-
公开(公告)号：CN114628239A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210110688.3
申请日：2022-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/308
Abstract: 在实施例中，形成半导体器件的方法包括：在目标层上方形成光刻胶；实施等离子体增强沉积工艺，等离子体增强沉积工艺蚀刻光刻胶的侧壁，同时在光刻胶的侧壁上沉积间隔件层；图案化间隔件层以在光刻胶的侧壁上形成间隔件；以及使用间隔件和光刻胶作为组合蚀刻掩模来蚀刻目标层。
-
公开(公告)号：CN109786460B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201810609921.6
申请日：2018-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例描述了栅极结构和栅极间隔件以及形成这些的方法。在实施例中，一种结构包括位于衬底上的有源区，位于有源区上且位于衬底上方的栅极结构，以及位于有源区上且沿着栅极结构的侧壁的低k栅极间隔件。栅极结构包括位于有源区上的共形栅极电介质并且包括位于共形栅极电介质上方的栅电极。共形栅极电介质沿着低k栅极间隔件的第一侧壁垂直延伸。在一些实施例中，可以在已经通过替换栅极工艺去除伪栅极结构之后使用选择性沉积工艺来形成低k栅极间隔件。本发明实施例涉及低k栅极间隔件及其形成。
-
公开(公告)号：CN110660735B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910024599.5
申请日：2019-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 一种方法包括分别蚀刻伪栅极堆叠件的第一部分和第二部分以形成第一开口和第二开口，以及沉积氮化硅层以填充第一开口和第二开口。沉积氮化硅层包括从使用氢自由基处理第一氮化硅层、注入第一氮化硅层及它们的组合中选择的第一工艺。该方法还包括蚀刻伪栅极堆叠件的第三部分以形成沟槽，蚀刻位于第三部分下方的半导体鳍以将沟槽向下延伸到半导体衬底的位于伪栅极堆叠件下面的主体部分中，以及将第二氮化硅层沉积到沟槽中。本发明的实施例还涉及用于介电层的应力调制。
-
公开(公告)号：CN113948371A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110421104.X
申请日：2021-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本公开涉及半导体图案化及所得的结构。一种方法包括在目标层之上沉积硬掩模。沉积硬掩模包括沉积具有第一密度的第一硬掩模层，以及在第一硬掩模层之上沉积第二硬掩模层，第二硬掩模层具有大于第一密度的第二密度。该方法进一步包括：在硬掩模之上形成多个心轴；在多个心轴之上并沿着多个心轴的侧壁沉积间隔件层；图案化间隔件层以在多个心轴的侧壁上提供多个间隔件；在图案化间隔件层之后，去除多个心轴；将多个间隔件的图案转移到硬掩模；以及使用硬掩模作为掩模来图案化目标层。
-
公开(公告)号：CN108807182B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201711294959.0
申请日：2017-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 半导体装置的制造方法包含在第一鳍片上方形成金属栅极结构，金属栅极结构被第一介电材料环绕，以及在第一介电材料上方形成盖层，金属栅极结构与盖层之间的蚀刻选择性超过预定的临界值。半导体装置的制造方法也包含在第一鳍片和第一介电材料上方形成图案化的硬掩模层，其中图案化的硬掩模层的开口将金属栅极结构的一部分和盖层的一部分暴露出来。半导体装置的制造方法还包含移除由图案化的硬掩模层的开口暴露出的金属栅极结构的一部分。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113571473A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110514306.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及间隙填充结构及其制造方法。一种方法包括图案化沟槽，并且使用共形沉积工艺沿着沟槽的侧壁和底表面沉积第一绝缘材料。沉积第一绝缘材料包括在第一绝缘材料的在沟槽的第一侧壁上的第一部分与第一绝缘材料的在沟槽的第二侧壁上的第二部分之间形成第一接缝。该方法还包括将第一绝缘材料蚀刻至低于沟槽的顶部，并且使用共形沉积工艺在第一绝缘材料之上以及沟槽中沉积第二绝缘材料。沉积第二绝缘材料包括在第二绝缘材料的在沟槽的第一侧壁上的第一部分与第二绝缘材料的在沟槽的第二侧壁上的第二部分之间形成第二接缝。
-
公开(公告)号：CN113539970A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110404397.0
申请日：2021-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造方法。提供了一种半导体器件和制造方法。在实施例中，形成电介质鳍以帮助隔离相邻半导体鳍。使用沉积工艺形成电介质鳍，其中沉积时间和温度用于增加电介质鳍对后续蚀刻工艺的抗性。
-
公开(公告)号：CN113948464A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110409830.X
申请日：2021-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及具有栅极间隔件结构的场效应晶体管器件。提供了一种半导体器件及形成这种半导体器件的方法。根据本公开的方法包括：在衬底之上形成半导体元件，该半导体元件包括沟道区域和源极/漏极区域；在半导体元件的沟道区域之上形成虚设栅极堆叠；在虚设栅极堆叠的侧壁之上沉积第一间隔件层；在第一间隔件层之上沉积第二间隔件层，其中，第二间隔件层包括至少一个硅子层和至少一个含氮子层；在沉积第二间隔件层之后，蚀刻半导体元件的源极/漏极区域以形成源极/漏极凹部；以及在蚀刻之后，去除第二间隔件层。
-
公开(公告)号：CN113497119A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110326985.7
申请日：2021-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/092
Abstract: 提供了半导体器件和制造方法。在实施方式中，沉积第一衬里以给第一半导体鳍与第二半导体鳍之间的凹部装衬里，所述第一衬里包含第一材料。所述第一衬里被退火以使所述第一材料转化为第二材料。沉积第二衬里以给所述凹部装衬里，所述第二衬里包含第三材料。所述第二衬里被退火以使所述第三材料转化为第四材料。
-
公开(公告)号：CN109786460A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810609921.6
申请日：2018-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例描述了栅极结构和栅极间隔件以及形成这些的方法。在实施例中，一种结构包括位于衬底上的有源区，位于有源区上且位于衬底上方的栅极结构，以及位于有源区上且沿着栅极结构的侧壁的低k栅极间隔件。栅极结构包括位于有源区上的共形栅极电介质并且包括位于共形栅极电介质上方的栅电极。共形栅极电介质沿着低k栅极间隔件的第一侧壁垂直延伸。在一些实施例中，可以在已经通过替换栅极工艺去除伪栅极结构之后使用选择性沉积工艺来形成低k栅极间隔件。本发明实施例涉及低k栅极间隔件及其形成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.032 seconds)
