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公开(公告)号：CN113594092A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110545051.2
申请日：2021-05-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法，该方法包括：于基板上方形成虚设栅极堆叠；于虚设栅极堆叠上方形成第一间隔层；氧化第一间隔层的表面以形成牺牲衬层；于牺牲衬层上方形成一或多个第二间隔层；于一或多个第二间隔层上方形成第三间隔层；于第三间隔层上方形成层间介电(inter‑layer dielectric,ILD)层；蚀刻一或多个第二间隔层的至少一部分以形成气隙，气隙插在第三间隔层及第一间隔层之间；形成再填充层以填充气隙的上部。
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公开(公告)号：CN111081755B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910950871.2
申请日：2019-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种器件包括：从衬底延伸的第一鳍；设置在第一鳍上的栅极堆叠；设置在第一鳍中的源极/漏极区域；设置在源极/漏极区域上方的接触蚀刻停止层(CESL)；沿栅极堆叠的一侧延伸的栅极间隔体；以及设置在CESL和栅极间隔体之间的电介质插塞，其中，电介质插塞、CESL、栅极间隔体、和源极/漏极区域共同限定了空隙，该空隙将栅极堆叠与源极/漏极区域物理地分开。
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公开(公告)号：CN113130399A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011471524.0
申请日：2020-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括：形成突出于基板之上的鳍片，其中鳍片的顶部部分包括膜层堆叠，膜层堆叠包括第一半导体材料与第二半导体材料的交替膜层；于鳍片之上形成虚置栅极结构；于虚置栅极结构两侧的鳍片中形成开口；于开口中形成源极/漏极区；移除虚置栅极结构以露出虚置栅极结构之下的第一半导体材料与第二半导体材料；进行第一蚀刻工艺，以选择性地移除露出的第一半导体材料，其中在第一蚀刻工艺之后，露出的第二半导体材料形成了纳米结构，其中纳米结构各具有第一形状；以及在第一蚀刻工艺之后，进行第二蚀刻工艺，以将各个纳米结构再塑形成与第一形状不同的第二形状。
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公开(公告)号：CN113594092B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110545051.2
申请日：2021-05-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法，该方法包括：于基板上方形成虚设栅极堆叠；于虚设栅极堆叠上方形成第一间隔层；氧化第一间隔层的表面以形成牺牲衬层；于牺牲衬层上方形成一或多个第二间隔层；于一或多个第二间隔层上方形成第三间隔层；于第三间隔层上方形成层间介电(inter‑layer dielectric,ILD)层；蚀刻一或多个第二间隔层的至少一部分以形成气隙，气隙插在第三间隔层及第一间隔层之间；形成再填充层以填充气隙的上部。
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公开(公告)号：CN111261703B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201910866955.8
申请日：2019-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造方法。半导体鳍上方的导电栅极被切割成第一导电栅极和第二导电栅极。从第一导电栅极的侧壁移除氧化物，并且将电介质材料施加到侧壁。移除与导电栅极相邻的间隔件以形成空隙，并且利用电介质材料帽盖空隙以形成空气间隔件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113140513A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110048098.8
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的制造方法。揭示了在半导体装置中形成气体间隔物的方法以及包含气体间隔物的半导体装置。根据一实施例，方法包含在基底上方形成栅极堆叠；在栅极堆叠的侧壁上形成第一栅极间隔物；在第一栅极间隔物的侧壁上形成第二栅极间隔物；使用蚀刻制程移除第二栅极间隔物以形成第一开口，蚀刻制程在小于0℃的温度下进行，蚀刻制程使用包含氟化氢的蚀刻溶液；以及在第一栅极间隔物和栅极堆叠上方沉积介电层，介电层在第一开口中密封气体间隔物。
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公开(公告)号：CN111261703A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910866955.8
申请日：2019-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造方法。半导体鳍上方的导电栅极被切割成第一导电栅极和第二导电栅极。从第一导电栅极的侧壁移除氧化物，并且将电介质材料施加到侧壁。移除与导电栅极相邻的间隔件以形成空隙，并且利用电介质材料帽盖空隙以形成空气间隔件。
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公开(公告)号：CN116266594A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310101780.8
申请日：2023-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开描述了一种半导体装置结构及其形成方法。所述结构包括：设置于基板之上的第一通道区；与第一通道区相邻设置的第二通道区；设置于第一及第二通道区中的栅极层；与栅极层相邻设置的第一介电部件。所述第一介电部件包括具有第一厚度的第一介电材料。所述结构更包括设置于第一及第二通道区之间的第二介电部件，其中第二介电部件包括具有实质上小于第一厚度的第二厚度的第二介电材料。所述第二厚度范围为约1nm至约20nm。
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公开(公告)号：CN112750762A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011193393.4
申请日：2020-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法包括在第一电介质层中形成开口。位于第一电介质层下方的区域暴露于开口。方法还包括沉积延伸到开口中的虚设硅层，以及沉积隔离层。隔离层和虚设层在开口中分别包括虚设硅环和隔离环。利用金属区域填充开口，并且金属区域被隔离环环绕。蚀刻虚设硅层以形成空气间隔件。形成第二电介质层以密封空气间隔件。
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公开(公告)号：CN111081755A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910950871.2
申请日：2019-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种器件包括：从衬底延伸的第一鳍；设置在第一鳍上的栅极堆叠；设置在第一鳍中的源极/漏极区域；设置在源极/漏极区域上方的接触蚀刻停止层(CESL)；沿栅极堆叠的一侧延伸的栅极间隔体；以及设置在CESL和栅极间隔体之间的电介质插塞，其中，电介质插塞、CESL、栅极间隔体、和源极/漏极区域共同限定了空隙，该空隙将栅极堆叠与源极/漏极区域物理地分开。
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