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公开(公告)号：CN113946096B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202110629605.7
申请日：2021-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。所述有机金属前体包括MaXbLc的化学式，其中M是金属，X是包括吡咯样氮和吡啶样氮的多齿芳族配体，L是极紫外(EUV)可裂解的配体，a在1和2之间，b等于或大于1，c等于或大于1。
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公开(公告)号：CN115763227A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210719400.2
申请日：2022-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , G03F7/004
Abstract: 公开了光刻胶及其形成和使用方法。在实施例中，一种方法包括在目标层上方旋涂第一硬掩模层；使用化学气相沉积或原子层沉积在第一硬掩模层上方沉积光刻胶层，使用一种或多种有机金属前体沉积光刻胶层；加热光刻胶层以引起一种或多种有机金属前体之间的交联；将光刻胶层暴露于图案化的能量；加热光刻胶层以引起光刻胶层中的解交联，形成光刻胶层的解交联的部分；以及去除光刻胶层的解交联的部分。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN114823526A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210210227.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/11
Abstract: 一种半导体装置，包括多个有源区结构，所述有源区结构各自在垂直方向上向上突出。有源区结构各自在第一水平方向上延伸。有源区结构在不同于第一水平方向的第二水平方向上彼此分离。栅极结构设置在有源区结构上方。栅极结构在第二水平方向上延伸。栅极结构部分包绕有源区结构的每一者。导电盖层设置在栅极结构上方。栅极导孔设置在导电盖层上方。导电盖层在第二水平方向上测量的尺寸实质上大于栅极导孔在第二水平方向上测量的最大尺寸。
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公开(公告)号：CN114792723A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210049817.2
申请日：2022-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括垂直堆叠的多个第一通道构件、垂直堆叠的多个第二通道构件、包裹环绕多个第一通道构件的每一者的n型功函数层、位于n型功函数层上方并包裹环绕多个第一通道构件的每一者的第一p型功函数层、包裹环绕多个第二通道构件的每一者的第二p型功函数层、位于第二p型功函数层上方并包裹环绕多个第二通道构件的每一者的第三p型功函数层、以及位于第一p型功函数层的顶部表面与第三p型功函数层的顶部表面上方的栅极覆盖层，使得栅极覆盖层电性耦接第一p型功函数层与第三p型功函数层。
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公开(公告)号：CN114334620A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110659598.5
申请日：2021-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本申请涉及用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理。本文公开了可以改进光刻分辨率的含金属的抗蚀剂层(例如，金属氧化物抗蚀剂层)、用于形成含金属的抗蚀剂层的方法以及使用含金属的抗蚀剂层的光刻方法。示例性方法包括：通过执行沉积工艺在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层，以在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层的金属氧化物抗蚀剂子层；以及对至少一个金属氧化物抗蚀剂子层执行致密化工艺。每个沉积工艺形成金属氧化物抗蚀剂子层中的相应一个。致密化工艺使至少一个金属氧化物抗蚀剂子层的密度增加。可以调整沉积工艺的参数和/或致密化工艺的参数，以实现不同的密度分布、不同的密度特性、和/或不同的吸收特性，从而优化对金属氧化物抗蚀剂层的图案化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113946096A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110629605.7
申请日：2021-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。所述有机金属前体包括MaXbLc的化学式，其中M是金属，X是包括吡咯样氮和吡啶样氮的多齿芳族配体，L是极紫外(EUV)可裂解的配体，a在1和2之间，b等于或大于1，c等于或大于1。
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公开(公告)号：CN113156770A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110337729.8
申请日：2021-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本申请涉及光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上方形成光致抗蚀剂层，以及降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层使所述潜在图案显影以形成图案。
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公开(公告)号：CN113156770B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202110337729.8
申请日：2021-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本申请涉及光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上方形成光致抗蚀剂层，以及降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层使所述潜在图案显影以形成图案。
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公开(公告)号：CN118412324A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311291755.7
申请日：2023-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在第一鳍之上并围绕设置在第一鳍之上的第一沟道区域形成虚设栅极结构；在第一鳍之上围绕虚设栅极结构形成层间电介质(ILD)层；用栅极结构替代虚设栅极结构；在位于第一鳍的相反侧的栅极结构中形成第一电介质插塞和第二电介质插塞，其中第一电介质插塞和第二电介质插塞将栅极结构切割成彼此分开的多个分段；去除栅极结构的位于第一电介质插塞和第二电介质插塞之间的分段以暴露第一沟道区域；去除暴露的第一沟道区域，其中在去除暴露的第一沟道区域之后，在ILD层中形成凹部；以及用电介质材料填充凹部。
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公开(公告)号：CN218004863U
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202221747365.7
申请日：2022-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置包括纳米结构的堆叠，其在第一水平方向上各自延伸。上述堆叠在垂直方向上各自延伸且在第二水平方向上彼此分隔。第一栅极设置于堆叠的第一子集合上。第二栅极设置于堆叠的第二子集合上。第一导电盖层设置于第一栅极的上表面的实质上的整体上。第二导电盖层设置于第二栅极的上表面的实质上的整体上。介电结构在第二水平方向上设置于第一栅极与第二栅极之间。介电结构实体且电性分隔第一栅极与第二栅极。介电结构的上表面实质上不具有设置于其上的第一或第二导电盖层。
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