公开(公告)号：CN119230406A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410332030.6

申请日：2024-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  戴振宇 ,  赖俊良 ,  吴昀铮 ,  杨舜惠

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本揭露提供一种半导体装置及其制造方法。在通过金属栅极结构来取代半导体装置的多晶硅虚拟栅极结构的替换栅极工艺后，可以通过接续式扩散边缘上金属(continuous metal on diffusion edge，CMODE)在半导体装置中形成CMODE结构。本揭露所描述的CMODE工艺包括去除金属栅极结构的一部分(相较于去除多晶硅虚拟栅极结构的一部分)，以使得能够在去除金属栅极结构的一部分后产生的凹槽中形成CMODE结构。

公开(公告)号：CN113130313A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011622803.2

申请日：2020-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  张长昀 ,  陈耿尧 ,  戴振宇 ,  傅依婷

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置的形成方法，说明具有可调栅极高度与有效电容的装置的制作方法。方法包括形成第一金属栅极堆叠于半导体基板的虚置区中，且第一金属栅极堆叠包括第一功函数金属层；形成第二金属栅极堆叠于半导体基板的主动装置区中，第二金属栅极堆叠包括第二功函数金属层，且第一功函数金属层与第二功函数金属层不同；以及采用含电荷的多个研磨纳米颗粒的研磨液进行化学机械研磨制程。含电荷的研磨纳米颗粒在主动装置区中的第一浓度与在虚置区中的第二浓度不同，造成主动装置区与虚置区中的研磨速率不同。化学机械研磨制程之后的第一金属栅极堆叠具有第一高度而第二金属栅极堆叠具有第二高度，且第一高度与第二高度不同。

公开(公告)号：CN222146232U

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202420917592.2

申请日：2023-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  戴振宇 ,  赖俊良 ,  洪志昌

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/762

Abstract: 一种半导体装置结构，包括基板；以及隔离结构位于基板上以及相邻的两个晶体管之间。隔离结构包括介电结构；以及绝缘材料，位于介电结构之下。绝缘材料包括上侧部分，包括第一侧壁与上表面接触介电结构；以及底部，具有第二侧壁，其中基板围绕并接触第二侧壁。绝缘材料还包括中间部分，具有第三侧壁位于第一侧壁与第二侧壁之间。半导体装置结构亦包括介电材料，接触介电结构、第一侧壁、第三侧壁与基板。

公开(公告)号：CN220731533U

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202321399967.2

申请日：2023-06-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  戴振宇

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体结构，提供半导体装置内的隔离。上述结构包括第一隔离结构，包括设置在基底上的第一隔离层、设置在第一隔离层上的第二隔离层以及具有第一高度并设置在第二隔离层上的第一高k值介电层。上述结构也包括第二隔离结构，包括设置在基底上的第三隔离层、设置在第三隔离层上的第四隔离层以及具有第二高度并设置在第四隔离层上的第二高k值介电层，其中第二高度小于第一高度。上述结构还包括设置在第一隔离结构上的栅极结构，以及相邻设置于栅极结构且位于第二隔离结构上的绝缘结构。

公开(公告)号：CN220984531U

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202321464415.5

申请日：2023-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  戴振宇 ,  赖俊良 ,  洪志昌

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/762

Abstract: 一种半导体装置结构，包括基板；以及隔离结构位于基板上以及相邻的两个晶体管之间。隔离结构包括介电结构；以及绝缘材料，位于介电结构之下。绝缘材料包括上侧部分，包括第一侧壁与上表面接触介电结构；以及底部，具有第二侧壁，其中基板围绕并接触第二侧壁。绝缘材料还包括中间部分，具有第三侧壁位于第一侧壁与第二侧壁之间。半导体装置结构亦包括介电材料，接触介电结构、第一侧壁、第三侧壁、与基板。

公开(公告)号：CN219873540U

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202320965051.2

申请日：2023-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昶达 ,  温明璋 ,  游国丰 ,  戴振宇 ,  李筠 ,  庄博雅 ,  杨峻铭 ,  刘又荣 ,  杨雅婷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417

Abstract: 本实用新型涉及半导体装置，提供具有取代间隔物结构的装置与形成这样的装置的方法。此方法包含形成初始间隔物结构，其中此初始间隔物结构具有用于选定的蚀刻剂的初始蚀刻速率。此方法更包含去除初始间隔物结构的一部分，其中不去除初始间隔物结构的剩余部分。此外，此方法包含形成取代间隔物结构相邻于初始间隔物结构的剩余部分，以形成组合间隔物结构，其中组合间隔物结构具有用于选定的蚀刻剂的中间速率，其小于用于选定的蚀刻剂的初始速率。此外，此方法包含用选定的蚀刻剂蚀刻组合间隔物结构以形成最终间隔物结构。