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公开(公告)号：CN118899221A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410677765.2
申请日：2024-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/3065 , H01L29/78
Abstract: 提供一种制造及蚀刻半导体装置的方法。一种用于制造半导体装置的示例性方法包含在半导体基板的密集区及隔离区中形成鳍片；进行电浆干式蚀刻工艺以移除密集区中的至少一个选定鳍片的一部分，从而在密集区中形成第一沟槽，且移除隔离区中的至少一个选定鳍片的一部分，从而在隔离区中形成第二沟槽，其中电浆干式蚀刻工艺包含：进行钝化取向工艺及蚀刻剂取向工艺；以及控制钝化取向工艺及蚀刻剂取向工艺以形成具有第一临界尺寸及第一深度的第一沟槽，并形成具有第二临界尺寸及第二深度的第二沟槽。
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公开(公告)号：CN119604025A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202410694901.9
申请日：2024-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例涉及在栅极结构中形成隔离结构以防止电流通过源极/漏极区域(EPI)、晶体管和硅衬底泄漏。隔离结构被布置成具有与短隔离结构相邻的长隔离结构的图案。隔离结构可以在替换栅极顺序之前或之后形成在栅极结构中。
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公开(公告)号：CN119521735A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410900204.4
申请日：2024-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及形成具有低寄生电容和降低的损伤的隔离区域。一种结构，包括：多个半导体区域、彼此直接相邻的第一栅极堆叠和第二栅极堆叠、位于第一栅极堆叠中的第一鳍隔离区域、和位于第二栅极堆叠中的第二鳍隔离区域。第一鳍隔离区域和第二鳍隔离区域具有侧向重叠，该侧向重叠具有等于或大于多个半导体区域的间距的重叠距离。在平行于第一栅极堆叠和第二栅极堆叠的纵向方向上测量重叠距离。多个源极/漏极区域位于第一栅极堆叠和第二栅极堆叠的相反侧上以形成多个晶体管。
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公开(公告)号：CN110970294A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910655551.4
申请日：2019-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成突出于衬底上方的第一鳍和第二鳍；在第一鳍和第二鳍的相对侧上形成隔离区域；在第一鳍上方和第二鳍上方形成金属栅极，金属栅极被第一电介质层包围；在第一鳍与第二鳍之间的金属栅极中形成凹槽，其中，凹槽从金属栅极的远离衬底的上表面延伸到金属栅极中，其中，凹槽具有远离衬底的上部和位于上部与衬底之间的下部，其中，上部具有第一宽度，并且下部具有大于第一宽度的第二宽度，第一宽度和第二宽度沿着金属栅极的纵向方向进行测量。
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公开(公告)号：CN119230406A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410332030.6
申请日：2024-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本揭露提供一种半导体装置及其制造方法。在通过金属栅极结构来取代半导体装置的多晶硅虚拟栅极结构的替换栅极工艺后，可以通过接续式扩散边缘上金属(continuous metal on diffusion edge，CMODE)在半导体装置中形成CMODE结构。本揭露所描述的CMODE工艺包括去除金属栅极结构的一部分(相较于去除多晶硅虚拟栅极结构的一部分)，以使得能够在去除金属栅极结构的一部分后产生的凹槽中形成CMODE结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118412324A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311291755.7
申请日：2023-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在第一鳍之上并围绕设置在第一鳍之上的第一沟道区域形成虚设栅极结构；在第一鳍之上围绕虚设栅极结构形成层间电介质(ILD)层；用栅极结构替代虚设栅极结构；在位于第一鳍的相反侧的栅极结构中形成第一电介质插塞和第二电介质插塞，其中第一电介质插塞和第二电介质插塞将栅极结构切割成彼此分开的多个分段；去除栅极结构的位于第一电介质插塞和第二电介质插塞之间的分段以暴露第一沟道区域；去除暴露的第一沟道区域，其中在去除暴露的第一沟道区域之后，在ILD层中形成凹部；以及用电介质材料填充凹部。
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公开(公告)号：CN110970294B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201910655551.4
申请日：2019-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成突出于衬底上方的第一鳍和第二鳍；在第一鳍和第二鳍的相对侧上形成隔离区域；在第一鳍上方和第二鳍上方形成金属栅极，金属栅极被第一电介质层包围；在第一鳍与第二鳍之间的金属栅极中形成凹槽，其中，凹槽从金属栅极的远离衬底的上表面延伸到金属栅极中，其中，凹槽具有远离衬底的上部和位于上部与衬底之间的下部，其中，上部具有第一宽度，并且下部具有大于第一宽度的第二宽度，第一宽度和第二宽度沿着金属栅极的纵向方向进行测量。
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公开(公告)号：CN220984531U
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202321464415.5
申请日：2023-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/762
Abstract: 一种半导体装置结构，包括基板；以及隔离结构位于基板上以及相邻的两个晶体管之间。隔离结构包括介电结构；以及绝缘材料，位于介电结构之下。绝缘材料包括上侧部分，包括第一侧壁与上表面接触介电结构；以及底部，具有第二侧壁，其中基板围绕并接触第二侧壁。绝缘材料还包括中间部分，具有第三侧壁位于第一侧壁与第二侧壁之间。半导体装置结构亦包括介电材料，接触介电结构、第一侧壁、第三侧壁、与基板。
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公开(公告)号：CN222146232U
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202420917592.2
申请日：2023-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/762
Abstract: 一种半导体装置结构，包括基板；以及隔离结构位于基板上以及相邻的两个晶体管之间。隔离结构包括介电结构；以及绝缘材料，位于介电结构之下。绝缘材料包括上侧部分，包括第一侧壁与上表面接触介电结构；以及底部，具有第二侧壁，其中基板围绕并接触第二侧壁。绝缘材料还包括中间部分，具有第三侧壁位于第一侧壁与第二侧壁之间。半导体装置结构亦包括介电材料，接触介电结构、第一侧壁、第三侧壁与基板。
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