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公开(公告)号：CN117423736A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311143404.1
申请日：2023-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体装置包含：在半导体基板上方的栅极结构，具有高介电系数介电层、P型功函数层、N型功函数层、介电抗反应层及胶层；及位于栅极结构上方的连续的金属盖，通过以下形成：在栅极结构的上方沉积金属材料，选择性地将部分抗反应层移除，及在栅极结构的上方沉积额外的金属材料。制造方法包含：接收栅极结构；将栅极结构的顶层平坦化；对栅极结构的表面进行预清洗及预处理；在栅极结构的上方沉积金属材料以形成不连续的金属盖；选择性地将部分抗反应层移除；在栅极结构的上方沉积额外的金属材料以创建连续的金属盖；及抑制金属盖的生长。本公开还涉及一种在金属栅极结构的上方形成连续的金属盖的方法。
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公开(公告)号：CN116153983A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210776755.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开总体涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在一种制造半导体器件的方法中，在电介质层中的第一导电层之上形成开口，在开口中的第一导电层之上形成第二导电层，而不在电介质层的至少上表面上形成第二导电层，在开口中的第二导电层之上形成第三导电层，而不在电介质层的至少上表面上形成第三导电层，以及在开口中的第三导电层之上形成上层。
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公开(公告)号：CN114792723A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210049817.2
申请日：2022-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括垂直堆叠的多个第一通道构件、垂直堆叠的多个第二通道构件、包裹环绕多个第一通道构件的每一者的n型功函数层、位于n型功函数层上方并包裹环绕多个第一通道构件的每一者的第一p型功函数层、包裹环绕多个第二通道构件的每一者的第二p型功函数层、位于第二p型功函数层上方并包裹环绕多个第二通道构件的每一者的第三p型功函数层、以及位于第一p型功函数层的顶部表面与第三p型功函数层的顶部表面上方的栅极覆盖层，使得栅极覆盖层电性耦接第一p型功函数层与第三p型功函数层。
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公开(公告)号：CN112510090B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201911327769.3
申请日：2019-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路器件及其形成方法。一种方法，包括：分别在第一器件区域和第二器件区域中沉积第一功函数层和第二功函数层，并且分别在第一器件区域和第二器件区域中沉积第一氟阻挡层和第二氟阻挡层。第一氟阻挡层位于第一功函数层上方，并且第二氟阻挡层位于第二功函数层上方。该方法还包括：去除第二氟阻挡层，以及在第一氟阻挡层上方形成第一金属填充层，并且在第二功函数层上方形成第二金属填充层。
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公开(公告)号：CN114823526A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210210227.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/11
Abstract: 一种半导体装置，包括多个有源区结构，所述有源区结构各自在垂直方向上向上突出。有源区结构各自在第一水平方向上延伸。有源区结构在不同于第一水平方向的第二水平方向上彼此分离。栅极结构设置在有源区结构上方。栅极结构在第二水平方向上延伸。栅极结构部分包绕有源区结构的每一者。导电盖层设置在栅极结构上方。栅极导孔设置在导电盖层上方。导电盖层在第二水平方向上测量的尺寸实质上大于栅极导孔在第二水平方向上测量的最大尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114078845A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110476181.5
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。公开了具有改进的栅极电极结构的半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种半导体器件，包括：位于半导体衬底之上的栅极结构，栅极结构包括：高k电介质层；位于高k电介质层之上的n型功函数层；位于n型功函数层之上的抗反应层，抗反应层包括电介质材料；位于抗反应层之上的p型功函数层，p型功函数层覆盖抗反应层的顶表面；以及位于p型功函数层之上的导电帽盖层。
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公开(公告)号：CN109326515A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201711205277.8
申请日：2017-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法，包含在半导体鳍上形成虚设栅极结构，在虚设栅极结构的相对两侧上形成介电层，以及移除虚设栅极结构，以在介电层中形成凹陷。此方法还包含在凹陷的侧壁和底部上依序形成栅极介电层和至少一导电层，以及用含氟的化学物质处理栅极介电层和上述至少一导电层。
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公开(公告)号：CN112510090A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201911327769.3
申请日：2019-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本公开涉及集成电路器件及其形成方法。一种方法，包括：分别在第一器件区域和第二器件区域中沉积第一功函数层和第二功函数层，并且分别在第一器件区域和第二器件区域中沉积第一氟阻挡层和第二氟阻挡层。第一氟阻挡层位于第一功函数层上方，并且第二氟阻挡层位于第二功函数层上方。该方法还包括：去除第二氟阻挡层，以及在第一氟阻挡层上方形成第一金属填充层，并且在第二功函数层上方形成第二金属填充层。
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公开(公告)号：CN110610862A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910016047.X
申请日：2019-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置的制造方法包括在基板中形成第一半导体鳍片，在第一半导体鳍片上形成金属栅极结构，移除金属栅极结构的一部分，以在金属栅极结构中形成第一凹陷，第一凹陷与第一半导体鳍片横向地分开第一距离，其中第一距离根据第一半导体鳍片所相关联的第一期望临界电压来确定，以及使用介电材料填充第一凹陷。
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公开(公告)号：CN110224024A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201810595785.X
申请日：2018-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体装置及其形成方法的实施例。此半导体装置包含栅极结构，该栅极结构包含高介电常数栅极介电层、功函数金属层、以及无缝金属填充层。高介电常数栅极介电层位于半导体鳍片中的通道之上。功函数金属层位于高介电常数栅极介电层之上。无缝金属填充层位于功函数金属层之上。此半导体装置的形成方法的实施例包含：在短通道半导体鳍片之上形成高介电常数栅极电极层，在高介电常数栅极电极层之上形成功函数金属层，以及在功函数金属层之上顺应性地形成无缝的金属填充层。
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