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公开(公告)号：CN113053821A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010894494.8
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了一种半导体器件和制造方法。在一些实施例中，使用处理工艺来处理功函数层。该处理防止了在后续工艺步骤期间(例如，施加后续光致抗蚀剂材料)的功函数层的过度氧化，从而允许功函数层比其他情况下更薄。
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公开(公告)号：CN112510091A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010018146.4
申请日：2020-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种器件包括：半导体鳍；位于半导体鳍的侧壁和顶表面上的栅极堆叠。栅极堆叠包括：高k电介质层；与高k电介质层的底部交叠的功函数层；以及与功函数层的第二底部交叠的阻挡层。低电阻金属层与功函数层和阻挡层交叠并接触。低电阻金属层具有的电阻率值低于功函数层和阻挡层两者的第二电阻率值。栅极间隔件与栅极堆叠的侧壁接触。
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公开(公告)号：CN110416154A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910104443.8
申请日：2019-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括形成一开口于一介电层内。沉积一种子层于开口内，种子层的第一部分具有第一杂质浓度。将种子层的第一部分暴露于一等离子体，在暴露于等离子体之后，该第一部分具有小于第一杂质浓度的第二杂质浓度。将一导电材料填入开口，以形成导电特征部件。种子层包括钨，且导电材料包括钨，杂质包括硼。
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公开(公告)号：CN108172509A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711217256.8
申请日：2017-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件和制造方法。在实施例中，使用不含氟沉积工艺在衬底上方形成金属层，使用包括氟的沉积工艺在金属层上方形成成核层，以及形成填充材料以填充开口并形成栅极堆叠件。本发明实施例涉及一种半导体器件及制造方法。
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公开(公告)号：CN113053821B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202010894494.8
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了一种半导体器件和制造方法。在一些实施例中，使用处理工艺来处理功函数层。该处理防止了在后续工艺步骤期间(例如，施加后续光致抗蚀剂材料)的功函数层的过度氧化，从而允许功函数层比其他情况下更薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112510090B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201911327769.3
申请日：2019-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路器件及其形成方法。一种方法，包括：分别在第一器件区域和第二器件区域中沉积第一功函数层和第二功函数层，并且分别在第一器件区域和第二器件区域中沉积第一氟阻挡层和第二氟阻挡层。第一氟阻挡层位于第一功函数层上方，并且第二氟阻挡层位于第二功函数层上方。该方法还包括：去除第二氟阻挡层，以及在第一氟阻挡层上方形成第一金属填充层，并且在第二功函数层上方形成第二金属填充层。
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公开(公告)号：CN108231585B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201710422448.6
申请日：2017-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 半导体装置的形成方法包括：形成自基板凸起的第一半导体鳍状物，以及形成栅极堆叠于第一半导体鳍状物上。形成栅极堆叠的步骤包括：沉积栅极介电层于第一半导体鳍状物上，沉积第一籽晶层于栅极介电层上，沉积第二籽晶层于第一籽晶层上，其中第二籽晶层的结构与第一籽晶层的结构不同，以及沉积导电层于第二籽晶层上，其中第一籽晶层、第二籽晶层、与导电层包含相同的导电材料。方法亦包括形成与栅极堆叠相邻的源极与漏极区。
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公开(公告)号：CN114078845A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110476181.5
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。公开了具有改进的栅极电极结构的半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种半导体器件，包括：位于半导体衬底之上的栅极结构，栅极结构包括：高k电介质层；位于高k电介质层之上的n型功函数层；位于n型功函数层之上的抗反应层，抗反应层包括电介质材料；位于抗反应层之上的p型功函数层，p型功函数层覆盖抗反应层的顶表面；以及位于p型功函数层之上的导电帽盖层。
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公开(公告)号：CN106558501B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201510853179.X
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/49
Abstract: 本发明涉及元件的金属栅极方案及形成所述金属栅极方案的方法。更具体的，本发明描述栅极结构及形成所述栅极结构的方法。在一些实施例中，一种方法包含在衬底中形成源极区/漏极区，及在所述源极区/漏极区之间形成栅极结构。所述栅极结构包含所述衬底上方的栅极介电层、所述栅极介电层上方的功函数调谐层、所述功函数调谐层上方的含金属化合物以及所述含金属化合物上方的金属，其中所述含金属化合物包括所述金属作为所述化合物的元素。
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公开(公告)号：CN109326515A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201711205277.8
申请日：2017-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法，包含在半导体鳍上形成虚设栅极结构，在虚设栅极结构的相对两侧上形成介电层，以及移除虚设栅极结构，以在介电层中形成凹陷。此方法还包含在凹陷的侧壁和底部上依序形成栅极介电层和至少一导电层，以及用含氟的化学物质处理栅极介电层和上述至少一导电层。
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