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公开(公告)号：CN118866680A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410830828.3
申请日：2024-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/8238
Abstract: 提供了处理金属栅极的方法、制造半导体装置的方法、及蚀刻金属的方法，诸如用于处理金属栅极的方法。一种用于蚀刻金属的方法包含在金属上方形成硬遮罩，其中硬遮罩包含界定开口的侧壁；以及进行包含将氮化碳膜沉积于侧壁上及蚀刻金属的循环的电浆蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN110970294A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910655551.4
申请日：2019-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成突出于衬底上方的第一鳍和第二鳍；在第一鳍和第二鳍的相对侧上形成隔离区域；在第一鳍上方和第二鳍上方形成金属栅极，金属栅极被第一电介质层包围；在第一鳍与第二鳍之间的金属栅极中形成凹槽，其中，凹槽从金属栅极的远离衬底的上表面延伸到金属栅极中，其中，凹槽具有远离衬底的上部和位于上部与衬底之间的下部，其中，上部具有第一宽度，并且下部具有大于第一宽度的第二宽度，第一宽度和第二宽度沿着金属栅极的纵向方向进行测量。
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公开(公告)号：CN101656206B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910165876.0
申请日：2009-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L21/02071 , H01L21/28088 , H01L21/31122 , H01L21/823828 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/6659
Abstract: 本发明提供一种形成半导体元件及其金属栅极堆叠的方法，包括下列步骤：于一蚀刻腔室内，通过一图案化掩模的定义栅极区的开口对一半导体基底进行一第一干蚀刻步骤，以移除位于该半导体基底上的一多晶硅层及一金属栅极层；于该蚀刻腔室内提供一水蒸汽至该半导体基底，以移除位于该半导体基底上的一盖层；以及于该蚀刻腔室内对该半导体基底进行一第二干蚀刻步骤，以移除一高介电常数(high k)介电材料层。本发明具有工艺简单、制造周期短及有效降低成本的优点。
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公开(公告)号：CN101997027A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010226315.X
申请日：2010-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L29/6656
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管及其栅结构，场效应晶体管的栅结构包括：一栅电极层；一栅绝缘层，位于该栅电极层之下，且于该栅电极层的相反侧上具有底脚区；以及一密封层，位于该栅结构的侧壁上，其中该密封层覆盖于该底脚区上的一较低部分的一厚度小于该密封层位于该栅电极层的侧壁上的一较高部分的一厚度。本发明所形成的半导体元件(晶体管)的密封结构在基底表面中几乎不具有凹陷。
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公开(公告)号：CN101794711A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910169145.3
申请日：2009-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823828 , H01L21/3221 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括：于一基底前侧上的半导体基底的上方形成一界面层；于该界面层上形成高介电常数(high-k)介电层；于该高介电常数介电层上形成一盖层；于该盖层上形成一金属层；于该金属层上形成一第一多晶硅层；以及于该基底背侧上的半导体基底的上方形成一第二多晶硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101673686A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910171765.0
申请日：2009-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其金属栅极堆叠的形成方法，包括：于一基底上形成一第一材料层；于该第一材料层上形成一图案化光致抗蚀剂层；利用该图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，对该第一材料层施行一蚀刻步骤；以及提供一含氮等离子体至该基底以移除该图案化光致抗蚀剂层。本发明能够克服氧气等离子体的移除所造成的金属层的氧化及起始氧化层的再成长的问题。再者，本发明还能够克服金属栅极的氧化、氧渗透至high k介电材料层及起始氧化层再成长的问题。
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公开(公告)号：CN101667541A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910168185.6
申请日：2009-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L21/0206 , H01L21/02071 , H01L21/31111
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的金属栅极堆叠的形成方法。此方法包含对一基材进行一第一蚀刻工艺来移除在该基材上的多晶硅层及金属层；对该基材使用一稀释的氢氟酸来移除高分子残余物；随后对该基材使用一包含盐酸、过氧化氢及水的清洁溶液；进行一含有稀释盐酸的湿式蚀刻工艺来移除盖层；以及对该基材进行一第二蚀刻工艺来移除高介电常数材料层。本发明能够移除在形成栅极堆叠过程中形成的高分子残余物，并且还易于移除该过程中形成的盖层。
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公开(公告)号：CN101656206A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910165876.0
申请日：2009-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L21/02071 , H01L21/28088 , H01L21/31122 , H01L21/823828 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/6659
Abstract: 本发明提供一种形成半导体元件及其金属栅极堆叠的方法，包括下列步骤：于一蚀刻腔室内，通过一图案化掩模的定义栅极区的开口对一半导体基底进行一第一干蚀刻步骤，以移除位于该半导体基底上的一多晶硅层及一金属栅极层；于该蚀刻腔室内提供一水蒸汽至该半导体基底，以移除位于该半导体基底上的一盖层；以及于该蚀刻腔室内对该半导体基底进行一第二干蚀刻步骤，以移除一高介电常数(high k)介电材料层。本发明具有工艺简单、制造周期短及有效降低成本的优点。
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公开(公告)号：CN112530868A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201911306956.3
申请日：2019-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及用于制造半导体器件的方法。一种方法包括：形成栅极电介质层；在栅极电介质层的底部部分上方形成金属栅极条带；以及对金属栅极条带执行第一蚀刻工艺以移除金属栅极条带的一部分。第一蚀刻工艺是各向异性地执行的。在第一蚀刻工艺之后，对金属栅极条带执行第二蚀刻工艺以移除金属栅极条带的残留部分。第二蚀刻工艺包括各向同性蚀刻工艺。将电介质材料填充到由金属栅极条带的经蚀刻的部分和经蚀刻的残留部分留下的凹槽中。
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公开(公告)号：CN106206284B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201510306755.9
申请日：2015-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/225
Abstract: 本发明提供一种改进型蚀刻工艺。方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成掺杂氧化物层；在掺杂氧化物层上形成图案化层，图案化层保持掺杂氧化物层的暴露区；对衬底执行溅射工艺；以及在溅射工艺之后，对半导体衬底执行湿蚀刻工艺，以从暴露区去除掺杂氧化物层。
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