公开(公告)号：CN109841618A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201810521136.5

申请日：2018-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉仁 ,  张铭庆 ,  陈宜群 ,  林育贤 ,  殷立炜 ,  潘姿文 ,  张正忠 ,  徐绍华

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二侧壁上的绝缘填充材料。衬垫还位于第一鳍的第一侧壁和第一鳍的第二侧壁之间的第一鳍的表面上。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。

公开(公告)号：CN109727977B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201810376849.7

申请日：2018-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉仁 ,  殷立炜 ,  潘姿文 ,  陈宜群 ,  张正忠 ,  徐绍华 ,  林育贤 ,  张铭庆

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明描述了切割栅极结构和鳍的方法以及由此形成的结构。在实施例中，衬底包括第一鳍和第二鳍以及隔离区。第一鳍和第二鳍纵向平行延伸，隔离区设置在第一鳍和第二鳍之间。栅极结构包括位于第一鳍上方的共形栅极电介质和位于共形栅极电介质上方的栅电极。第一绝缘填充结构邻接栅极结构并且从栅极结构的上表面的层级垂直地至少延伸至隔离区的表面。共形栅极电介质的任何部分都不在第一绝缘填充结构和栅电极之间垂直延伸。第二绝缘填充结构邻接第一绝缘填充结构和第二鳍的端部侧壁。第一绝缘填充结构横向地设置在栅极结构和第二绝缘填充结构之间。本发明的实施例还提供了半导体结构切割方法及由此形成的半导体结构。

公开(公告)号：CN109841618B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201810521136.5

申请日：2018-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉仁 ,  张铭庆 ,  陈宜群 ,  林育贤 ,  殷立炜 ,  潘姿文 ,  张正忠 ,  徐绍华

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二侧壁上的绝缘填充材料。衬垫还位于第一鳍的第一侧壁和第一鳍的第二侧壁之间的第一鳍的表面上。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。

公开(公告)号：CN113113362A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110080777.3

申请日：2021-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宜群 ,  蔡雅怡 ,  杨宜伟 ,  古淑瑗 ,  陈嘉仁

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置与其形成方法。方法包括进行一系列的蚀刻工艺，以形成沟槽穿过金属栅极与隔离区至半导体基板中。沟槽切穿并分开金属栅极成第一金属栅极与第二金属栅极，并形成凹陷于半导体基板中。一旦形成沟槽，可沉积介电插塞材料至沟槽中以形成切割金属栅极插塞，其锚定于半导体基板的凹陷中并分开第一金属栅极与第二金属栅极。如此一来，锚定的切割金属栅极插塞可提供高电阻，以在操作时减少半导体装置中的漏电流，并可改善半导体装置的电压触发效能。

公开(公告)号：CN119947153A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411878279.3

申请日：2024-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  林日泽 ,  陈宜群 ,  冯玠宁 ,  洪志昌

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/62

Abstract: 本申请涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例提供了一种用于形成高纵横比沟槽(例如，CPODE/CMODE沟槽)而不损坏相邻结构(例如，外延源极/漏极特征)的蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN109727977A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810376849.7

申请日：2018-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉仁 ,  殷立炜 ,  潘姿文 ,  陈宜群 ,  张正忠 ,  徐绍华 ,  林育贤 ,  张铭庆

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明描述了切割栅极结构和鳍的方法以及由此形成的结构。在实施例中，衬底包括第一鳍和第二鳍以及隔离区。第一鳍和第二鳍纵向平行延伸，隔离区设置在第一鳍和第二鳍之间。栅极结构包括位于第一鳍上方的共形栅极电介质和位于共形栅极电介质上方的栅电极。第一绝缘填充结构邻接栅极结构并且从栅极结构的上表面的层级垂直地至少延伸至隔离区的表面。共形栅极电介质的任何部分都不在第一绝缘填充结构和栅电极之间垂直延伸。第二绝缘填充结构邻接第一绝缘填充结构和第二鳍的端部侧壁。第一绝缘填充结构横向地设置在栅极结构和第二绝缘填充结构之间。本发明的实施例还提供了半导体结构切割方法及由此形成的半导体结构。

公开(公告)号：CN107968054A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201710233180.1

申请日：2017-04-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宜群 ,  尹宗凡 ,  邱意为 ,  夏英庭 ,  许立德

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/28026

Abstract: 提供一种半导体结构的形成方法。在一实施例中，形成半导体结构的方法包括形成开口穿过绝缘层与形成第一功函数金属层于开口中。此方法亦包括使第一功函数金属层凹陷至开口中，以形成凹陷的第一功函数金属层；以及形成第二功函数金属层于开口中及凹陷的第一功函数金属层上。第二功函数调整层衬垫并悬于凹陷的第一功函数金属层上。

公开(公告)号：CN220856579U

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202322399815.9

申请日：2023-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王于瑄 ,  曾钲钧 ,  陈宜群 ,  林育贤 ,  陈嘉仁

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H10B10/00

Abstract: 一种半导体装置在基材上包含二种不同类型的半导体结构。半导体装置包含具有第一类型的第一半导体结构、具有第二类型的第二半导体结构、阻障结构、第二金属层及第三金属层。阻障结构设置于第一半导体结构与第二半导体结构间，且阻障结构包含第一金属层，第一金属层设置于第一半导体结构与第二半导体结构间。第二金属层设置于第一半导体结构及阻障结构的第一金属层之上，但非设置于第二半导体结构之上。第三金属层设置于第一半导体结构、第二半导体结构及阻障结构的第二金属层之上。

公开(公告)号：CN222509863U

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202420302466.6

申请日：2024-02-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  陈宜群 ,  林日泽

IPC: H10D30/62 ,  H10D64/27

Abstract: 一种半导体元件包含半导体区域、栅极堆叠以及鳍片隔离区域。栅极堆叠在半导体区域上，其中栅极堆叠包含第一栅极堆叠部位以及第二栅极堆叠部位。鳍片隔离区域分离第一栅极堆叠部位以及第二栅极堆叠部位，其中鳍片隔离区域包含第一部分以及多个第二部分。第一部分高于栅极堆叠的底面。多个第二部分位于第一部分下方并连接至第一部分，其中多个第二部分中的第一最外侧部分具有第一深度，第一深度等于或是大于多个第二部分中的内侧部分的第二深度。

公开(公告)号：CN222839999U

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202421582297.2

申请日：2024-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  陈宜群 ,  林日泽

IPC: H10D30/62 ,  H10D64/27 ,  H10D62/10 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H10D30/01

Abstract: 本揭露的一些实施例提供半导体装置。一种半导体装置包括栅极结构、沟槽及介电材料。栅极结构形成于半导体基板上方。沟槽形成在半导体基板中且邻近于栅极结构。半导体基板在沟槽下方形成有沟槽底表面。沟槽底表面包括间隔开的多个突出部，突出部被多个凹槽分离，突出部的每一者具有最上部表面。突出部更靠近栅极结构的最上部表面位于比突出部在沟槽的中心处的最上部表面更深的深度处。介电材料位于沟槽中。