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公开(公告)号：CN109841618A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810521136.5
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二侧壁上的绝缘填充材料。衬垫还位于第一鳍的第一侧壁和第一鳍的第二侧壁之间的第一鳍的表面上。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
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公开(公告)号：CN111081755B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910950871.2
申请日：2019-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种器件包括：从衬底延伸的第一鳍；设置在第一鳍上的栅极堆叠；设置在第一鳍中的源极/漏极区域；设置在源极/漏极区域上方的接触蚀刻停止层(CESL)；沿栅极堆叠的一侧延伸的栅极间隔体；以及设置在CESL和栅极间隔体之间的电介质插塞，其中，电介质插塞、CESL、栅极间隔体、和源极/漏极区域共同限定了空隙，该空隙将栅极堆叠与源极/漏极区域物理地分开。
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公开(公告)号：CN109841618B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810521136.5
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二侧壁上的绝缘填充材料。衬垫还位于第一鳍的第一侧壁和第一鳍的第二侧壁之间的第一鳍的表面上。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
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公开(公告)号：CN109727977B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810376849.7
申请日：2018-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/78
Abstract: 本发明描述了切割栅极结构和鳍的方法以及由此形成的结构。在实施例中，衬底包括第一鳍和第二鳍以及隔离区。第一鳍和第二鳍纵向平行延伸，隔离区设置在第一鳍和第二鳍之间。栅极结构包括位于第一鳍上方的共形栅极电介质和位于共形栅极电介质上方的栅电极。第一绝缘填充结构邻接栅极结构并且从栅极结构的上表面的层级垂直地至少延伸至隔离区的表面。共形栅极电介质的任何部分都不在第一绝缘填充结构和栅电极之间垂直延伸。第二绝缘填充结构邻接第一绝缘填充结构和第二鳍的端部侧壁。第一绝缘填充结构横向地设置在栅极结构和第二绝缘填充结构之间。本发明的实施例还提供了半导体结构切割方法及由此形成的半导体结构。
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公开(公告)号：CN111081755A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910950871.2
申请日：2019-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种器件包括：从衬底延伸的第一鳍；设置在第一鳍上的栅极堆叠；设置在第一鳍中的源极/漏极区域；设置在源极/漏极区域上方的接触蚀刻停止层(CESL)；沿栅极堆叠的一侧延伸的栅极间隔体；以及设置在CESL和栅极间隔体之间的电介质插塞，其中，电介质插塞、CESL、栅极间隔体、和源极/漏极区域共同限定了空隙，该空隙将栅极堆叠与源极/漏极区域物理地分开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109767984A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810290161.7
申请日：2018-04-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种制造半导体结构的方法包含分别在半导体基板的第一和第二区域提供金属栅极结构，利用两步骤的蚀刻制程同时裁切金属栅极结构以分别在第一和第二区域内形成第一和第二沟槽，以及利用绝缘材料填充每一沟槽以形成第一和第二栅极隔离结构。两步骤的蚀刻制程的每一步骤使用不同的蚀刻化学品和条件。第一区域和第二区域内的金属栅极结构具有不同的栅极长度和栅极电极组成。
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公开(公告)号：CN110783267B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910243925.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及切割鳍隔离区域及其形成方法。一种方法包括形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍。隔离区域包括在第一半导体鳍和第二半导体鳍之间的部分。该方法还包括形成跨第一半导体鳍和第二半导体鳍上方的栅极堆叠，刻蚀栅极堆叠的一部分以形成开口，其中，隔离区域的该部分、第一半导体鳍和第二半导体鳍暴露于开口，刻蚀第一半导体鳍、第二半导体鳍和隔离区域的该部分，以将开口延伸到隔离区域下方的半导体衬底的主体部分中，以及用电介质材料填充开口以形成切割鳍隔离区域。
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公开(公告)号：CN110783267A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910243925.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及切割鳍隔离区域及其形成方法。一种方法包括形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍。隔离区域包括在第一半导体鳍和第二半导体鳍之间的部分。该方法还包括形成跨第一半导体鳍和第二半导体鳍上方的栅极堆叠，刻蚀栅极堆叠的一部分以形成开口，其中，隔离区域的该部分、第一半导体鳍和第二半导体鳍暴露于开口，刻蚀第一半导体鳍、第二半导体鳍和隔离区域的该部分，以将开口延伸到隔离区域下方的半导体衬底的主体部分中，以及用电介质材料填充开口以形成切割鳍隔离区域。
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公开(公告)号：CN109727977A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810376849.7
申请日：2018-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/78
Abstract: 本发明描述了切割栅极结构和鳍的方法以及由此形成的结构。在实施例中，衬底包括第一鳍和第二鳍以及隔离区。第一鳍和第二鳍纵向平行延伸，隔离区设置在第一鳍和第二鳍之间。栅极结构包括位于第一鳍上方的共形栅极电介质和位于共形栅极电介质上方的栅电极。第一绝缘填充结构邻接栅极结构并且从栅极结构的上表面的层级垂直地至少延伸至隔离区的表面。共形栅极电介质的任何部分都不在第一绝缘填充结构和栅电极之间垂直延伸。第二绝缘填充结构邻接第一绝缘填充结构和第二鳍的端部侧壁。第一绝缘填充结构横向地设置在栅极结构和第二绝缘填充结构之间。本发明的实施例还提供了半导体结构切割方法及由此形成的半导体结构。
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公开(公告)号：CN221551887U
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202322288294.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置，包含半导体鳍片。半导体装置包含于半导体鳍片上的多个第一分隔物。半导体装置包含于半导体鳍片上的金属栅极结构，其至少被多个第一分隔物夹在中间。半导体装置包含接触金属栅极结构的栅极电极。金属栅极结构和栅极电极之间的界面具有以第一距离向半导体鳍片延伸的侧边部分和以第二距离向半导体鳍片延伸的中央部分，第一距离实质上小于第二距离。
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