-
公开(公告)号：CN119008529A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410610897.3
申请日：2024-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置的制造方法及形成半导体装置的方法，半导体装置的制造方法包括形成磊晶堆叠，磊晶堆叠包括至少一牺牲磊晶层及至少一通道磊晶层。在磊晶堆叠中形成鳍片。执行调谐操作以在操作期间防止牺牲磊晶层的宽度扩展超出通道磊晶层的宽度以形成隔离特征。在鳍片之间形成隔离特征，其中牺牲磊晶层的宽度不扩展超出通道磊晶层的宽度。形成牺牲栅极堆叠。在牺牲栅极堆叠的多个侧壁上形成栅极侧壁间隔物。围绕牺牲磊晶层及通道磊晶层形成内部间隔物。形成多个源极/漏极特征。移除牺牲栅极堆叠及牺牲磊晶层。形成替换金属栅极，其中防护金属栅极不受源极/漏极特征影响。
-
公开(公告)号：CN110544691B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201811168951.4
申请日：2018-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
-
公开(公告)号：CN112750770A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011171719.3
申请日：2020-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍的相反侧形成隔离区域；在鳍上方形成虚设栅极；减小虚设栅极的靠近隔离区域的下部的厚度，其中，在减小该厚度之后，虚设栅极的下部的相反侧壁之间的距离随着虚设栅极向隔离区域延伸而减小；在减小该厚度之后，至少沿着虚设栅极的下部的相反侧壁形成栅极填充材料；沿着虚设栅极的侧壁并沿着栅极填充材料的侧壁形成栅极间隔件；以及用金属栅极替换虚设栅极。
-
公开(公告)号：CN112750703A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011187135.5
申请日：2020-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍的相反侧形成隔离区域；在鳍上方形成虚设栅极电极；去除虚设栅极电极的靠近隔离区域的下部，其中，在去除下部之后，在隔离区域与虚设栅极电极的面向隔离区域的下表面之间存在间隙；用栅极填充材料填充间隙；在填充间隙之后，沿着虚设栅极电极的侧壁并沿着栅极填充材料的侧壁形成栅极间隔件；以及用金属栅极替换虚设栅极电极和栅极填充材料。
-
公开(公告)号：CN109216354B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201810200862.7
申请日：2018-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本发明提供了用于在半导体器件结构中切割(例如分割)金属栅极结构的方法。在一些实例中，双层结构可以在替换栅极制造工艺中形成子金属栅极结构。在实例中，半导体器件包括设置在层间介电(ILD)层中的多个金属栅极结构，其中，层间介电(ILD)层设置在衬底上，设置在金属栅极结构之间的隔离结构，其中，ILD层限制隔离结构的周界，以及设置在ILD层和隔离结构之间的介电结构。本发明的实施例还涉及金属栅极结构切割工艺。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112151540A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010440341.6
申请日：2020-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造方法。提供了一种半导体器件和方法，由此在衬底的第一区域和第二区域中形成一系列间隔体。第一区域中的一系列间隔体被图案化，而第二区域中的一系列间隔体被保护，以便将第一区域中的间隔体的性质与第二区域中的间隔体的性质分隔开。
-
公开(公告)号：CN109860183A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201810825543.5
申请日：2018-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。第一FinFET器件包括在顶视图中在第一方向上延伸的第一鳍结构。第二FinFET器件包括在顶视图中在第一方向上延伸的第二鳍结构。第一FinFET器件和第二FinFET器件是不同类型的FinFET器件。在顶视图中多个栅极结构在第二方向上延伸。第二方向不同于第一方向。每个栅极结构部分地包裹在第一鳍结构和第二鳍结构周围。在第一FinFET器件和第二FinFET器件之间设置介电结构。介电结构将每个栅极结构切割成用于第一FinFET器件的第一区段和用于第二FinFET器件的第二区段。介电结构位于相比于第二FinFET器件更靠近第一FinFET器件的位置。
-
公开(公告)号：CN109841618A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810521136.5
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二侧壁上的绝缘填充材料。衬垫还位于第一鳍的第一侧壁和第一鳍的第二侧壁之间的第一鳍的表面上。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
-
公开(公告)号：CN105304493A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410393518.6
申请日：2014-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/0206 , H01L21/31053 , H01L21/31116 , H01L21/32115 , H01L21/32136 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L21/823857 , H01L21/845 , H01L29/0653 , H01L29/41791 , H01L29/42356 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/66795
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造半导体器件的方法包括：提供具有凹槽和衬垫凹槽的介电层的工件；在凹槽内形成导电结构，其中，导电结构部分地填充凹槽；以及使介电层凹进，其中，在凹进之后，凹进的介电层的顶面设置在凹槽内部。
-
公开(公告)号：CN105097445A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510201123.6
申请日：2015-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32862 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32633 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供了去除蚀刻室中的颗粒的方法，包括：在干蚀刻室中形成涂层，将晶圆放置在干蚀刻室内，蚀刻晶圆的含金属层，以及将晶圆移出干蚀刻室。在将晶圆移出干蚀刻室之后，去除涂层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
85
records
(took 0.044 seconds)
