的上层；在处理过的第一导电层上方形成第二导电层。方法还包括：图案化第一多层结构以形成第一电极；在第一电极上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成第二多层结构，第二多层结构具有与第一多层结构相同的层结构；以及图案化第二多层结构以形成第二电极。
-
公开(公告)号：CN115810592A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210720022.X
申请日：2022-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01L23/10
Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括在第一晶圆上形成第一接合层，以及形成延伸至第一接合层中的第一导热通道。第一导热通道的第一导热率值高于第一接合层的第二导热率值。该方法还包括在第二晶圆上形成第二接合层，以及形成延伸至第二接合层中的第二导热通道。第二导热通道的第三导热率值高于第二接合层的第四导热率值。将第一晶圆接合至第二晶圆，并且第一导热通道至少物理接触第二导热通道。在第一晶圆上方形成互连结构。互连结构电连接至第一晶圆中的集成电路器件。本发明的实施例还涉及半导体结构。
-
公开(公告)号：CN115763227A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210719400.2
申请日：2022-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , G03F7/004
Abstract: 公开了光刻胶及其形成和使用方法。在实施例中，一种方法包括在目标层上方旋涂第一硬掩模层；使用化学气相沉积或原子层沉积在第一硬掩模层上方沉积光刻胶层，使用一种或多种有机金属前体沉积光刻胶层；加热光刻胶层以引起一种或多种有机金属前体之间的交联；将光刻胶层暴露于图案化的能量；加热光刻胶层以引起光刻胶层中的解交联，形成光刻胶层的解交联的部分；以及去除光刻胶层的解交联的部分。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN115424982A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210781059.3
申请日：2022-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 方法包括在衬底上方形成栅极结构；邻近栅极结构形成源极/漏极区域；在源极/漏极区域上方形成第一层间电介质(ILD)；形成延伸穿过第一ILD的接触插塞，该接触插塞电接触源极/漏极区域；在接触插塞上形成硅化物层；形成在第一ILD和硅化物层上方延伸的第二ILD；蚀刻延伸穿过第二ILD和硅化物层的开口以暴露接触插塞，其中，硅化物层在开口的蚀刻期间用作蚀刻停止；以及在开口中形成电接触该接触插塞的导电部件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN115050693A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210331718.3
申请日：2022-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/66 , H01L21/316 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 一种形成半导体装置的方法包含执行第一原子层沉积(ALD)制程以在第一空白晶圆上方形成第一材料层，第一ALD制程包含：使用第一前驱物执行第一前驱物子循环；使用惰性气体执行第一净化子循环；以及使用第二前驱物及惰性气体执行第二前驱物子循环；以及使用惰性气体在不同于第一空白晶圆的第二空白晶圆上方执行第一持续时间的第二净化子循环，以将第一缺陷沉积至第二空白晶圆上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
232
records
(took 0.041 seconds)
