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公开(公告)号：CN110416154A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910104443.8
申请日：2019-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括形成一开口于一介电层内。沉积一种子层于开口内，种子层的第一部分具有第一杂质浓度。将种子层的第一部分暴露于一等离子体，在暴露于等离子体之后，该第一部分具有小于第一杂质浓度的第二杂质浓度。将一导电材料填入开口，以形成导电特征部件。种子层包括钨，且导电材料包括钨，杂质包括硼。
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公开(公告)号：CN103811538A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310279559.8
申请日：2013-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L29/401 , H01L29/66545 , H01L29/78 , H01L29/42356
Abstract: 本发明提供了半导体结构。半导体结构包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的栅叠层。栅叠层包括高k介电材料层、位于高k介电材料层上方的富钛TiN层以及设置在富钛TiN层上方的金属层。金属层包括铝。本发明还提供了具有器件收益和生产率改进的金属栅极结构。
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公开(公告)号：CN101656214A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910129867.6
申请日：2009-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/283 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L21/28176 , H01L21/28229 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制法，半导体元件的制造方法包括提供半导体基底；于半导体基底上形成界面层；于界面层上形成第一栅极介电层；于第一栅极介电层上形成金属层；以及将金属层氧化以形成金属氧化层，其中金属层的氧化包括自界面层捉取氧。本发明可有效控制栅极结构的等效氧化层厚度，还降低了栅极介电层的氧空位。
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公开(公告)号：CN115207107A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210377827.9
申请日：2022-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体栅极及其形成方法。一种半导体器件，包括：纳米片，在源极/漏极区域之间；以及栅极结构，在衬底之上且在源极/漏极区域之间，该栅极结构包括：栅极电介质材料，围绕每个纳米片；功函数材料，围绕栅极电介质材料；第一帽盖材料，围绕功函数材料；第二帽盖材料，围绕第一帽盖材料，其中第二帽盖材料在纳米片之间的第一位置处比在沿着纳米片的侧壁的第二位置处更厚；以及栅极填充材料，在第二帽盖材料之上。
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公开(公告)号：CN114823672A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110779123.X
申请日：2021-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开总体涉及半导体器件及方法。实施例包括一种器件，其具有位于衬底上的纳米结构，纳米结构包括沟道区域。该器件还包括栅极电介质层，围绕每个纳米结构。该器件还包括第一功函数调整层，位于栅极电介质层上，该第一功函数调整层包括第一n型功函数金属、铝和碳，该第一n型功函数金属的功函数值小于钛。该器件还包括粘合层，位于第一功函数调整层上。该器件还包括填充层，位于粘合层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113270403A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010894273.0
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：设置在衬底上的鳍结构；设置在所述鳍结构上的纳米结构沟道区域；以及栅极环绕式(GAA)结构，围绕所述纳米结构沟道区域。所述GAA结构包括：具有金属掺杂区域的高K(HK)栅极电介质层，所述金属掺杂区域具有第一金属材料的掺杂剂；设置在所述HK栅极电介质层上的p型功函数金属(pWFM)层；插入在所述HK栅极电介质层和所述pWFM层之间的双金属氮化物层；设置在所述pWFM层上的n型功函数金属(nWFM)层；以及设置在所述nWFM层上的栅极金属填充层。所述pWFM层包括第二金属材料，并且所述双金属氮化物层包括所述第一金属材料和所述第二金属材料。
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公开(公告)号：CN113053885A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010638792.0
申请日：2020-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请公开了半导体器件和方法。公开了一种包括围绕功函数金属层的阻挡层的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；第一沟道区域，位于半导体衬底之上；第二沟道区域，位于第一沟道区域之上；栅极电介质层，围绕第一沟道区域和第二沟道区域；功函数金属层，围绕栅极电介质层；以及阻挡层，围绕功函数金属层，围绕第一沟道区域的第一阻挡层与围绕第二沟道区域的第二阻挡层融合。
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公开(公告)号：CN110838488A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910747774.3
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置与其形成方法，在一实施例中，该方法包括：形成栅极介电层于界面层上；形成掺杂层于栅极介电层上，且掺杂层包括偶极诱发元素；退火掺杂层以驱使偶极诱发元素穿过栅极介电层至栅极介电层与界面层相邻的第一侧；移除掺杂层；形成牺牲层于栅极介电层上，与栅极介电层跟牺牲层相邻的第二侧的残留的偶极诱发元素与牺牲层的材料反应；移除牺牲层；形成盖层于栅极介电层上；以及形成栅极层于盖层上。
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公开(公告)号：CN101728273B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910134815.8
申请日：2009-04-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/78 , H01L29/49
CPC classification number: H01L21/28088 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/32155 , H01L21/324 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种PMOS元件及其制造方法，该方法包含在一半导体基材上形成一高介电常数介电层；在该介电常数介电层上形成一盖层；在该盖层上形成一金属层；该金属层上形成一半导体层；在该半导体层上进行注入工艺，其使用包含氟的杂质；图案化该高介电常数介电层、该盖层、该金属层及该半导体层，以形成一栅极结构。本发明可增强同时拥有NMOS和PMOS的半导体元件的性能和可靠度，可轻易的和现有的CMOS技术工艺和半导体设备做整合，使用该含氟杂质掺杂物的注入工艺和进行活化的退火工艺对于现有的半导体工艺来说合适且容易。
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公开(公告)号：CN113555278B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202110032305.0
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及栅极电极沉积及由其形成的结构。一种方法包括使用原子层沉积工艺在栅极电介质层之上沉积第一功函数调谐层。原子层沉积工艺包括：沉积一个或多个第一氮化物单层；以及在一个或多个第一氮化物单层之上沉积一个或多个碳化物单层。该方法还包括：沉积第一功函数调谐层的粘合层；以及在粘合层之上沉积导电材料。
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