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公开(公告)号：CN103296069A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210271383.7
申请日：2012-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924
Abstract: 本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括：包含有主表面的衬底；具有第一宽度并且从衬底的主表面向下延伸至第一高度的多个第一沟槽，其中邻近的第一沟槽之间的第一间隔限定出第一鳍片；以及具有小于第一宽度的第二宽度并且从衬底的主表面向下延伸至大于第一高度的第二高度的多个第二沟槽，其中，邻近的第二沟槽之间的第二间隔限定出第二鳍片。本发明提供了FinFET及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113130399A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011471524.0
申请日：2020-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括：形成突出于基板之上的鳍片，其中鳍片的顶部部分包括膜层堆叠，膜层堆叠包括第一半导体材料与第二半导体材料的交替膜层；于鳍片之上形成虚置栅极结构；于虚置栅极结构两侧的鳍片中形成开口；于开口中形成源极/漏极区；移除虚置栅极结构以露出虚置栅极结构之下的第一半导体材料与第二半导体材料；进行第一蚀刻工艺，以选择性地移除露出的第一半导体材料，其中在第一蚀刻工艺之后，露出的第二半导体材料形成了纳米结构，其中纳米结构各具有第一形状；以及在第一蚀刻工艺之后，进行第二蚀刻工艺，以将各个纳米结构再塑形成与第一形状不同的第二形状。
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公开(公告)号：CN116266594A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310101780.8
申请日：2023-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开描述了一种半导体装置结构及其形成方法。所述结构包括：设置于基板之上的第一通道区；与第一通道区相邻设置的第二通道区；设置于第一及第二通道区中的栅极层；与栅极层相邻设置的第一介电部件。所述第一介电部件包括具有第一厚度的第一介电材料。所述结构更包括设置于第一及第二通道区之间的第二介电部件，其中第二介电部件包括具有实质上小于第一厚度的第二厚度的第二介电材料。所述第二厚度范围为约1nm至约20nm。
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公开(公告)号：CN103296069B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210271383.7
申请日：2012-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924
Abstract: 本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括：包含有主表面的衬底；具有第一宽度并且从衬底的主表面向下延伸至第一高度的多个第一沟槽，其中邻近的第一沟槽之间的第一间隔限定出第一鳍片；以及具有小于第一宽度的第二宽度并且从衬底的主表面向下延伸至大于第一高度的第二高度的多个第二沟槽，其中，邻近的第二沟槽之间的第二间隔限定出第二鳍片。本发明提供了FinFET及其制造方法。
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公开(公告)号：CN119230406A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410332030.6
申请日：2024-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本揭露提供一种半导体装置及其制造方法。在通过金属栅极结构来取代半导体装置的多晶硅虚拟栅极结构的替换栅极工艺后，可以通过接续式扩散边缘上金属(continuous metal on diffusion edge，CMODE)在半导体装置中形成CMODE结构。本揭露所描述的CMODE工艺包括去除金属栅极结构的一部分(相较于去除多晶硅虚拟栅极结构的一部分)，以使得能够在去除金属栅极结构的一部分后产生的凹槽中形成CMODE结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118412324A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311291755.7
申请日：2023-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在第一鳍之上并围绕设置在第一鳍之上的第一沟道区域形成虚设栅极结构；在第一鳍之上围绕虚设栅极结构形成层间电介质(ILD)层；用栅极结构替代虚设栅极结构；在位于第一鳍的相反侧的栅极结构中形成第一电介质插塞和第二电介质插塞，其中第一电介质插塞和第二电介质插塞将栅极结构切割成彼此分开的多个分段；去除栅极结构的位于第一电介质插塞和第二电介质插塞之间的分段以暴露第一沟道区域；去除暴露的第一沟道区域，其中在去除暴露的第一沟道区域之后，在ILD层中形成凹部；以及用电介质材料填充凹部。
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公开(公告)号：CN222424605U
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202420083913.3
申请日：2024-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体装置包括第一全绕式栅极场效晶体管与第二全绕式栅极场效晶体管；以及墙鳍状物，位于第一全绕式栅极场效晶体管与第二全绕式栅极场效晶体管之间，并位于隔离绝缘层上。墙鳍状物包括第一介电层、第二介电层位于第一介电层上、以及第三介电层；第一介电层、第二介电层、与第三介电层的材料彼此不同；以及第三介电层包括凹陷。
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公开(公告)号：CN222840005U
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202421596178.2
申请日：2024-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种半导体装置。半导体装置包含半导体基材；在半导体基材上的第一装置区域，其中第一装置区域包含第一金属栅极，且第一金属栅极在Y方向上延伸至第一金属栅极的第一末端；在半导体基材上并在X方向上与第一装置区域分开的第二装置区域，其中X方向垂直于Y方向；邻接第一装置区域及第二装置区域，且位于第一装置区域与第二装置区域之间的绝缘结构，其中绝缘结构在Y方向上延伸至绝缘结构的第一末端；以及在X方向上延伸的介电结构，其中介电结构邻接第一金属栅极的第一末端与绝缘结构的第一末端。
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公开(公告)号：CN221057428U
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202322432440.1
申请日：2023-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 半导体装置包括第一通道区与第二通道区形成于基板上。第一通道区与第二通道区延伸于第一横向方向中并彼此平行。半导体装置包括介电结构，沿着第二横向方向夹设于第一通道区与第二通道区之间，且第二横向方向垂直于第一横向方向。半导体装置包括第一隔离结构，与第一通道区的下侧部分相邻。半导体装置包括第二隔离结构，与第二通道区的下侧部分相邻。第一隔离结构与第二隔离结构具有高度。介电结构的一部分夹设于第一隔离结构与第二隔离结构之间。第一隔离结构与第二隔离结构各自的上侧部分的最大凹陷距离，与高度的第一比例小于约0.1。
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